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SnO_(2)和TiO_(2)薄膜在钙钛矿材料上的原子层沉积工艺

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河北大学学报（自然科学版） 2022年第4期42卷 370-375页

作者：罗浩张慧玉刘红燕刘海旭路万兵河北大学物理科学与技术学院河北省光电信息材料重点实验室河北保定071002

金属电极与卤素之间的扩散反应是造成钙钛矿太阳电池(PSC)衰退的重要因素,而利用原子层沉积(ALD)技术在金属电极和钙钛矿活性层之间沉积致密且电学性能良好的缓冲层,是解决上述问题的优选方案之一.本文主要研究了利用ALD技术在金属有机... 详细信息

金属电极与卤素之间的扩散反应是造成钙钛矿太阳电池(PSC)衰退的重要因素,而利用原子层沉积(ALD)技术在金属电极和钙钛矿活性层之间沉积致密且电学性能良好的缓冲层,是解决上述问题的优选方案之一.本文主要研究了利用ALD技术在金属有机卤化物钙钛矿材料上沉积SnO_(2)和TiO_(2)薄膜的工艺兼容性问题.通过X线衍射和紫外-可见吸收光谱等技术,表征了分别作为钛源和锡源的四(二甲氨基)钛(TDMATi)和四(二甲氨基)锡(TDMASn)脉冲以及不同温度下水脉冲对钙钛矿薄膜结构的影响,分析了不同前驱体源的脉冲及吹扫时间对薄膜沉积模式的影响,获得了与钙钛矿材料相兼容的SnO_(2)和TiO_(2)薄膜的优化ALD工艺.将优化后的SnO_(2)和TiO_(2)薄膜ALD工艺应用于倒置PSC制备,对电池的J-V曲线和大气环境下的稳定性测试结果表明,基于ALD技术沉积的SnO_(2)和TiO_(2)缓冲层的引入,使得PSC的稳定性明显改善,而且其功率转换效率也有所提高.

关键词：钙钛矿原子层沉积工艺兼容性稳定性

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光电互联组装工艺流程设计

电讯技术 2008年第12期48卷 75-78页

作者：阎德劲郑大安谢明华中国西南电子技术研究所成都610036

光电互联技术是解决电子设备向高频率、高速度、高集成发展瓶颈的关键技术,而组装工艺技术在光电互联中处于重要地位。针对光电互联要求高精度定位、高兼容性的特点,在分析光电互联技术原理的基础上,从新的角度提出光电互联的组装工艺难... 详细信息

光电互联技术是解决电子设备向高频率、高速度、高集成发展瓶颈的关键技术,而组装工艺技术在光电互联中处于重要地位。针对光电互联要求高精度定位、高兼容性的特点,在分析光电互联技术原理的基础上,从新的角度提出光电互联的组装工艺难题,提出组装工艺解决方案,设计关键组装工艺流程。分析表明,通过控制组装工艺关键技术参数,设计合理的组装工艺流程,能够解决所提出的新组装工艺难题,满足基于光波导的光电互联技术的组装要求。

关键词：光电互联高精度对准工艺兼容性工艺流程设计

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AlGaN/GaN异质结构欧姆接触的研制

固体电子学研究与进展 2004年第1期24卷 142-144页

作者：焦刚曹春海薛舫时杨立杰王泉慧王柏年金龙张卫红沈波周玉刚郑有炓南京电子器件研究所南京210016 南京大学物理系南京210093

研究了 Ga N高温宽禁带半导体外延层上欧姆接触的制备工艺 ,讨论了几种测试方法的优缺点 ,并根据器件制作的工艺兼容性 ,在 n-Ga N样品上获得了 4× 1 0 - 6 Ω·cm2的欧姆接触 ,在 Al Ga N/Ga N异质结构样品上获得了 4× 1 0 - 4Ω· c... 详细信息

