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应变层多量子阱InGaAs—GaAs的光电流谱研究

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Journal of Semiconductors 1990年第4期11卷 270-278页

作者：方晓明沈学础侯宏启冯巍周钧铭中国科学院上海技术物理研究所红外物理开放实验室中国科学院物理研究所

在10—300K温度范围,用光电流谱方法研究了未掺杂的x为0.1、0.15和0.2,InGaAs层厚度为8和15nm的In_xGa_(1-x)As—GaAs应变层多量子阱的能带结构。在1.240—1.550eV光子能量范围,除11H、11L和22H激子跃迁以及GaAs的基本带间跃迁外,还观... 详细信息

在10—300K温度范围,用光电流谱方法研究了未掺杂的x为0.1、0.15和0.2,InGaAs层厚度为8和15nm的In_xGa_(1-x)As—GaAs应变层多量子阱的能带结构。在1.240—1.550eV光子能量范围,除11H、11L和22H激子跃迁以及GaAs的基本带间跃迁外,还观察到束缚子带到连续带的跃迁。对样品In_(0.15)Ga_(0.85)As(8nm)-GaAs(15nm),观察到11H重空穴激子的2s及其它激发态跃迁,由此得到激子结合能的近似值,约为8meV。重空穴能带台阶Q_v=0.40±0.02。应变效应使得电子和重空穴束缚在InGaAs层,而轻空穴束缚在GaAs层。

关键词： InGaAs-GaAs 量子阱光电谱应变层

应变层In_xGa_(1-x)As/GaAs量子阱的光调制反射谱研究

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Journal of Semiconductors 1992年第6期13卷 343-350页

作者：潘士宏刘毅张存洲张光寅冯巍周钧铭南开大学物理系半导体超晶格国家重点实验室天津300071 中国科学院物理研究所北京100080

用光调制反射谱(PR)测量了三块应变层 In_xGa_(1-x)As/GaAs 量子阱多重结构样品,每块样品中包含宽度为140、80、50、30和20A的量子阱.在300K和77K的PR谱中观察到各个量子阱的11H和11L光跃迁.根据PR数据用包络函数法进行分析,估算了量子... 详细信息

用光调制反射谱(PR)测量了三块应变层 In_xGa_(1-x)As/GaAs 量子阱多重结构样品,每块样品中包含宽度为140、80、50、30和20A的量子阱.在300K和77K的PR谱中观察到各个量子阱的11H和11L光跃迁.根据PR数据用包络函数法进行分析,估算了量子阱中In的成分.在解释300K和77K实验结果时考虑了流体静压形变势常数的温度依赖性.实验和理论最佳符合时求得导带边不连续性在300K为0.7,77K为0.66.

关键词：应变层量子阱光调制反射谱

MBE GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs应变层量子阱的光调制反射光谱

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物理学报 1989年第10期38卷 1710-1716页

作者：池坚刚赵文琴李爱珍宁波师范学院物理系中国科学院上海技术物理研究所红外物理开放研究实验室中国科学院上海冶金研究所

本文采用光调制反射光谱技术研究了MBEGaAs_(1-x)Sb_x/GaAs应变层量子阱。通过实验分析和理论上对受应力作用后能带结构的估算,确认在这一系统中流体静压力作用引起的能带结构变化主要出现在导带上,同时也证实了GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs应... 详细信息

本文采用光调制反射光谱技术研究了MBEGaAs_(1-x)Sb_x/GaAs应变层量子阱。通过实验分析和理论上对受应力作用后能带结构的估算,确认在这一系统中流体静压力作用引起的能带结构变化主要出现在导带上,同时也证实了GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs应变层量子阱属于第Ⅱ型量子阱结构。实验结果与理论估算符合很好。

关键词：半导体材料应变层量子阱光谱

Si／Ge应变层异质结价带偏移的剪裁与设计

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固体电子学研究与进展 1995年第4期15卷 313-318页

作者：王仁智黄美纯柯三黄李开航厦门大学物理系

讨论应变层异质结价带偏移的剪裁、设计方法，研究Ｓｉ／Ｇｅ应变层异质结价带偏移设计参数与应变条件的关系，基于异质结中平均键能“对齐”，得到适用于Ｓｉ／Ｇｅ异质结价带偏移剪裁与设计的计算公式和图表。

关键词：价带偏移硅锗应变层异质结外延生长

GaN、AlN的形变势和应变层GaN/AlN异质结带阶的计算

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Journal of Semiconductors 1999年第1期20卷 11-18页

