检索结果-南通市图书馆

Journal of Semiconductors 1997年第11期18卷 811-813页

作者：史志强刘克源王学恩刘兴胜杨子强陕西师范大学物理系西安710062 西北大学电子科学系西安710069

在室温下测量了掺氧非晶硅薄膜的正电子寿命谱．实验发现，随着掺氧量的增加，正电子寿命减小，对应的相对强度增加．据此，本文从电子密度、悬挂键和微空洞等方面讨论了氧掺杂对非晶硅薄膜微观结构的影响．

关键词：非晶硅掺氧正电子寿命

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LPCVD掺氧多晶硅薄膜淀积及其特性

半导体技术 1990年第4期6卷 51-55,46页

作者：潘尧令王云珍上海科技大学(分部)技术物理系华东师范大学电子科学技术系

本文对LPCVD掺氧多晶硅的工艺特性进行了研究,尤其是分析和讨论了在LPCVD系统中淀积温度、反应气体流量比(N_2O/SiH_4)及硅烷(SiH_4)流量对SIPOS薄膜的工艺参数及薄膜性质的影响,并对LPCVD-SIPOS的有关性质进行了讨论。

关键词：多晶硅薄膜掺氧淀积 LPCVD

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LPCVD掺氧多晶硅电学特性研究

电子科学学刊 1991年第4期13卷 372-377页

作者：潘尧令王云珍王济身华东师范大学电子科学技术系

本文通过测量电导率特性对LPCVD掺氧多晶硅(SIPOS)的电学特性进行了研究。结果表明,SIPOS的电学特性与其含氧量和退火温度有关。SIPOS的含氧量增加,其电导率下降;在退火过程中,随退火温度的不同,SIPOS的电导率的变化存在两个不同过程:... 详细信息

本文通过测量电导率特性对LPCVD掺氧多晶硅(SIPOS)的电学特性进行了研究。结果表明,SIPOS的电学特性与其含氧量和退火温度有关。SIPOS的含氧量增加,其电导率下降;在退火过程中,随退火温度的不同,SIPOS的电导率的变化存在两个不同过程:低温退火过程中,电导率的变化与SIPOS中的Si-O键的分布和作用有关;而在高温退火过程中,电导率的变化则是SIPOS薄膜再结晶的结果。本文对SIPOS的掺杂效应也进行了研究。结果表明,SIPOS掺杂后电导率明显提高;而含氧量对掺杂后的SIPOS的电导率的提高具有明显的抑制作用。

关键词：掺氧多晶硅汽相淀积电学特性

非晶硅/晶体硅异质结太阳电池本征钝化层掺氧性能研究

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非晶硅/晶体硅异质结太阳电池本征钝化层掺氧性能研究

作者：赵百华南昌大学

学位级别：硕士

非晶硅/晶体硅异质结太阳电池(SHJ)因其高转化效率、高开压等优势有望成为未来光伏技术发展的主流产品。之所以具有如此高的转化效率与其电池结构中的本征非晶硅薄膜(钝化层)密不可分,该钝化层极大地提高了界面钝化性能。然而非晶硅薄... 详细信息

