MBE GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs应变层量子阱的光调制反射光谱

作     者：池坚刚 赵文琴 李爱珍 CHI JIAN-GANG ZHAO WEN-QIN LI AI-ZHENLaboratory of Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Academia Sinica

作者机构：宁波师范学院物理系 中国科学院上海技术物理研究所红外物理开放研究实验室 中国科学院上海冶金研究所 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：1989年第38卷第10期

页      面：1710-1716页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

主　　题：半导体材料 应变层 量子阱 光谱 

摘      要：本文采用光调制反射光谱技术研究了MBEGaAs_(1-x)Sb_x/GaAs应变层量子阱。通过实验分析和理论上对受应力作用后能带结构的估算,确认在这一系统中流体静压力作用引起的能带结构变化主要出现在导带上,同时也证实了GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs应变层量子阱属于第Ⅱ型量子阱结构。实验结果与理论估算符合很好。