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文献类型

  • 4 篇 期刊文献

馆藏范围

  • 4 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

  • 4 篇 工学
    • 4 篇 材料科学与工程(可...
    • 3 篇 电子科学与技术(可...
    • 1 篇 机械工程

主题

  • 4 篇 气体离化团束
  • 2 篇
  • 2 篇 二氧化碳
  • 1 篇 二氧化硅
  • 1 篇 辐照效应
  • 1 篇 浅层注入
  • 1 篇 表面清洁化
  • 1 篇 表面平坦化
  • 1 篇 溅射
  • 1 篇 离子束
  • 1 篇 侧向溅射

机构

  • 4 篇 清华大学
  • 3 篇 日本京都大学

作者

  • 4 篇 田民波
  • 3 篇 山田公
  • 1 篇 冯晓东

语言

  • 4 篇 中文
检索条件"主题词=气体离化团束"
4 条 记 录,以下是1-10 订阅
排序:
气体离化团束对表面的平坦及清洁效果
收藏 引用
真空科学与技术 1997年 第4期17卷 252-258页
作者: 田民波 山田公 清华大学材料科学与工程系 北京100084 日本京都大学工学实验室
用原子力显微镜测量了气体离化团束照射后表面粗糙度的变。已经证实气体轰击对表面沾污具有很高的清除率,同时却引起较低的损伤。气体离化团束优良的平坦和清洁效果可能与照射中多体碰撞、侧向溅射及高能量密度的沉积相关。
来源: 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
气体离化团束技术
收藏 引用
物理 1997年 第2期26卷 117-121页
作者: 田民波 清华大学材料科学与工程系
由数个至数千个气体原子构成且被电为单电荷的气体离化团束与表面相互作用产生新的效应、涉及新的机理并显示许多新的应用.例如非常浅的浅层注入(Si注入深度小于01μm)、极高的溅射产额(比单体子高两个数量级)、侧向溅... 详细信息
来源: 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
CO_2对Si基板表面的辐照效应
收藏 引用
Journal of Semiconductors 1997年 第4期18卷 275-280页
作者: 田民波 山田公 清华大学材料科学与工程系 北京100084 日本京都大学子工学实验室
利用RBS和椭圆仪分析对CO2引起的硅表面的损伤进行了研究.实验发现,采用大尺寸照射,损伤程度小而且损伤层薄;尺寸越大,越容易形成低损伤的氧层;随剂量增大,损伤部分发生氧的比例增加,而且在单晶Si基板上经... 详细信息
来源: 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
CO_2辐照Si表面形成SiO_2膜的分析
收藏 引用
Journal of Semiconductors 1997年 第10期18卷 755-760页
作者: 田民波 冯晓东 山田公 清华大学材料科学与工程系 北京100084 日本京都大学子工学实验室
由CO2辐照Si表面形成的氧层的厚度与CO2大小及能量相关,而其成分接近SiO2在低辐照剂量下,氧层增厚服从反应规律,而在高剂量下服从扩散规律.
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