检索结果-南通市图书馆

哈尔滨师范大学自然科学学报 1985年第3期 31-38页

作者：刘忠厚

P—N结不是P型半导体和N型半导体直接联接而成,而是用杂质的“补偿效应”,由一种型号半导体通过掺杂使其反型形成的。杂质分布是余误差函数或高斯函数分布。如图一所示。n型衬底中含磷(P),进行硼(B)扩散,生成P型,P—N结界面处杂质分布:

关键词：空间电荷区哈尔滨师范大学自然科学科学技术结深电化反应电化学反应耗尽层自建电场染色过程磨角内建电场电中性显示剂杂质分布

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p~+nn~+型高压整流元件的试验

机车电传动 1976年第5期 20-30页

75年,我所进行了800安/3000伏(测试电压)硅整流元件的试制工作,曾选用一部分高阻单晶进行p~+nn~+结构的试验。试验结果表明:p~+nn~+结构的主要问题是表面电场。这里拟对前段的试验工作进行简单小结,以供今后制造更高电压等级的硅整流元... 详细信息

75年,我所进行了800安/3000伏(测试电压)硅整流元件的试制工作,曾选用一部分高阻单晶进行p~+nn~+结构的试验。试验结果表明:p~+nn~+结构的主要问题是表面电场。这里拟对前段的试验工作进行简单小结,以供今后制造更高电压等级的硅整流元件时参考,欢迎兄弟单位同志们提出批评指正意见。

关键词：整流元件正向压降基区 nn 表面电场磨角

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一次性微型手术刀片

医疗卫生装备 1993年第6期 37-38页

作者：段亚东董建章刘汝勤烟台医用刀制造公司空军吉林医院

我们研制的一次性使用的微型手术刀片。经显微手术中应用,效果确切,现报告如下:1 材料与制造本手术刀片采用进口铬06或铬02—03冷轧带钢为材料,经进口剃须刀片生产线加工而

关键词：手术刀片刀刃磨角

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高反压硅功率晶体管的设计和试制

物理 1974年第4期 211-214页

作者：徐之韬王明福肖宗兰李守英刘立春陈水国赵柏芳武汉大学物理系半导体专业武汉大学物理系半导体专业工农兵学员

近几年来,国内外对于高反压硅功率管进行了较多的研究工作.这次我们半导体专业1970级工农兵学员利用毕业实践的机会,组成了试制小组,在校办《九一二》电子厂半导体车间的工人同志帮助和专业教师的指导下,初步试制出高反压硅功率管.本文... 详细信息

近几年来,国内外对于高反压硅功率管进行了较多的研究工作.这次我们半导体专业1970级工农兵学员利用毕业实践的机会,组成了试制小组,在校办《九一二》电子厂半导体车间的工人同志帮助和专业教师的指导下,初步试制出高反压硅功率管.本文就是我们小组的小结. 一、简介高反压硅劝率晶体管主要应用于彩色电视机的垂直偏转和水平偏转的电路中,以及雷达显示电路和其它耐高压的场合,其工作电压一般为数百伏,电流为数安培,频率fT在 1MC左右,β在 5-10倍以上. 我们试制的高反压管为硅NPN型,其参数要求如下: Pcm=50W;Icm=3A;BVcbo≥1.2kV;光刻版总图如图1,剖面图如图2. 由图1可见,版面形状是圆形,目的是为了便于磨角和消除cb结的棱角电场的影响.发射区是“车轮形”,有利于增加发射区周长 LE,发射区共有16条,长的 14条,短的2条.图中引线区面积较大,目的是为了便于压焊引线或采用软焊料. 主要尺寸如下: 最大直径:6mm(基极反刻铝圆形直径). 最小间距:发射极金属区、引线孔、发射极扩散区三者边缘之间以及基极引线孔和基极金属区两者边缘之间距离为20士SP. 。-占间距:7口八发射区边...

关键词：发射区反压功率管电子管基区表面电场击穿电压表面浓度磨角突变结

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对国外IC芯片多层薄膜的简易检测技术

半导体技术 1984年第3期 34-36+16页

作者：曾庆城

本文介绍一种简易有效的、能够在生产工序上即时检测多层薄膜厚度及其折射率的方法,即小角度“镜面磨角与干涉显微镜”观测法.只要使用国产6JA型干涉显微镜（上海光学仪器厂）.就可以把芯片样品上多层钝化膜的厚度、折射率等同时地快速... 详细信息

本文介绍一种简易有效的、能够在生产工序上即时检测多层薄膜厚度及其折射率的方法,即小角度“镜面磨角与干涉显微镜”观测法.只要使用国产6JA型干涉显微镜（上海光学仪器厂）.就可以把芯片样品上多层钝化膜的厚度、折射率等同时地快速测定.若是用来剖析国外的有关器件,能够对芯片上的各种钝化膜进行鉴别,可以区分出常规SiO;膜和优

