CO_2离化团束对Si基板表面的辐照效应
Irradiation Effects of CO_2 Cluster Ion Beam on Surface of Si Substrate作者机构：清华大学材料科学与工程系北京100084 日本京都大学离子工学实验室
出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)
年 卷 期：1997年第18卷第4期
页 面：275-280页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
摘 要：利用RBS和椭圆仪分析对CO2离化团束引起的硅表面的损伤进行了研究．实验发现，采用大尺寸团束照射，损伤程度小而且损伤层薄；团束尺寸越大，越容易形成低损伤的氧化层；随剂量增大，损伤部分发生氧化的比例增加，而且在单晶Si基板上经过极薄的过渡区形成氧化层．
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