单电子晶体管电流解析模型及数值分析
Analytical I-V model and numerical analysis of single electron transistor作者机构：轻工过程先进控制教育部重点实验室江南大学电子工程系无锡214122 纳米器件与应用重点实验室中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所苏州215123
出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)
年 卷 期：2013年第62卷第7期
页 面：398-404页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
基 金：国家自然科学基金(批准号:11074280) 江苏高校优势学科建设工程项目 中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:JUSRP20914 JUSRP51323B JUDCF12031 JUDCF12032) 江苏省自然科学基金(批准号:BK2012110)资助的课题
摘 要：本文首先建立单电子晶体管的电流解析模型,然后将蒙特卡罗法与主方程法结合进行数值分析,研究了栅极偏压、漏极偏压、温度与隧道结电阻等参数对器件特性的影响.结果表明:对于对称结,库仑台阶随栅极偏压增大而漂移;漏极电压增大,库仑振荡振幅增强,库仑阻塞则衰减;温度升高将导致库仑台阶和库仑振荡现象消失.对于非对称结,源漏隧道结电阻比率增大,库仑阻塞现象越明显.
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