GaxIn1-xP/GaAs（100）液相外延界面缺陷的透射电镜观察
Observation on the Interface Defects in LPE Ga;In;P/GaAs（100）by TEM作者机构：中国科技大学基础物理中心 北京大学物理系 北京大学物理系 北京大学物理系
出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报)
年 卷 期：1986年第2期
页 面：222-226页
学科分类：0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
主 题：液相外延 界面缺陷 夹杂物 磨角 外延层 Ga_xIn 位错 晶体缺陷 透射电镜观察 透射电子显微镜 x)P/GaAs
摘 要：用超高压电镜观察和分析了平面、剖面及磨角的GaxIn1-xP/GaAs样品,界面附近位错线的柏氏矢量大多是 b=1/2,平面样品中位错线弯曲且相互交织形成网络,剖面样品中位错线较直且是分立的,不形成网络.认为衬底表面及母液中的夹杂物是外延层中位错的主要来源.另外,在磨角样品中看到衬底位错通过弯曲和表面产生机制向外延层扩展.
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