非晶硅/晶体硅异质结太阳电池(SHJ)因其高转化效率、高开压等优势有望成为未来光伏技术发展的主流产品。之所以具有如此高的转化效率与其电池结构中的本征非晶硅薄膜(钝化层)密不可分,该钝化层极大地提高了界面钝化性能。然而非晶硅薄膜本身具有的寄生吸收会导致太阳电池中短路电流的降低进而影响转化效率。为了提高薄膜钝化性能及减少光学损失。本文通过HWCVD(热丝化学气相沉积)法使用CO作为氧源主要对以c-Si(n)为衬底的后发射极异质结太阳电池n-α-Si:H薄膜侧钝化层进行掺氧处理形成本征掺氧非晶硅薄膜(i-α-SiOx:H)以拓宽薄膜带隙减少光学损失提高电池效率。将该层分为i较薄和i较厚的两层;研究i层和(i+i)双层两种掺氧结构对整个钝化层与太阳电池性能的影响。以及在掺氧钝化层结构优化的基础上研究热丝电流及氢稀释对掺氧后钝化层薄膜及太阳电池性能的影响;最后初步探讨了对p-α-Si:H侧钝化层进行掺氧后薄膜性能表现。主要结论如下:(1)当n-α-Si:H薄膜侧钝化层(i)进行掺氧时,在镀膜工艺中CO流量为4sccm时,薄膜综合性能表现最佳,电池效率达到最高;此时整个钝化层的微结构因子R为0.21;平均电池效率(Eff)为24.16%比不掺氧时的23.86%高了0.30%的效率,Voc和Jsc分别为739.7m V、39.50m A/cm比i层不掺氧时的734.7m V、39.28m A/cm分别高出了5m V、0.22m A/cm。经过光注入退火增效后,Eff都提高了0.17%左右;分别达到了24.33%、24.03%。(2)将(i+i)双层进行掺氧时,当镀膜工艺中CO流量控制分别为,i为4sccm、i为8sccm时;薄膜综合性能表现最佳,电池效率达到最高的;此时整个钝化层的微结构因子R为0.38;平均Eff为24.23%比只i层掺氧时的24.16%高了0.07%的效率,Voc为743.9m V比只i层掺氧时的739.7m V高了4.2m V,而此时的Jsc为39.33m A/cm比只i层掺氧时的39.50m A/cm降低了0.17m A/cm;经过光注入退火增效后,Eff达到了24.40%。通过不同掺氧结构对比发现i掺氧和(i+i)结构掺氧在Jsc、Voc上均有提升;但相对于只对i层掺氧时(i+i)双层掺氧Voc上提升幅度更大;而只对i层掺氧时Jsc提升更大。(3)热丝电流和氢稀释对薄膜及太阳电池器件具有重要影响,当热丝电流为30A时掺氧钝化层薄膜质量最好,此时R为0.33,Eg达到最大,薄膜厚度随着电流增大而增大;电池效率达到最高为24.21%;光注入退火增效后达到了24.34%。氢稀释流量为16sccm时薄膜质量及钝化效果最好,此时R为0.28;薄膜厚度随着氢流量的增加而降低;经过光注入退火后Eff达到了24.49%的高效率。最终确定当镀膜工艺i层气体流量比为SiH:CO:H=20sccm:4sccm:0sccm;i层气体流量比为SiH:CO:H=20sccm:8sccm:16sccm;热丝电流大小为30A时沉积的掺氧钝化层薄膜与器件具有最佳性能表现。(4)p-α-Si:H薄膜侧钝化层掺氧会导致薄膜的钝化质量严重下降,随着镀膜气体CO流量的增加,R也随之上升,最高达0.56;少子寿命由不掺氧时的3461μs,下降到最低时的727μs。

关键词：晶硅异质结太阳电池本征非晶硅薄膜 HWCVD 掺氧

掺氧多晶硅膜的研究和在高压平面器件中的应用

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上海半导体 1992年第4期 8-11页

作者：仇卫平徐志平

用掺氧无定型硅减小平面半导体器件的表面电场

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上海半导体 1991年第3期 46-52页

作者：黄碧琳王云珍

2009048控温掺氧式燃气热解炉分解原生金矿一氰化法提金工艺

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中国有色冶金 2009年第5期38卷 79-79页

本发明涉及黄金的提取工艺，特别是一种控温掺氧式燃气热解炉分解原生金矿一氰化法提金工艺。将燃煤炉产生的高温燃气补充空气并预冷却至450～850℃后作为热解气导人热解炉，对原生金矿进行热力分解和氧化分解，使它变成金矿熟料。将热... 详细信息

本发明涉及黄金的提取工艺，特别是一种控温掺氧式燃气热解炉分解原生金矿一氰化法提金工艺。将燃煤炉产生的高温燃气补充空气并预冷却至450～850℃后作为热解气导人热解炉，对原生金矿进行热力分解和氧化分解，使它变成金矿熟料。将热解后的金矿熟料粉碎至－5mm，放入氰化池，用氰化钠溶液浸泡提金。

