检索结果-南通市图书馆

一种新颖的1.5 V CMOS 4FSK解调电路

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固体电子学研究与进展 2003年第3期23卷 253-255页

作者：吴金周震张麟东南大学无锡分校南京210096

为了减小 4进制频移键控信号 ( 4FSK )解调电路的复杂性 ,提高解调输出的准确性 ,文中提出了一种可以在 1.5V下工作 ,标准 CMOS工艺实现的 4 FSK解调电路。该解调电路采用一个基准电压 ,利用绝对值比较的特性解调出 4

关键词： CMOS 解调电路 4进制频移键控信号 4FSK 低电源电压互补型金属氧化物半导体绝对值电路

L波段0.9mW CMOS LNA的分析与设计

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半导体技术 2010年第10期35卷 1003-1006页

作者：康成斌杜占坤阎跃鹏中国科学院微电子研究所

给出了一种采用Г型输入匹配网络的源简并共源低噪声放大器电路结构,分析了在低功耗情况下,高频寄生效应对低噪声放大器(LNA)输入阻抗及噪声特性的影响,并采用此结构设计了一款工作于L波段的低功耗低噪声放大器。采用CMOS 0.18μm工艺,... 详细信息

给出了一种采用Г型输入匹配网络的源简并共源低噪声放大器电路结构,分析了在低功耗情况下,高频寄生效应对低噪声放大器(LNA)输入阻抗及噪声特性的影响,并采用此结构设计了一款工作于L波段的低功耗低噪声放大器。采用CMOS 0.18μm工艺,设计了完整的ESD保护电路,并进行了QFN封装。测试结果表明,在1.57 GHz工作频率下,该低噪声放大器的输入回波损耗小于-30 dB,输出回波损耗小于-14 dB,增益为15.5 dB,噪声系数(NF)为2.4 dB,输入三阶交调点(IIP3)约为-8 dBm。当工作电压为1.5 V时,功耗仅为0.9 mW。

关键词：低噪声放大器低功耗阻抗匹配互补型金属氧化物半导体寄生效应

适用于12bit流水线ADC采样保持电路的设计

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半导体技术 2010年第5期35卷 499-502页

作者：徐星袁红辉陈世军刘强中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室上海200083

介绍了一种用于12 bit,20 MS/s流水线模数转换器前端的高性能采样/保持电路。该电路采用全差分结构、底极板采样来消除电荷注入和时钟馈通误差。采用栅压自举开关,并通过对电路中的开关进行组合优化,极大地提高了电路的线性性能。同时,... 详细信息

介绍了一种用于12 bit,20 MS/s流水线模数转换器前端的高性能采样/保持电路。该电路采用全差分结构、底极板采样来消除电荷注入和时钟馈通误差。采用栅压自举开关,并通过对电路中的开关进行组合优化,极大地提高了电路的线性性能。同时,运算放大器采用折叠式增益增强结构,以获得较高的增益和带宽。采用CSMC公司的0.5μm CMOS工艺库,对电路进行了仿真和流片。结果表明,在5 V电源电压下,采样频率为20 MHz,采样精度可达到0.012%,在输入信号为奈奎斯特频率时,无杂散动态范围(SFDR)为76 dB。

关键词：采样保持互补型金属氧化物半导体模数转换器增益增强运算放大器自举开关

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一种用于白光LED驱动的电荷泵的设计

半导体技术 2011年第10期36卷 795-799页

作者：徐静萍西安邮电学院电子工程学院西安710121

提出了一种可用于白光LED驱动芯片的电路设计,主要从低噪声、高效率两方面进行设计。采用线性模式控制方法,最大限度减小电荷泵电源电流纹波,从而降低噪声,同时应用多增益工作模式提高不同输入电源电压下的效率。详细讨论了其中带隙电... 详细信息

提出了一种可用于白光LED驱动芯片的电路设计,主要从低噪声、高效率两方面进行设计。采用线性模式控制方法,最大限度减小电荷泵电源电流纹波,从而降低噪声,同时应用多增益工作模式提高不同输入电源电压下的效率。详细讨论了其中带隙电压基准、振荡器及跨导放大器三大模块的电路结构、工作原理和性能特点。采用此电荷泵电路的芯片已在CSMC0.6μm CMOS工艺线投片,测试结果表明,该电荷泵电路工作良好,有效减小了PCB面积和降低了噪声,并且在不同输入电源电压下均能保持较高效率,输出在200 mA时,效率可达92%。

关键词：白光LED 电荷泵低噪声高效率互补型金属氧化物半导体

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一种高性能CMOS采样/保持电路

微纳电子技术 2009年第11期46卷 700-704页

作者：刘民杰池保勇刘云峰董景新清华大学精密仪器与机械学系精密测试技术及仪器国家重点实验室北京100084 清华大学微电子研究所北京100084

提出了一种高性能CMOS采样/保持电路,它采用全差分电容翻转型的主体结构有效减小了噪声和功耗。在电路设计中提出了新型栅源电压恒定的自举开关来极大减小非线性失真,并同时有效抑止输入信号的直流偏移。该采样/保持电路采用0.18μm1P-6... 详细信息

提出了一种高性能CMOS采样/保持电路,它采用全差分电容翻转型的主体结构有效减小了噪声和功耗。在电路设计中提出了新型栅源电压恒定的自举开关来极大减小非线性失真,并同时有效抑止输入信号的直流偏移。该采样/保持电路采用0.18μm1P-6M CMOS双阱工艺来实现,在1.8V电源电压、32MHz采样速率下,输入信号直到奈奎斯特频率时仍能达到86.88dB的无杂散动态范围(SFDR),电路的信号噪声失真比(SNDR)为73.50dB。最后进行了电路的版图编辑,并对样片进行了初步测试,测试波形表明,电路实现了采样保持的功能。

