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霍尔-铝基板电流检测单元的磁场特性分析

电工技术学报 2016年第5期31卷 177-183页

作者：刘和平肖英刘庆郭强输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室(重庆大学) 重庆400044

分析一种适用于大电流电机控制器的电流检测单元,该检测单元包含交流出线端、霍尔电流传感器和铝基板等,未使用大电流检测中常用的聚磁环,当出线端中流过交流电时铝基板中会感应出涡流,改变测量区域的磁场分布,进而影响霍尔电流传感器... 详细信息

分析一种适用于大电流电机控制器的电流检测单元,该检测单元包含交流出线端、霍尔电流传感器和铝基板等,未使用大电流检测中常用的聚磁环,当出线端中流过交流电时铝基板中会感应出涡流,改变测量区域的磁场分布,进而影响霍尔电流传感器对电流的检测;利用分离变量法结合数学变换以及磁场本身的性质在二维坐标系中推导出有限宽度出线端、有限厚度铝基板情况下电流测量区域的磁感应强度解析表达式,分析了测量结构电流检测的线性度以及电流频率对检测结果的影响。利用有限元仿真软件验证所推导表达式在同时计及交流出线端和铝基板宽度与厚度二维场计算中的正确性和适用性,并利用实验对表达式在分析实际问题的有效性进行验证。结果表明所推导的解析式在二维场中的计算正确性与适用性以及对分析实际问题的有效性。

关键词：霍尔电流检测无聚磁环铝基板涡流影响磁场解析

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LED绝缘铝基板的制备与散热性能研究

功能材料 2012年第24期43卷 1421-1424页

作者：李艳菲张方辉梁田静杜红兵陕西科技大学电信学院西安平板显示中心 63880部队

采用硬质阳极氧化工艺制备LED封装用铝基板绝缘层,通过实验分析了制备铝基板过程中氧化时间、草酸浓度、硫酸浓度和电流密度等因素对其氧化膜厚度、击穿电压的影响,得到了制备低热阻铝基板的最佳工艺参数:电流密度3A/dm2,草酸浓度为10g/... 详细信息

采用硬质阳极氧化工艺制备LED封装用铝基板绝缘层,通过实验分析了制备铝基板过程中氧化时间、草酸浓度、硫酸浓度和电流密度等因素对其氧化膜厚度、击穿电压的影响,得到了制备低热阻铝基板的最佳工艺参数:电流密度3A/dm2,草酸浓度为10g/L,H2SO4浓度150g/L,氧化时间45min。利用原子力显微镜(AFM)观察热冲击后裂纹萌生的情况,结果表明铝基板有微小裂纹,但仍满足绝缘要求,通过对氧化铝膜热阻的测试发现,铝基板与氧化膜的复合热阻在1～3℃/W之间。结果表明用阳极氧化法制备的铝氧化膜满足LED基板对散热及绝缘性的要求。

关键词： LED 铝基板阳极氧化热阻

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铝基板阳极氧化成膜温度与膜层结构

电子元件与材料 2005年第9期24卷 52-54页

作者：杨克涛傅仁利南京航空航天大学材料科学与技术学院江苏南京210016

对铝基板在草酸体系下阳极氧化成膜温度进行了研究,发现膜的起始破坏温度为32.5℃,而与草酸电解液的浓度关系不大。通过XRD、SEM对膜层进行了分析,并测试了膜层的绝缘性能。结果表明:氧化膜层是以非晶态形式存在的,膜表面存在直径80nm... 详细信息

对铝基板在草酸体系下阳极氧化成膜温度进行了研究,发现膜的起始破坏温度为32.5℃,而与草酸电解液的浓度关系不大。通过XRD、SEM对膜层进行了分析,并测试了膜层的绝缘性能。结果表明:氧化膜层是以非晶态形式存在的,膜表面存在直径80nm左右的针状物,形成Al(OH)3水合物。较高溶液温度下,草酸的溶解作用加剧了膜层断面开裂、膜质疏松等缺陷,严重影响着膜层的绝缘性能,温度不超过32.5℃,能得到均匀、致密的膜层。

关键词：复合材料铝基板阳极氧化草酸破坏温度

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铝基板无铅钎焊润湿性能及抗腐蚀性能

焊接技术 2010年第2期39卷 4-7页

作者：王宏芹李宝才王玲张新平华南理工大学材料科学与工程学院广东广州510640 中国电器科学研究院广东广州510300 深圳华为技术有限公司广东深圳518129

对典型无铅钎料Sn0.7Cu和Sn3.5Ag在铝基板上的润湿性能进行了调查。在铝基板与Sn0.7Cu的界面处未见金属间化合物,随着反应元素Ag的加入,金属间化合物Ag2Al形成,该化合物的形成不但可以改善润湿性能,而且有助于提高抗腐蚀性能。微量Zn元... 详细信息

