高反压硅功率晶体管的设计和试制

作     者：徐之韬 王明福 肖宗兰 李守英 刘立春 陈水国 赵柏芳 

作者机构：武汉大学物理系半导体专业 武汉大学物理系半导体专业 工农兵学员 

出 版 物：《物理》 (Physics)

年 卷 期：1974年第4期

页      面：211-214页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

主　　题：发射区 反压 功率管 电子管 基区 表面电场 击穿电压 表面浓度 磨角 突变结 

摘      要：近几年来,国内外对于高反压硅功率管进行了较多的研究工作.这次我们半导体专业1970级工农兵学员利用毕业实践的机会,组成了试制小组,在校办《九一二》电子厂半导体车间的工人同志帮助和专业教师的指导下,初步试制出高反压硅功率管.本文就是我们小组的小结. 一、简 介 高反压硅劝率晶体管主要应用于彩色电视机的垂直偏转和水平偏转的电路中,以及雷达显示电路和其它耐高压的场合,其工作电压一般为数百伏,电流为数安培,频率fT在 1MC左右,β在 5-10倍以上. 我们试制的高反压管为硅NPN型,其参数要求如下: Pcm=50W;Icm=3A;BVcbo≥1.2kV;光刻版总图如图1,剖面图如图2. 由图1可见,版面形状是圆形,目的是为了便于磨角和消除cb结的棱角电场的影响.发射区是“车轮 形,有利于增加发射区周长 LE,发射区共有16条,长的 14条,短的2条.图中引线 区面积较大,目的是为了便 于压焊引线或采用软焊料. 主要尺寸如下: 最大直径:6mm(基极 反刻铝圆形直径). 最小间距:发射极金属 区、引线孔、发射极扩散区三 者边缘之间以及基极引线孔 和基极金属区两者边缘之间距离为20士SP. 。-占间距:7口八发射区边...