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何亮:传道授业耕耘科研

科学中国人 2017年第9X期 42-44页

作者：肖贞林

在加州大学洛杉矶分校一间150多平方米的器件研究室里,一名博士后研究员,常常为了研究一个新材料,通宵达旦,甚至可以连续工作30个小时以上。这个'拼命三郎'就是如今南京大学电子科学与工程学院教授何亮。何亮毕业于美国北卡罗来纳大学... 详细信息

在加州大学洛杉矶分校一间150多平方米的器件研究室里,一名博士后研究员,常常为了研究一个新材料,通宵达旦,甚至可以连续工作30个小时以上。这个'拼命三郎'就是如今南京大学电子科学与工程学院教授何亮。何亮毕业于美国北卡罗来纳大学教堂山分校凝聚态物理专业,其间致力于通过分子束外延技术生长半导体薄膜材料,擅长研究材料的物理性质和制备微纳米原型器件。多年来。

关键词：拓扑绝缘体电子器件量子自旋霍尔效应自旋电子材料物理分子束外延技术薄膜材料生长机理材料生长半导体材料北卡罗来纳大学传道授业

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半导体SiC材料研究进展及其应用

科技创新导报 2008年第1期5卷 8-9页

作者：王辉琚伟伟刘香茹陈庆东尤景汉巩晓阳河南科技大学河南洛阳471003

作为第三代的半导体材料,SiC具有带隙宽、热导率高、电子的饱和漂移速度大、临界击穿电场高和介电常数低、化学稳定性好等特点,在高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体器件及紫外探测器等方面具有广泛的应用前景。文章综述了碳化硅的... 详细信息

作为第三代的半导体材料,SiC具有带隙宽、热导率高、电子的饱和漂移速度大、临界击穿电场高和介电常数低、化学稳定性好等特点,在高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体器件及紫外探测器等方面具有广泛的应用前景。文章综述了碳化硅的发展历史,介绍了SiC材料的生长工艺技术,并简要讨论了SiC器件主要应用领域和前景。

关键词：碳化硅材料生长器件

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氨热法生长大GaN晶体展望

现代材料动态 2008年第3期 5-7页

作者：邓志杰（摘译）

宽带隙Ⅲ族氮化物（AIN，GaN和InN）器件工艺进展比其大尺寸体单晶材料生长快得多。由于缺乏热和晶格匹配衬底，影响了低成本、低缺陷（低损耗）器件的生产。一个有希望的批量生产大尺寸Ⅲ族氮化物单晶的方法是高压条件下利用超临界氨... 详细信息

宽带隙Ⅲ族氮化物（AIN，GaN和InN）器件工艺进展比其大尺寸体单晶材料生长快得多。由于缺乏热和晶格匹配衬底，影响了低成本、低缺陷（低损耗）器件的生产。一个有希望的批量生产大尺寸Ⅲ族氮化物单晶的方法是高压条件下利用超临界氨的氨热技术。已用水热法生长出直径3英寸（0001）ZnO晶体。最近，首次用氨热法生长出直径1英寸（0001）GaN晶体。

关键词： ZnO晶体材料生长水热法 GaN Ⅲ族氮化物氨展望批量生产

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薄膜太阳能电池高级表征技术

国外科技新书评介 2011年第10期 3-4页

作者： Danial Abou-Ras（等）杜利东不详中国科学院电子学研究所

薄膜太阳能电池是指用硅、硫化镉、砷化镓等薄膜为材料的太阳能电池；可用玻璃、塑料、陶瓷、石墨、金属片等不同材料当基板，使用各式各样的沉积技术把P型或N型材料生长上去形成厚度仅数微米的可产生电压的薄膜，和硅晶圆太阳能电池相... 详细信息

薄膜太阳能电池是指用硅、硫化镉、砷化镓等薄膜为材料的太阳能电池；可用玻璃、塑料、陶瓷、石墨、金属片等不同材料当基板，使用各式各样的沉积技术把P型或N型材料生长上去形成厚度仅数微米的可产生电压的薄膜，和硅晶圆太阳能电池相比具有在同一受光面积之下功率损失较小、照度相同下损失的功率少、

