阳极氧化电流密度和时间对多孔硅形貌和电子发射特性的影响

作     者：张玉娟 张小宁 王文江 刘纯亮 Zhang Yujuan;Zhang Xiaoning;Wang Wenjiang;Liu Chunliang

作者机构：西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室西安710049 

出 版 物：《真空科学与技术学报》 (Chinese Journal of Vacuum Science and Technology)

年 卷 期：2012年第32卷第10期

页      面：857-860页

核心收录：

学科分类：0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 0806[工学-冶金工程] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：核高基:PDP显示控制芯片开发与产业化(2009ZX01033-001-003-5) 国家青年基金项目(60901044) 

主　　题：场发射显示器 电子发射特性 扫描电镜 多孔硅 阳极氧化 

摘      要：为了应用于场发射显示器，采用电化学阳极氧化，快速热氧化和磁控溅射等方法制备出了金属／多孔硅／硅基底／金属结构的多孔硅电子发射体，并运用扫描电子显微镜观察了多孔硅的微观形貌，结果发现多孔硅的孔径随着电化学阳极氧化电流密度的增加而增加，多孔硅层的厚度随着阳极氧化电流密度和时间乘积的增加而增加。在真空系统中测量了多孔硅的电子发射特性，电子发射的阈值电压Vth随着多孔硅层厚度的增加而增加；最大的发射效率η为7．5‰，此效率出现在孔径6—16nm，多孔硅层厚度为11．06μm的样品中，对应的器件电压Vps为30V。