关键词：斜剖面镜面厚度磨角 IC 干涉显微镜等厚干涉条纹芯片

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硅整流元件生产工艺的两项重要革新

铁道科技动态 1976年第18期 4-7页

一、管芯自动烧结炉在硅整流元件的生产工艺中,目前国内普遍采用提拉式烧结炉进行管芯的烧结,它依靠移动恒温热源与工件的距离,来实现对工件的升温、恒温烧结及降温,整个烧结过程完全手动,控制精度较差,无法保证产品质量,对于较大的批... 详细信息

一、管芯自动烧结炉在硅整流元件的生产工艺中,目前国内普遍采用提拉式烧结炉进行管芯的烧结,它依靠移动恒温热源与工件的距离,来实现对工件的升温、恒温烧结及降温,整个烧结过程完全手动,控制精度较差,无法保证产品质量,对于较大的批量生产,是不适宜的,存在着间断生

关键词：整流元件管芯提拉磨角烧结炉

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几种阶梯合金钻头的使用效果

地质与勘探 1960年第9期 24-26页

作者：任始终

我们结合了MP;式和MP;型钻头的阶梯克取原理,成功的创用了几种阶梯合金钻头,即单粒阶梯合金钻头、单单双粒阶梯合金钻头和台阶式钻头,在5～6级的玉龙山石灰岩中钻进,最高单位钻速每小时达6.46米,比原合金钻头钻进效率增高1.33倍,此钻粒... 详细信息

我们结合了MP;式和MP;型钻头的阶梯克取原理,成功的创用了几种阶梯合金钻头,即单粒阶梯合金钻头、单单双粒阶梯合金钻头和台阶式钻头,在5～6级的玉龙山石灰岩中钻进,最高单位钻速每小时达6.46米,比原合金钻头钻进效率增高1.33倍,此钻粒钻进效率提高1.72倍。并且台阶式钻头又打破

关键词：岩石台阶式磨角水口单粒长兴灰岩使用效果

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直线型硬质合金钻头

探矿工程 1966年第3期 12-15页

为了提高钻进效率，根据我队煤田岩层的特点，曾进行了合金钻头结构方面的选型试验工作。经过两个孔，将近半年来的试验，已取得初步效果，平均小时效率达到1.55米，比64年0.71米提高1倍多，比65年同期钻进的孔0.89米，将近提高一倍。... 详细信息

为了提高钻进效率，根据我队煤田岩层的特点，曾进行了合金钻头结构方面的选型试验工作。经过两个孔，将近半年来的试验，已取得初步效果，平均小时效率达到1.55米，比64年0.71米提高1倍多，比65年同期钻进的孔0.89米，将近提高一倍。现将试验情况介绍如下：

关键词：硬质合金钻头磨角平均时效岩石小时效率直线型直线形

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硅中电离杂质扩散分布的显微观测

物理学报 1981年第2期 249-253页

作者：曾庆城江西大学物理系

本文提出了一种显示硅中电离杂质扩散分布的电解水氧化显微法,方法简便有效。文中给出了显微照片。

关键词：硅表面电解水杂质分布硅芯片浅结扩散磨角显微观测浓度分布分布(力学) 阳极表面杂质扩散离子注入离子掺杂显微照片

GaxIn1-xP/GaAs（100）液相外延界面缺陷的透射电镜观察

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Journal of Semiconductors 1986年第2期 222-226页

作者：陈杰,梁静国,虞丽生,刘宏勋中国科技大学基础物理中心北京大学物理系北京大学物理系北京大学物理系

用超高压电镜观察和分析了平面、剖面及磨角的GaxIn1-xP/GaAs样品,界面附近位错线的柏氏矢量大多是 b=1/2,平面样品中位错线弯曲且相互交织形成网络,剖面样品中位错线较直且是分立的,不形成网络.认为衬底表面及母液中的夹杂物是外延层... 详细信息

用超高压电镜观察和分析了平面、剖面及磨角的GaxIn1-xP/GaAs样品,界面附近位错线的柏氏矢量大多是 b=1/2,平面样品中位错线弯曲且相互交织形成网络,剖面样品中位错线较直且是分立的,不形成网络.认为衬底表面及母液中的夹杂物是外延层中位错的主要来源.另外,在磨角样品中看到衬底位错通过弯曲和表面产生机制向外延层扩展.

关键词：液相外延界面缺陷夹杂物磨角外延层 Ga_xIn 位错晶体缺陷透射电镜观察透射电子显微镜 x)P/GaAs