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铝基板阳极氧化成膜温度与膜层结构

Formed Film Temperature of Anode Oxidation and Structure of Film Layer for Al Metal Substrate

作     者:杨克涛 傅仁利 YANG Ke-tao;FU Ren-li

作者机构:南京航空航天大学材料科学与技术学院江苏南京210016 

出 版 物:《电子元件与材料》 (Electronic Components And Materials)

年 卷 期:2005年第24卷第9期

页      面:52-54页

学科分类:08[工学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学] 

基  金:南京航空航天大学科研启动基金资助项目(S0466-061) 

主  题:复合材料 铝基板 阳极氧化 草酸 破坏温度 

摘      要:对铝基板在草酸体系下阳极氧化成膜温度进行了研究,发现膜的起始破坏温度为32.5℃,而与草酸电解液的浓度关系不大。通过XRD、SEM对膜层进行了分析,并测试了膜层的绝缘性能。结果表明:氧化膜层是以非晶态形式存在的,膜表面存在直径80nm左右的针状物,形成Al(OH)3水合物。较高溶液温度下,草酸的溶解作用加剧了膜层断面开裂、膜质疏松等缺陷,严重影响着膜层的绝缘性能,温度不超过32.5℃,能得到均匀、致密的膜层。

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