掺氧非晶硅的正电子寿命研究
Positron Lifetime Studies on Oxygen-Doped Amorphous Silicon Films作者机构：陕西师范大学物理系西安710062 西北大学电子科学系西安710069
出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)
年 卷 期：1997年第18卷第11期
页 面：811-813页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
摘 要：在室温下测量了掺氧非晶硅薄膜的正电子寿命谱．实验发现，随着掺氧量的增加，正电子寿命减小，对应的相对强度增加．据此，本文从电子密度、悬挂键和微空洞等方面讨论了氧掺杂对非晶硅薄膜微观结构的影响．
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