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多次可编程非易失性存储器的数据保持力测试及其激活能分析
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半导体技术 2022年 第1期47卷 65-69页
作者: 王宇龙 王明 成都锐成芯微科技股份有限公司 成都610041
基于180 nm BCD工艺平台设计开发了32 Kibit的多次可编程(MTP)非易失性存储器(NVM)。详细描述了存储单元的结构设计特点、操作机理及影响非易失性的关键因素。测试并量化了其在高温条件下的数据保持力,并根据Arrhenius模型设计了高温... 详细信息
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基于分层编码晶体结构(HECS)描述符的机器学习预测立方相锂-硫银锗矿电解质材料的激活能
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Science Bulletin 2021年 第14期66卷 1401-1408,M0003页
作者: 赵倩 Maxim Avdeev 陈立泉 施思齐 Materials Genome Institute Shanghai UniversityShanghai 200444China Australian Nuclear Science and Technology Organization New Illawarra RdLucas HeightsNSW 2234Australia School of Chemistry The University of SydneySydney 2006Australia Key Laboratory for Renewable Energy Institute of PhysicsChinese Academy of SciencesBeijing 100190China School of Materials Science and Engineering Shanghai UniversityShanghai 200444China
合理设计高离子电导率和低活化(Ea)的固态电解质(SSEs)对全固态电池至关重要.近年来,基于各种描述符的机器学习技术成功地预测了锂离子在SSEs中的传导特性.本文建立了一个通用的基于HECS描述符的机器学习预测无机SSEs材料Ea的框架,并... 详细信息
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新型Co-Al-W合金高温氧化激活能研究
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稀有金属材料与工程 2011年 第4期40卷 701-704页
作者: 徐仰涛 夏天东 赵文军 王晓军 闫健强 兰州理工大学甘肃省有色金属新材料省部共建国家重点实验室 甘肃兰州730050 兰州理工大学有色金属合金及加工教育部重点实验室 甘肃兰州730050
钴-铝-钨合金是一种由γ′-Co3(Al,W)相沉淀强化的新型钴基高温合金。测定了该合金在800和900℃下空气氧化增重动力学数据,通过线性拟合得到合金在不同温度下的氧化速率常数。根据氧化速率常数的Arrhenius关系,计算合金在800和900℃高... 详细信息
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表面制备SiO_2涂层的Ti_2AlNb基合金高温氧化激活能研究
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材料工程 2013年 第7期41卷 6-10页
作者: 任保轶 王思林 刘子儒 张学军 沈阳化工大学应用化学学院 沈阳110142 通用哈电风(沈阳)有限公司 沈阳110168
利用溶胶-凝胶法在Ti2AlNb基合金表面制备非晶SiO2涂层,测定了涂层样品和空白样品在800℃和900℃下空气氧化增重动力学数据,通过线性拟合获取试样在不同温度下的氧化速率常数。根据氧化速率常数的Arrhenius关系,计算试样在800℃和900℃... 详细信息
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VHF-PECVD沉积本征微晶硅薄膜激活能特性研究
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人工晶体学报 2009年 第6期38卷 1424-1428,1432页
作者: 陈庆东 王俊平 李洁 张宇翔 卢景霄 滨州学院物理与电子科学系 滨州256600 郑州大学材料物理教育部重点实验室 郑州450052
采用激活能测试装置测量VHF-PECVD高速沉积的本征微晶硅薄膜,并对不同晶化率的样品和不同沉积功率、不同沉积压强条件下沉积制备的样品的激活能进行了分析研究。结果表明:在非晶-微晶相变域附近,激活能随着晶化率的升高而降低;随着沉积... 详细信息
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电注入着色溴化钾晶体光谱特性及激活能
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人工晶体学报 2014年 第8期43卷 2042-2046页
作者: 宋翠英 天津商业大学物理系 天津300134
利用电注入着色装置,分别使用点阴极与平板阳极和点阳极与平板阴极在不同条件下对溴化钾晶体进行电注入着色。点阴极注入时,在着色晶体中产生V色心和F色心,计算得到F色心激活能0.84 eV。点阳极注入时,在着色晶体中产生V色心,计算得到V... 详细信息
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In气氛下晶体生长对Mg掺杂p-AlxGa1-xN激活能的影响
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发光学报 2010年 第1期31卷 91-95页
作者: 张延召 秦志新 桑立雯 许正昱 于涛 杨子文 沈波 张国义 赵岚 张向锋 成彩晶 孙维国 北京大学物理学院 人工微结构和介观物理国家重点实验室 北京100871 洛阳光电研究所 河南洛阳471009
Ⅲ-Ⅴ族氮化物宽禁带半导体材料体系中,普通方法生长的p型外延层电导率一般都很低,成为了制约器件性提高的瓶颈。在p-AlxGa1-xN材料中,Mg受主的激活能较大,并且随Al组份增加而增大。通过在p-AlxGa1-xN材料生长过程中引入三甲基铟(TMI... 详细信息
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电注入着色氯化钠晶体光谱特性及激活能
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人工晶体学报 2011年 第1期40卷 247-250页
作者: 宋翠英 王瑞 高云娥 成增运 顾洪恩 天津商业大学物理系 天津300134 天津大学物理系 天津300072
用自行研制的电注入装置,在不同条件下对氯化钠晶体进行电注入并使之有效着色。在着色晶体中有效地产生大量F、胶体C和N心,并研究了色心形成机理。对着色氯化钠晶体进行了系统光谱测量确定出这些色心的吸收光谱带光谱参数。通过计算得... 详细信息
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金属玻璃的粘度及粘滞性流变激活能
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金属学报 1982年 第6期18卷 696-702页
作者: 高逸群 郑福前 刘雄 廖宗尧 冶金工业部贵金属研究所
用蠕变法测量了PdCuSi,PdNiSi和CuZr三种金属玻璃在玻璃转变温度附近的粘度-温度依赖关系。在Newtonian粘度范围内,三种玻璃的粘度-温度依赖关系均可用Fulcher-Vogel方程进行描述。方程中的常数由实验曲线所确定,并由此计算出这些玻璃... 详细信息
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生物热动力学研究——大肠杆菌生长速率和激活能
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物理化学学报 1987年 第2期3卷 113-115页
作者: 汤厚宽 谢昌礼 宋昭华 屈松生 廖耀庭 刘海水 武汉大学化学系 广州军区第一陆军医院 广州军区第一陆军医院 武汉
大肠杆菌生长的全热谱已被测定,再进一步根据其指数生长期的热谱信息,确定了它的生长速率和激活能。在指数生长期,细菌数按指数规律增加,可用下式表示:nt=n0ekt(1)式中:t为指数生长期开始后的某一时间,n0,nt分别为指数生长期开始时和... 详细信息
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