关键词：原生金矿提金工艺高温燃气氧化分解热解炉氰化法掺氧控温

控温掺氧式燃气热解炉分解原生金矿——氰化法提金工艺

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黄金科学技术 2005年第4期13卷 31-31页

作者：张至德

本发明涉及黄金的提取工艺，特别是一种控温掺氧式燃气热解炉分解原生金矿——氰化法提金工艺。将燃煤炉产生的高温燃气补充空气并预冷却至450～850℃后作为热解气导人热解炉，对原生金矿进行热力分解和氧化分解，使它变成金矿熟料。将... 详细信息

本发明涉及黄金的提取工艺，特别是一种控温掺氧式燃气热解炉分解原生金矿——氰化法提金工艺。将燃煤炉产生的高温燃气补充空气并预冷却至450～850℃后作为热解气导人热解炉，对原生金矿进行热力分解和氧化分解，使它变成金矿熟料。将热解后的金矿熟料粉碎至-5mm，放人氰化池，用氰化钠溶液浸泡提金。热解金矿后的废气送至废气净化段，加入石灰粉，将废气中的SO2和As2O3转变为不溶性的无公害固体物——亚硫酸钙和亚砷酸钙，经布袋除尘滤除（或淋洗塔脱尘）后排入大气。

关键词：原生金矿氧化分解提金工艺高温燃气热解炉氰化法掺氧控温废气净化

Anomalous low-temperature transport property of oxygen containing high-entropy Ti-Zr-Hf-Cu-Ni metallic glass thin films

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Science China Materials 2019年第6期62卷 907-912页

作者： Shaofan Zhao Pengfei Wang Xiang Cheng Yingqi Zhang Zhuoqun Wen Qi Zhang Ke-Fu Yao Na Chen Wei-Hua Wang Qian Xuesen Laboratory of Space Technology School of Materials Science and Engineering Tsinghua University Institute of Physics Chinese Academy of Sciences

Lacking structural periodicity of long-range order induces unusual physical properties in metallic glasses (MGs). Specifically, the low-temperature electron transport behavior of MGs has triggered fundamental interest in solid-state physics. MGs exist as strong scattering systems since their electron mean free paths are com? parable to the average interatomic distances . The temperature coefficient of resistivity (TCR, defined as a =(l/p)(8p/8T)) in these systems can be positive or negative depending on their Fermi level positions .

关键词：非晶合金薄膜输运行为高熵低温掺氧异常诱导电子自旋

a-Si:H基薄膜中SiH及SiH_2键构成对n型直拉单晶硅片钝化效果的影响研究

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真空科学与技术学报 2015年第8期35卷 970-974页

作者：何玉平黄海宾龚洪勇周浪南昌大学光伏研究院南昌330031 南昌工程学院理学院南昌330099

n型单晶硅表面本征非晶硅基薄膜（a-Si∶H）的钝化作用是高效率非晶硅/晶体硅异质结太阳电池的关键。本文采用掺氧和热处理的方式改变本征非晶硅基薄膜（a-Si∶H）样品中SiH和SiH2键构成,利用Sinton WCT-120少子寿命测试仪及傅里叶红外... 详细信息

n型单晶硅表面本征非晶硅基薄膜（a-Si∶H）的钝化作用是高效率非晶硅/晶体硅异质结太阳电池的关键。本文采用掺氧和热处理的方式改变本征非晶硅基薄膜（a-Si∶H）样品中SiH和SiH2键构成,利用Sinton WCT-120少子寿命测试仪及傅里叶红外光谱测试仪分析样品性能,研究SiH和SiH2键构成对n型直拉单晶硅片（n-Cz-Si）表面钝化效果的影响。结果表明：1掺氧和热处理均会增加a-Si∶H中SiH2键相对于SiH键的比例;2在200-350℃范围内,随着热处理温度的升高,薄膜中SiH2键相对于SiH键的比例增加,薄膜对n-Cz-Si的钝化效果先变好,在275℃时达到极值后变差;3a-Si∶H薄膜中SiH2键和SiH键的相对含量对n-Cz-Si表面的钝化效果有直接的影响,根据实验结果,SiH2与SiH键相对含量在一定范围时钝化效果最好,过高或过低均不利于钝化。

关键词：掺氧热处理本征非晶硅薄膜钝化 SiH键 SiH2键