一种高性能CMOS采样/保持电路

作     者：刘民杰 池保勇 刘云峰 董景新 Liu Minjie;Chi Baoyong;Liu Yunfeng;Dong Jingxin

作者机构：清华大学精密仪器与机械学系精密测试技术及仪器国家重点实验室北京100084 清华大学微电子研究所北京100084 

出 版 物：《微纳电子技术》 (Micronanoelectronic Technology)

年 卷 期：2009年第46卷第11期

页      面：700-704页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

基　　金：国家十一五预研基金资助项目(51308050208) 

主　　题：互补型金属氧化物半导体 采样/保持电路 电容翻转结构 栅压自举开关 跨导放大器 

摘      要：提出了一种高性能CMOS采样/保持电路,它采用全差分电容翻转型的主体结构有效减小了噪声和功耗。在电路设计中提出了新型栅源电压恒定的自举开关来极大减小非线性失真,并同时有效抑止输入信号的直流偏移。该采样/保持电路采用0.18μm1P-6M CMOS双阱工艺来实现,在1.8V电源电压、32MHz采样速率下,输入信号直到奈奎斯特频率时仍能达到86.88dB的无杂散动态范围(SFDR),电路的信号噪声失真比(SNDR)为73.50dB。最后进行了电路的版图编辑,并对样片进行了初步测试,测试波形表明,电路实现了采样保持的功能。