对典型无铅钎料Sn0.7Cu和Sn3.5Ag在铝基板上的润湿性能进行了调查。在铝基板与Sn0.7Cu的界面处未见金属间化合物,随着反应元素Ag的加入,金属间化合物Ag2Al形成,该化合物的形成不但可以改善润湿性能,而且有助于提高抗腐蚀性能。微量Zn元素的加入不会改变界面化合物类型,但是会恶化润湿性能。

关键词：反应元素铝基板钎焊抗腐蚀性润湿

阳极氧化铝基板封装LED的结温与热阻的研究

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半导体光电 2010年第6期31卷 842-845页

作者：钟前刚方亮何建艾超魏文侯重庆大学应用物理系重庆400044 重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室重庆400044

采用阳极氧化法制备了氧化铝薄膜铝基板,并将3种功率(1W、3W、5W)的3种颜色(红、蓝、绿)的9种LED分别封装在所制备的铝基板和深圳光恒光电公司的铝基板上,利用正向压降法测试了其结温和热阻,发现:在LED颜色和功率相同的情况下,自制阳极... 详细信息

采用阳极氧化法制备了氧化铝薄膜铝基板,并将3种功率(1W、3W、5W)的3种颜色(红、蓝、绿)的9种LED分别封装在所制备的铝基板和深圳光恒光电公司的铝基板上,利用正向压降法测试了其结温和热阻,发现:在LED颜色和功率相同的情况下,自制阳极氧化铝基板封装的LED的结温比封装在光恒铝基板上的低2.8～19.4℃,热阻低1.8～9.0K/W,表明自制铝基板的散热性能更优。

关键词： LED 结温热阻散热铝基板阳极氧化正向压降法

铝基板表面氧化膜的制备及其绝缘导热性能研究

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铝基板表面氧化膜的制备及其绝缘导热性能研究

作者：张国元西安理工大学

学位级别：硕士

针对传统LED封装结构中铝基板绝缘层导热性差的现状,本课题通过不同脉冲宽度的微弧氧化和不同电解液体系的阳极氧化工艺在铝基板表面制备氧化膜,替代传统铝基板中环氧树脂绝缘层。借助XRD、SEM等检测手段,并对所制备膜层的微观形貌、物... 详细信息

针对传统LED封装结构中铝基板绝缘层导热性差的现状,本课题通过不同脉冲宽度的微弧氧化和不同电解液体系的阳极氧化工艺在铝基板表面制备氧化膜,替代传统铝基板中环氧树脂绝缘层。借助XRD、SEM等检测手段,并对所制备膜层的微观形貌、物相及耐蚀性进行了检测分析,系统研究了氧化工艺对膜层绝缘导热性能的影响及变化规律,为微弧氧化和阳极氧化工艺在铝基板领域的应用提供借鉴参考和数据支持。研究表明:铝基板表面微弧氧化膜层随着脉冲宽度的提升,厚度先升高后下降,表面爆熔微孔数量和尺寸逐渐增加,氧化膜中主要成分αα-A1203和γ-A1203两相比值逐渐增加;随脉冲宽度的提升,铝基板表面微弧氧化膜层的体积电阻率逐渐增加,击穿电压先升高后下降,导热系数略微上升。在500Hz的脉冲频率下,当脉冲宽度为800μs时,膜层具有最佳的综合绝缘性能,体积电阻率高达8.6× 1014Ω·cm,击穿电压为1240V,满足铝基板绝缘层的体积电阻率应大于1010Ω·cm,击穿电压应高于1010V的使用要求。同时导热系数为27.09W/m·k,比环氧树脂高两个数量级。硫酸、草酸、混合有机酸三种电解液体系制备的铝基板表面阳极氧化膜层,厚度都随电解液浓度的升高先增加后下降,硫酸和草酸阳极氧化膜层表面通孔尺寸和孔隙率随电解液浓度提升而升高,混合有机酸阳极氧化膜层表面通孔结构和尺寸不受电解液浓度变化而变化。当硫酸浓度为140g/L、草酸浓度为60g/L、混合有机酸配比为100g/L磺基水杨酸加40g/L苹果酸时,制备的阳极氧化膜层拥有最佳的绝缘性能:硫酸氧化膜的体积电阻率为6.2×1011Ω·cm,击穿电压为1420V;草酸氧化膜的体积电阻率为3.6×1012Ω·cm,击穿电压为1200V;混合有机酸氧化膜的体积电阻率为7.1× 1013Ω·cm,击穿电压为1580V,都较好得满足了铝基板对绝缘性能的相关要求,此时三种阳极氧化膜层的导热系数分别为15.84W/m·K、17.53W/m·K、20.70W/m·K,与环氧树脂相比表现出良好的导热性能。电化学阻抗结果表明微弧氧化及混合有机酸阳极氧化膜层的耐蚀性优异,对电解液中离子侵蚀能起到较强的屏蔽作用,确保铝基板后期刻蚀铜箔电路时不受侵蚀。

