咨询与建议
  • 全部检索
  • 电子图书
  • 电子期刊
  • 纸本馆藏
  • 南通市公共图书馆
高级检索

看过本文的还看了

相关文献

该作者的其他文献

文献详情 >Ⅱ—Ⅵ族宽禁带半导体应变层超晶格的折射率测量 收藏
分享

Ⅱ—Ⅵ族宽禁带半导体应变层超晶格的折射率测量

作     者：崔捷 陈云良 王海龙 干福熹 

作者机构：中国科学院上海光学精密机械研究所上海201800 

出 版 物：《科学通报》 (Chinese Science Bulletin)

年 卷 期：1991年第36卷第15期

页      面：1135-1136页

核心收录：

学科分类：08[工学] 0803[工学-光学工程] 

主　　题：半导体 应变层 超晶格 折射率 

摘      要：ZnS、ZnSe、ZnTe等宽禁带半导体材料构成的超晶格和量子阱结构可望在可见光光电子器件领域发挥重要作用,特别是它们可制成600—700nm光电子器件,在高密度光学信息系统中的应用,前景非常诱人。因此人们正加紧努力研制基于这种材料的光波导。

电子资源

读者评论 与其他读者分享你的观点

学校读者
用户名:未登录
我的评分