关键词：薄膜太阳能电池表征技术材料生长功率损失沉积技术硅晶圆硫化镉砷化镓

AlGaN PIN结构紫外探测器研制和建模分析

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微纳电子技术 2003年第7期40卷 422-425页

作者：周劲郝一龙武国英北京大学微电子学系MEMS研究所北京100871

紫外探测器在军事高科技和民品市场的紫外通信和成像方面具有很高的价值。探讨了Al GaNpin紫外探测器的制作工艺和材料及结构对器件性能的影响。提出改进

关键词： AlGaN PIN结构紫外探测器铝镓氮化合物性能材料生长

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氮化镓衬底晶片实现“中国造”

半导体信息 2018年第1期 7-8页

苏州纳维依托中科院苏州纳米所而建。作为中国首家氮化镓衬底晶片供应商，团队从氮化镓单晶材料气相生长的设备开始研发，逐步研发成功1英寸、2英寸、4英寸、6英寸氮化镓单晶材料，实现了氮化镓单晶材料生长的n型掺杂、补偿掺杂，研制... 详细信息

苏州纳维依托中科院苏州纳米所而建。作为中国首家氮化镓衬底晶片供应商，团队从氮化镓单晶材料气相生长的设备开始研发，逐步研发成功1英寸、2英寸、4英寸、6英寸氮化镓单晶材料，实现了氮化镓单晶材料生长的n型掺杂、补偿掺杂，研制出高电导率的和半绝缘的氮化镓单晶。

关键词：氮化镓中国晶片衬底单晶材料 n型掺杂气相生长材料生长

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砷化镓量子点太阳电池及材料的研究现状

太阳能 2010年第11期 26-30页

作者：李烨涂洁磊云南师范大学太阳能研究所教育部可再生能源材料先进技术与制备重点实验室云南省农村能源工程重点实验室

介绍了目前砷化镓量子点太阳电池的研究现状,主要包括:量子点太阳电池理论分析、量子点结构材料生长与性能表征、量子点太阳电池器件结构设计与制备技术三方面。此外,在对目前研究中所存在的难点问题进行分析后,认为制备高质量的量子点... 详细信息

介绍了目前砷化镓量子点太阳电池的研究现状,主要包括:量子点太阳电池理论分析、量子点结构材料生长与性能表征、量子点太阳电池器件结构设计与制备技术三方面。此外,在对目前研究中所存在的难点问题进行分析后,认为制备高质量的量子点结构材料以及优化量子点太阳电池结构设计是目前获得高性能量子点电池的关键。

关键词：量子点砷化镓太阳电池材料生长结构设计

中国科学院半导体研究所最新科技成果推介(1)

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泰州科技 2010年第5期 34-36页

MOCVD材料生长等重大装备项目当今世界上生产半导体光电器件和微波器件材料的主要手段,是当今信息产业发展、国防高新技术突破不可缺少的战略性高技术。实现了衬底机座的公转／自传独立调节、具有低成本的新型原料配送结构等功能，并生... 详细信息

MOCVD材料生长等重大装备项目当今世界上生产半导体光电器件和微波器件材料的主要手段,是当今信息产业发展、国防高新技术突破不可缺少的战略性高技术。实现了衬底机座的公转／自传独立调节、具有低成本的新型原料配送结构等功能，并生产出性能优良的氮化镓基材料。目前具有新颖结构设计、具有独立自主知识产权的新型6片型MOCVD系统原型机即将研制成功并投入使用，为国产化MOCVD设备的产业化发展奠定了坚实基础。

关键词：中国科学院半导体研究所科技成果 MOCVD系统半导体光电器件 MOCVD设备材料生长信息产业发展自主知识产权

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中国科学院半导体材料科学实验室

电子商务 1996年第1期 40-41页

中国科学院半导体材料科学实验室研究方向薄层、超薄层半导体异质结构材料、特种薄膜材料以及空间微重力等特殊条件下化合物半导体材料生长工艺、生长机理及其性质的研究；发展材料生长新技术，探索研制新型半导体材料，为新型固态器件... 详细信息

中国科学院半导体材料科学实验室研究方向薄层、超薄层半导体异质结构材料、特种薄膜材料以及空间微重力等特殊条件下化合物半导体材料生长工艺、生长机理及其性质的研究；发展材料生长新技术，探索研制新型半导体材料，为新型固态器件和基础理论研究打下基础。主要研究领...

关键词：半导体材料微重力电工材料超薄层材料生长科学院中华人民共和国