研究了 Ga N高温宽禁带半导体外延层上欧姆接触的制备工艺 ,讨论了几种测试方法的优缺点 ,并根据器件制作的工艺兼容性 ,在 n-Ga N样品上获得了 4× 1 0 - 6 Ω·cm2的欧姆接触 ,在 Al Ga N/Ga N异质结构样品上获得了 4× 1 0 - 4Ω· cm2 的欧姆接触。实验结果表明 ,Al Ga N/Ga N上低阻欧姆接触的制备及其工艺兼容性是Ga N

关键词：欧姆接触工艺兼容性 AlGaN/GaN 异质结构 HFET

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石墨烯基电子学研究进展(续)

微纳电子技术 2010年第11期47卷 653-658页

作者：袁明文中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051

4 石墨烯的应用尽管纳米管具有许多独特的优点,但石墨烯与其相比具有无可比拟的优势,如在制作复杂电路时若采用纳米管,则必须经过仔细筛选和定位,目前还没有开发出有效的方法,而采用石墨烯工艺较为简单和容易得多;石墨烯平面型材料与传... 详细信息

4 石墨烯的应用尽管纳米管具有许多独特的优点,但石墨烯与其相比具有无可比拟的优势,如在制作复杂电路时若采用纳米管,则必须经过仔细筛选和定位,目前还没有开发出有效的方法,而采用石墨烯工艺较为简单和容易得多;石墨烯平面型材料与传统的半导体器件CMOS等的平面化工艺兼容性较好.

关键词：石墨电子学工艺兼容性烯基半导体器件复杂电路 CMOS 纳米管

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MEMS技术在非制冷红外探测器中的应用

半导体技术 2004年第10期29卷 27-30,34页

作者：阳启明张剑铭杨道虹徐晨沈光地北京工业大学电子信息与控制工程学院

随着微探测器的广泛应用,M E M S 技术因其微小、智能、可执行、可集成、工艺兼容性好、成本低等特点,被越来越多地应用于微探测器的制造工艺中,为该领域的研究提供了新途径。本文简要介绍了 MEMS 技术的工艺及其主要特点,并对 MEMS 技... 详细信息

随着微探测器的广泛应用,M E M S 技术因其微小、智能、可执行、可集成、工艺兼容性好、成本低等特点,被越来越多地应用于微探测器的制造工艺中,为该领域的研究提供了新途径。本文简要介绍了 MEMS 技术的工艺及其主要特点,并对 MEMS 技术在非制冷红外探测器研制方面的应用作了比较详细的阐述。

关键词：非制冷红外探测器 MEMS技术工艺兼容性制造工艺集成智能新途径领域主要特点

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一种具有小数分频功能的锁相环的设计与实现

一种具有小数分频功能的锁相环的设计与实现

作者：曾然电子科技大学

学位级别：硕士

在现代电子系统中,锁相环电路有着广泛的应用。而随着现代通信技术的快速发展,对锁相环电路提出了更高的要求。在许多应用中,需要锁相环具有很高的频率分辨率,然而当频率分辨率提高也就是频率步进变小时,输出频率与输入参考频率之间的... 详细信息

