AlGaN PIN结构紫外探测器研制和建模分析
Analysis of model and fabrication of AlGaN based PIN ultraviolet detectors作者机构：北京大学微电子学系MEMS研究所北京100871
出 版 物：《微纳电子技术》 (Micronanoelectronic Technology)
年 卷 期：2003年第40卷第7期
页 面：422-425页
学科分类：080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 0803[工学-光学工程]
主 题：AlGaN PIN结构 紫外探测器 铝镓氮化合物 性能 材料生长
摘 要：紫外探测器在军事高科技和民品市场的紫外通信和成像方面具有很高的价值。探讨了Al GaNpin紫外探测器的制作工艺和材料及结构对器件性能的影响。提出改进
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