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单电子晶体管/场效应管混合存储单元数值分析

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上海交通大学学报 2000年第2期34卷 161-168页

作者：郭靖蒋建飞蔡琪玉上海交通大学微电子研究所上海200030

基于背景电荷不敏感单电子晶体管／场效应晶体管混合存储单元利用单电子晶体管源漏电流随栅电压周期振荡的特性工作，以半经典的单电子正统理论为基础，采用计算机数值模拟的方法，分析了背景电荷不敏感单电子晶体管／常规场效应晶体管... 详细信息

基于背景电荷不敏感单电子晶体管／场效应晶体管混合存储单元利用单电子晶体管源漏电流随栅电压周期振荡的特性工作，以半经典的单电子正统理论为基础，采用计算机数值模拟的方法，分析了背景电荷不敏感单电子晶体管／常规场效应晶体管混合存储单元的工作原理和基本特性．提出了存储单元中分别以三结电容耦合单电子晶体管和单电子旋转栅替代双结单电子晶体管的新结构，其主要思想是通过增加单电子器件中的串联隧道结数来抑制各种噪声．模拟结果表明，新结构的系统性能，特别是抗噪声性能有一定提高．

关键词：单电子晶体管混合存储单元场效应管数值分析

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单电子晶体管隧穿电阻的量子计算

西安电子科技大学学报 2002年第3期29卷 314-318页

作者：杜磊庄奕琪西安电子科技大学技术物理学院陕西西安710071

单电子晶体管是一种新型量子器件 ,有可能代替当前集成电路中的硅晶体管 .这种器件的工作原理是单电子通过电极与库仑岛之间势垒层的隧道贯穿量子效应 .但是 ,描述单电子晶体管I V特性的正统理论却是一种唯象理论 ,对于半导体单电子晶... 详细信息

单电子晶体管是一种新型量子器件 ,有可能代替当前集成电路中的硅晶体管 .这种器件的工作原理是单电子通过电极与库仑岛之间势垒层的隧道贯穿量子效应 .但是 ,描述单电子晶体管I V特性的正统理论却是一种唯象理论 ,对于半导体单电子晶体管往往只能给出定性的结果 ,不能给出隧道结电阻的微观解释及定量计算方法 .文中从单电子晶体管微观哈密顿量出发 ,推导基于微观参量表征的单电子器件输运特性公式及隧道结电阻表示式 .在此基础上 ,研究了隧穿电阻的特性及量子力学的计算方法 .计算结果与实验结果符合较好 ,可用于分析单电子晶体管栅极几何设计参量对于其I V特性的影响 .

关键词：单电子晶体管隧穿电阻量子计算库仑阻断微扰论

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单电子晶体管的数值模拟及特性分析

固体电子学研究与进展 2006年第3期26卷 300-303,363页

作者：张立辉李志刚刘明谢常青叶甜春中国科学院微电子研究所北京100029

在正统单电子理论的基础上,使用主方程方法,对金属隧道结组成的单电子晶体管进行了I-Vg和I-Va特性曲线的数值模拟。在单电子晶体管中,电子能否隧穿通过势垒,主要是由电子隧穿引起的系统自由能的变化而决定的。文中从自由能量出发对器件... 详细信息

在正统单电子理论的基础上,使用主方程方法,对金属隧道结组成的单电子晶体管进行了I-Vg和I-Va特性曲线的数值模拟。在单电子晶体管中,电子能否隧穿通过势垒,主要是由电子隧穿引起的系统自由能的变化而决定的。文中从自由能量出发对器件特性进行分析,从而得到电容、电阻以及电压等参数对库仑台阶及电导振荡的影响。当两个结电阻不同时,能够看到明显的库仑台阶现象。具有较大结电阻的隧穿结,电容也较大时可以完善库仑台阶,优化单电子晶体管的曲线。

关键词：单电子晶体管正统理论主方程方法

单电子晶体管-金属氧化物半导体场效应晶体管多峰值负微分电阻器件

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物理学报 2003年第7期52卷 1766-1770页

作者：张志勇王太宏中国科学院物理研究所北京100080

传统的共振隧穿二极管的多峰值负微分电阻器件的峰值数目受到限制 ,由单电子器件和传统的金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)器件组成的多峰值负微分电阻器件在原理上具有无穷多个峰值 ,并且MOSFET使单电子晶体管 (SET)的峰值和谷... 详细信息

传统的共振隧穿二极管的多峰值负微分电阻器件的峰值数目受到限制 ,由单电子器件和传统的金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)器件组成的多峰值负微分电阻器件在原理上具有无穷多个峰值 ,并且MOSFET使单电子晶体管 (SET)的峰值和谷值电流大小受其源漏电压的影响减小 .利用这种多峰值负微分电阻器件实现了多值存储器 ,该存储器原理上是无穷多值的 .并且利用它的折叠的I V特性 ,实现了一个 4位的FlashA D转换器 ,与传统的FlashA D转换器相比 ,SET MOSFET的A D转换器大大地简化了电路 .

关键词：单电子晶体管金属氧化物半导体场效应晶体管多峰值负微分电阻器件多值存储器模数转换器