作者：何国敏王仁智吴正云郑永梅蔡淑惠厦门大学物理系

本文采用混合基矢从头赝势能带计算方法研究了（００１）界面应变对ＧａＮ、ＡｌＮ应变层的能带、平均键能Ｅｍ和带阶参数Ｅｍｖ的影响．借助于带阶参数形变势的计算，预言了不同生长厚度情况下ＧａＮ／ＡｌＮ应变层异质结价带带阶和导... 详细信息

本文采用混合基矢从头赝势能带计算方法研究了（００１）界面应变对ＧａＮ、ＡｌＮ应变层的能带、平均键能Ｅｍ和带阶参数Ｅｍｖ的影响．借助于带阶参数形变势的计算，预言了不同生长厚度情况下ＧａＮ／ＡｌＮ应变层异质结价带带阶和导带带阶．

关键词：氮化镓氮化铝形变势应变层异质结带阶计算

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用喇曼光谱表征锗硅应变层超晶格

Journal of Semiconductors 1990年第11期11卷 822-828页

作者：徐建国王建宝盛篪孙恒慧郑思定姚文华复旦大学物理系复旦大学测试中心

对Ge_xSi_(1-x)/Si超晶格的喇曼光谱研究表明,这类样品中各层间的应力分配取决于缓冲层组分。合金层中的Ge—Si峰峰移δω随组分x或应变ε作线性变化。对Ge_n/Si_n(n为原子层数)超晶格的喇曼光谱研究表明,在n=4的超薄层超晶格中,锗硅界... 详细信息

对Ge_xSi_(1-x)/Si超晶格的喇曼光谱研究表明,这类样品中各层间的应力分配取决于缓冲层组分。合金层中的Ge—Si峰峰移δω随组分x或应变ε作线性变化。对Ge_n/Si_n(n为原子层数)超晶格的喇曼光谱研究表明,在n=4的超薄层超晶格中,锗硅界面互混程度较小,并发现样品的生长温度对其质量有决定性影响。

关键词：喇曼光谱锗硅应变层超晶格表征

Ⅱ—Ⅵ族宽禁带半导体应变层超晶格的折射率测量

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科学通报 1991年第15期36卷 1135-1136页

作者：崔捷陈云良王海龙干福熹中国科学院上海光学精密机械研究所上海201800

ZnS、ZnSe、ZnTe等宽禁带半导体材料构成的超晶格和量子阱结构可望在可见光光电子器件领域发挥重要作用,特别是它们可制成600—700nm光电子器件,在高密度光学信息系统中的应用,前景非常诱人。因此人们正加紧努力研制基于这种材料的光波导。

关键词：半导体应变层超晶格折射率

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ZnSe-ZnS应变层超晶格的激子吸收谱

光学学报 1992年第10期12卷 893-896页

作者：沈爱东陈云良王海龙王之江吕少哲中国科学院上海光学精密机械研究所量子光学联合开放实验室上海201800 中国科学院长春物理研究所激发态物理开放实验室长春130021

在16K至室温范围内测量了ZnSe-ZnS应变层超晶格的激子吸收谱.观测到对应于1E-1HH1E-1LH及1E-3HH跃迁的三个激子吸收峰.

关键词：吸收谱激子能吸应变层超晶格

弹性应变及结构参数对InAs/GaAs应变层超晶格能带结构的影响

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Journal of Semiconductors 1992年第6期13卷 359-366页

作者：毕文刚李爱珍中国科学院上海冶金研究所

本文报道弹性应变及结构参数对 InAs/GaAs应变层超晶格导带、价带不连续性及其子能带结构的影响.通过分析流体静应力和单轴应力对体材料带边能带位置的影响,确定了 InAs/GaAs超晶格导带及价带能量不连续性,并用包络函数法计算了该超晶... 详细信息

本文报道弹性应变及结构参数对 InAs/GaAs应变层超晶格导带、价带不连续性及其子能带结构的影响.通过分析流体静应力和单轴应力对体材料带边能带位置的影响,确定了 InAs/GaAs超晶格导带及价带能量不连续性,并用包络函数法计算了该超晶格的子能带结构.结果表明:这些量不仅依赖于组成超晶格的两种材料的体性质,而且还依赖于超晶格的晶格常数,势阱、势垒宽度以及材料的应变;通过调节InAs层与 GaAs层的层厚之比,可以使 InAs/GaAs超晶格价带轻空穴处于第Ⅱ类超晶格势当中,从而实现轻空穴与电子、重空穴的空间分离.

关键词：应变层超晶格能带弹性应变