关键词：互补型金属氧化物半导体采样/保持电路电容翻转结构栅压自举开关跨导放大器

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D类音频功放芯片自恢复过流保护电路

解放军理工大学学报（自然科学版） 2012年第5期13卷 497-500页

作者：徐勇胡澄吴元亮赵斐关宇唐路解放军理工大学理学院江苏南京211101 解放军理工大学指挥信息系统学院江苏南京210007 东南大学射频与光电集成电路研究所江苏南京210096

针对高功率D类功放芯片使用过程中可能出现的短路操作导致芯片损坏的风险,设计并实现了一种具有自恢复能力的D类功放过流保护电路。在功放芯片输出管脚发生对地短路、对电源短路、或者2个输出管脚之间相互短路时,能够及时关闭功率电路... 详细信息

针对高功率D类功放芯片使用过程中可能出现的短路操作导致芯片损坏的风险,设计并实现了一种具有自恢复能力的D类功放过流保护电路。在功放芯片输出管脚发生对地短路、对电源短路、或者2个输出管脚之间相互短路时,能够及时关闭功率电路输出以保护芯片不会损坏。芯片测试结果表明,5V/4Ω条件下,该D类功放输出最大功率2.75W,效率90%。过流保护电路工作正常,过流域值约为3A。较之其他电路方案,本方案的优点在于,当短路事件去除后,能够及时自动恢复正常输出,克服了传统保护方案需要芯片复位才能恢复正常工作的缺点。

关键词： D类音频功率放大器过流保护互补型金属氧化物半导体

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具有高稳定度的低压带隙基准源

微波学报 2020年第S1期36卷 246-249页

作者：汪振民杨光中国电子科技集团公司第十四研究所南京210039

提出了一种采用0.18μm互补型金属氧化物半导体(CMOS)工艺设计的带隙基准源电路,该电路具有低压输出、高稳定度和高电源抑制比的特点。利用运算放大器的钳位功能,提高带隙基准源的稳定度。电路的仿真结果表明:常温时,基准电压输出为0.49... 详细信息

提出了一种采用0.18μm互补型金属氧化物半导体(CMOS)工艺设计的带隙基准源电路,该电路具有低压输出、高稳定度和高电源抑制比的特点。利用运算放大器的钳位功能,提高带隙基准源的稳定度。电路的仿真结果表明:常温时,基准电压输出为0.496V;在典型工艺角下,-45℃到125℃温度变化范围内,带隙基准源的温度系数约为21.2ppm/℃;1MHz频率范围内,电源抑制比(PSRR)达到80dB。可以广泛运用于高速高精度集成电路模块。

关键词：互补型金属氧化物半导体带隙基准源电源抑制比

一种高速信号的可编程有源连续时间均衡器的设计

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半导体技术 2011年第2期36卷 157-160页

作者：李瑞蒋湘武汉邮电科学研究院光纤通信技术和网络国家重点实验室武汉430074

介绍了一种基于0.18μm标准CMOS工艺实现的,用于均衡1.25 Gb/s高速信号的可编程有源连续时间均衡器。通过外部可编程逻辑器件输出的控制信号,控制该均衡器的输入信号Ctrl,从而改变其高频增益提升系数,最大可以实现长达40英寸(1 000 mm)... 详细信息

介绍了一种基于0.18μm标准CMOS工艺实现的,用于均衡1.25 Gb/s高速信号的可编程有源连续时间均衡器。通过外部可编程逻辑器件输出的控制信号,控制该均衡器的输入信号Ctrl,从而改变其高频增益提升系数,最大可以实现长达40英寸(1 000 mm)的FR-4背板传输线衰减后的接收信号的均衡。该均衡器的电路主要由R-C电阻电容衰减差分放大器和MCML输出缓冲级组成,其中R-C放大器完成输入信号的高频增益提升,MCML缓冲级完成输出信号的整形并提供一定的增益。该均衡器的工作电压为1.8 V,在输入信号速率为1.25 Gb/s时,总的工作电流为1.6 mA。

关键词：互补型金属氧化物半导体有源均衡器连续时间 R-C衰减背板

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标准CMOS工艺光电二级管及光标签的研制

半导体技术 2011年第2期36卷 104-107页

作者：魏琪张春清华大学微电子研究所北京100084

提出了一种作为无源射频(RFID)识别标签电源的光电二极管。此方案采用光电转换获取能量的方式替代传统电磁辐射获得能量的方式,克服了传统方案中RFID读写器辐射强且RFID Tag抗干扰能力差的缺点。光电二极管采用标准UMC 0.18μm CMOS工... 详细信息

提出了一种作为无源射频(RFID)识别标签电源的光电二极管。此方案采用光电转换获取能量的方式替代传统电磁辐射获得能量的方式,克服了传统方案中RFID读写器辐射强且RFID Tag抗干扰能力差的缺点。光电二极管采用标准UMC 0.18μm CMOS工艺制作在RFID Tag上。研究了光电二极管的光伏及伏安特性,并给出了实验结果;使用低压测试电路对制作完毕的PD进行了功率输出性能实验,实验结果证明PD满足设计指标和后续电路的使用要求;对实验数据进行系统建模和参数估计,建立了可以应用于Cadence仿真环境的光电二极管模型;最后,利用仿真模型进行光标签的设计,流片测试结果证明了光标签的可行性。

关键词：射频识别互补型金属氧化物半导体光电二极管仿真模型光标签