半导体SiC材料研究进展及其应用
作者机构：河南科技大学河南洛阳471003
出 版 物：《科技创新导报》 (Science and Technology Innovation Herald)
年 卷 期：2008年第5卷第1期
页 面：8-9页
学科分类：081702[工学-化学工艺] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术]
摘 要：作为第三代的半导体材料,SiC具有带隙宽、热导率高、电子的饱和漂移速度大、临界击穿电场高和介电常数低、化学稳定性好等特点,在高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体器件及紫外探测器等方面具有广泛的应用前景。文章综述了碳化硅的发展历史,介绍了SiC材料的生长工艺技术,并简要讨论了SiC器件主要应用领域和前景。
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