单电子晶体管隧穿电阻的量子计算

作     者：杜磊 庄奕琪 

作者机构：西安电子科技大学技术物理学院陕西西安710071 

出 版 物：《西安电子科技大学学报》 (Journal of Xidian University)

年 卷 期：2002年第29卷第3期

页      面：314-318页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 070207[理学-光学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家部委基金资助项目 ( 0 0J8 4 3 DZ0 134) 西安交通大学电子陶瓷与器件教育部重点实验室访问学者基金资助项目 教育部"高等学校骨干教师资助计划"资助项目 

主　　题：单电子晶体管 隧穿电阻 量子计算 库仑阻断 微扰论 

摘      要：单电子晶体管是一种新型量子器件 ,有可能代替当前集成电路中的硅晶体管 .这种器件的工作原理是单电子通过电极与库仑岛之间势垒层的隧道贯穿量子效应 .但是 ,描述单电子晶体管I V特性的正统理论却是一种唯象理论 ,对于半导体单电子晶体管往往只能给出定性的结果 ,不能给出隧道结电阻的微观解释及定量计算方法 .文中从单电子晶体管微观哈密顿量出发 ,推导基于微观参量表征的单电子器件输运特性公式及隧道结电阻表示式 .在此基础上 ,研究了隧穿电阻的特性及量子力学的计算方法 .计算结果与实验结果符合较好 ,可用于分析单电子晶体管栅极几何设计参量对于其I V特性的影响 .