关键词：铝基板微弧氧化阳极氧化体积电阻率击穿电压导热系数

大功率LED封装用散热铝基板的制备与性能研究

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材料导报 2011年第2期25卷 130-134页

作者：方亮钟前刚何建刘高斌李艳炯郭培重庆大学应用物理系重庆400044 重庆大学光电技术及系统教育部重点试验室重庆400044

通过正交试验分析了阳极氧化法制备LED封装用铝基板过程中电流密度、硫酸质量浓度、温度和时间等因素对其热阻、厚度、绝缘电阻率的影响,得到了制备低热阻铝基板的最佳工艺参数。根据优化参数制备了阳极氧化铝基板,将LED分别封装在自制... 详细信息

通过正交试验分析了阳极氧化法制备LED封装用铝基板过程中电流密度、硫酸质量浓度、温度和时间等因素对其热阻、厚度、绝缘电阻率的影响,得到了制备低热阻铝基板的最佳工艺参数。根据优化参数制备了阳极氧化铝基板,将LED分别封装在自制基板和深圳光恒光电公司提供的铝基板上,检测温度与时间变化的关系,结果表明,自制散热铝基板性能更优。

关键词： LED 铝基板阳极氧化热阻厚度绝缘电阻率

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高导热阳极氧化铝陶瓷膜铝基板的研制

绝缘材料 2015年第8期48卷 19-22页

作者：王勇涛张军徐文张诗娟王文峰湖北大学有机化工新材料湖北省协同创新中心武汉430062 湖北大学物理与电子科学学院武汉430062

采用阳极氧化法在铝表面生成一层氧化铝陶瓷,利用该绝缘陶瓷层替代铝基板中的绝缘胶膜,制备了一种阳极氧化铝陶瓷膜铝基板,并将该铝基板应用于LED照明。测试结果显示:阳极氧化铝陶瓷膜的电气强度可达120 V/μm,体积电阻率大于106MΩ?cm... 详细信息

采用阳极氧化法在铝表面生成一层氧化铝陶瓷,利用该绝缘陶瓷层替代铝基板中的绝缘胶膜,制备了一种阳极氧化铝陶瓷膜铝基板,并将该铝基板应用于LED照明。测试结果显示:阳极氧化铝陶瓷膜的电气强度可达120 V/μm,体积电阻率大于106MΩ?cm,采用该技术制备的铝基板的"整体热阻"可降低至0.34 K?cm2/W。LED灯具应用表明,其热阻比普通铝基板的热阻降低9.1℃/W,比填料型高导热铝基板降低4.6℃/W,因此,基于该技术的铝基板具有明显的导热性能优势。

关键词：阳极氧化铝基板 LED照明

电子器件功率模块用铝基板草酸阳极氧化工艺参数优化

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电镀与精饰 2022年第2期44卷 41-45页

作者：杜相如付巍山西工程职业学院山西太原030009 中北大学电气与控制工程学院山西太原030000

采用草酸阳极氧化工艺对电子器件功率模块用铝基板进行表面处理,并考察了电解液温度、电流密度和氧化时间对氧化膜的厚度及腐蚀失重的影响。结果表明:电流密度从1 A/dm^(2)增加到3 A/dm^(2),氧化时间从35 min延长到75 min,氧化膜厚度都... 详细信息

采用草酸阳极氧化工艺对电子器件功率模块用铝基板进行表面处理,并考察了电解液温度、电流密度和氧化时间对氧化膜的厚度及腐蚀失重的影响。结果表明:电流密度从1 A/dm^(2)增加到3 A/dm^(2),氧化时间从35 min延长到75 min,氧化膜厚度都呈先增加后降低的趋势并且伴随着腐蚀失重先降低后增加。采用单一变量法得到铝基板草酸阳极氧化的最佳工艺参数为:电解液温度25℃、电流密度2 A/dm^(2)、氧化时间55 min。在最佳工艺参数下生成的氧化膜完整且均匀,呈蜂窝状多孔结构,厚度达到18.2μm且腐蚀失重最低,为2.72 mg/cm^(2),能对铝基板起到良好的腐蚀防护作用。

关键词：草酸阳极氧化铝基板电解液温度电流密度氧化时间