在现代电子系统中,锁相环电路有着广泛的应用。而随着现代通信技术的快速发展,对锁相环电路提出了更高的要求。在许多应用中,需要锁相环具有很高的频率分辨率,然而当频率分辨率提高也就是频率步进变小时,输出频率与输入参考频率之间的分频比也会增加,相位噪声将会随之变大。为了同时实现较小的噪声和较高的频率分辨率,需要使用小数分频技术来满足设计要求。由于锁相环的应用广泛,为了节约后期应用中的研发时间,所以电路和版图需要具有一定的工艺兼容性、设计冗余和模块化设计。本论文正是针对上述问题,以一种具有小数分频功能的锁相环的设计与实现为研究对象,对锁相环电路的电路设计、版图设计和流片后的芯片测试进行了详细的讨论和说明。主要内容为:1.讨论锁相环路的模拟电路设计。根据锁相环的基础结构提出了一种锁相环电路的设计,并对各个模块的设计进行了说明。该电路设计具有一定的设计冗余,并且按照各大主流工艺厂不同特征尺寸下的电学设计规则对器件的一些最小尺寸进行了规定,以方便后期在不同的工艺制程下的应用。2.讨论了数字小数分频器的设计。使用小数分频技术,可以使用较小的分频比实现较高的频率分辨率。同时使用了Sigma-Delta算法进行数字小数分频器的设计,使得系统噪声可以最大限度地降低。3.介绍了锁相环电路的版图设计。根据电路设计的要求进行了完整的版图设计和测试芯片的设计。该版图的各个功能模块进行了模块化设计,方便了后期进行电路功能的增减。同时根据各大主流工艺厂的设计规则要求对图形的最小尺寸进行了限制,使得版图具备了一定的工艺兼容性,方便今后在不同的工艺厂流片。4.讨论了流片后的芯片的测试方法和测试结果。根据后期应用的电学性能要求进行了功耗测试、电压组合测试、多片测试、时钟抖动测试、高低温测试和锁定范围测试等多种测试。并对测试结果进行了定量分析,为日后的电路和版图的改进提供了一定的参考。并且对电路完全相同的180nm和160nm的两种制程下的芯片同时进行了测试以证明电路具有一定的设计冗余和工艺兼容性。

关键词：锁相环电路小数分频工艺兼容性版图测试

同方学位论文库评论

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同方学位论文库

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技术释疑——为您解决生产技术疑难

现代表面贴装资讯 2011年第5期10卷 58-59页

问题1：手机组装中常见的工艺问题有哪些，其产生的主要原因是什么？解答：手机板由于生产批量大及元件工艺兼容性比较好，就整个业界看，直通率都比较高，平均来说一般超过99％。焊接问题总的来说不多，主要集中在PCB、屏蔽框、连接器... 详细信息

问题1：手机组装中常见的工艺问题有哪些，其产生的主要原因是什么？解答：手机板由于生产批量大及元件工艺兼容性比较好，就整个业界看，直通率都比较高，平均来说一般超过99％。焊接问题总的来说不多，主要集中在PCB、屏蔽框、连接器、EMI器件上。

关键词：生产技术工艺兼容性工艺问题生产批量焊接问题直通率 PCB 连接器

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新型埋入电容材料

印制电路信息 2002年第1期10卷 46-48页

作者：蔡积庆

1 前言20世纪90年代中期以来,3M公司一直致力于埋入电容材料的研制.这次研究工作包括了DARPA程序(PlanarCapacitorLayerforMixedSignal MCMS;Contract No.N66001-96-C-8613)与电源去耦(power supply decoupling)用的埋入电容(NCMS Embed... 详细信息

关键词：埋入电容材料电路板多层板工艺兼容性噪声电性能

Memoir Systems:开创存储器变革新篇章

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电脑与电信 2012年第12期 1-4页

作者：黄俏丹不详

当前，存储器发展的一个方向是朝着“利用新的物理规律，研发新的存储器结构”迈进，如相变存储器，电熔断存储器，阻抗存储器．磁性随机存储器MRAM等等，这一方向极人地丰富了现有存储器的种类，展现了繁多的存储器特色，但有两个缺陷... 详细信息

当前，存储器发展的一个方向是朝着“利用新的物理规律，研发新的存储器结构”迈进，如相变存储器，电熔断存储器，阻抗存储器．磁性随机存储器MRAM等等，这一方向极人地丰富了现有存储器的种类，展现了繁多的存储器特色，但有两个缺陷是致命的：与CMOS工艺兼容性，生产效率。最近有一个新的趋势渐渐浮出水面，那就是算法存储器（Algorithmic Memory）。这是一种新的思路，

关键词：存储器结构 Systems 磁性随机存储器革新相变存储器工艺兼容性物理规律 MRAM