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基于可动电荷的SiGe HBT势垒电容

西安电子科技大学学报 2004年第6期31卷 837-840页

作者：吕懿张鹤鸣戴显英胡辉勇舒斌西安电子科技大学微电子所陕西西安710071

当SiGeHBT处于交流放大状态时,发射结空间电荷区和集电结空间电荷区存在可动电荷,因此,在考虑它们的势垒电容时,应采用微分电容.另外,集电结势垒区宽度与电流密度密切相关,依据电流密度该电容有3种情况.在SiGeHBT载流子输运基础上,建立... 详细信息

当SiGeHBT处于交流放大状态时,发射结空间电荷区和集电结空间电荷区存在可动电荷,因此,在考虑它们的势垒电容时,应采用微分电容.另外,集电结势垒区宽度与电流密度密切相关,依据电流密度该电容有3种情况.在SiGeHBT载流子输运基础上,建立了考虑发射势垒区载流子分布的势垒电容模型和不同电流密度下的集电结势垒电容模型.

关键词： SiGe HBT 势垒电容微分电容可动电荷

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硅扩散p-n结势垒宽度和势垒电容的计算

复旦学报(自然科学版) 1976年第2期 90-96页

作者：刘光宇赵文庆微电子专业三年级学员

p-n结势垒宽度和势垒电容在半导体器件的设计与制造工作中是经常需要计算的。这两者都是外加电压的函数,同时还与p-n结中的杂质分布有关。对于单边突变结和线性缓变结近似的情形,由势垒区电位所满足的一维泊松方程求解,所得到的势垒宽... 详细信息

p-n结势垒宽度和势垒电容在半导体器件的设计与制造工作中是经常需要计算的。这两者都是外加电压的函数,同时还与p-n结中的杂质分布有关。对于单边突变结和线性缓变结近似的情形,由势垒区电位所满足的一维泊松方程求解,所得到的势垒宽度和电容随外加电压和杂质浓度(或浓度梯度)而变化的关系,是简单的解析表达式。而对于实际的扩散p-n结,把它作为上述两种情形的近似,其范围是比较狭窄的。在不同的扩散条件下,p-n结杂质的分布情况也不同,有时往往是很复杂的。Lawrence和

关键词：势垒势垒电容 p-n

正向势垒电容的异常变化及其在参放变容管中的应用

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Journal of Semiconductors 1981年第3期8卷 222-233页

作者：江关辉南京固体器件研究所

在对P^+-N结正向电容进行全面分析的基础上,本文提出了一种使P^+-N结正向势垒电容异常变化的掺杂分布模型,它的特点是:结电容在正向偏压下有比普通突变结快得多的变化速度和较大的变化幅度.把该模型应用于结电容为 0.08—0.25 pF的 GaA... 详细信息

在对P^+-N结正向电容进行全面分析的基础上,本文提出了一种使P^+-N结正向势垒电容异常变化的掺杂分布模型,它的特点是:结电容在正向偏压下有比普通突变结快得多的变化速度和较大的变化幅度.把该模型应用于结电容为 0.08—0.25 pF的 GaAs参放变容管,结果表明,它提高了变容管的电容变化系数,并具有较高的零偏压截止频率,而且还降低了参放所需的泵功率.得到的样管参数为:零偏压截止频率400—700千兆赫、电容变化系数0.17-0.225,参放工作所需的泵功率仅10-20毫瓦.

关键词：势垒电容异常变化突变结变容管变容二极管电容变化

“P+-N结正向势垒电容异常变化”变容管模型的最佳化

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固体电子学研究与进展 1984年第4期 20-26页

作者：江关辉南京固体器件研究所

用计算机辅助设计,给出P+-N结正向势垒电容异常变化的变容管模型的最佳值解。据此研制的参放变容管性能为:γ[0.5V,-4V]=0.20～0.27,M=110～160。使用该器件的4GHz常温参放,噪声温度低达35K。

关键词：异常变化突变结变容管变容二极管势垒电容最佳化最优化结正计算机辅助设计计算机辅助技术

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应用势垒电容研究半导体中深能级杂质

南京邮电学院学报 1982年第1期 125-132页

作者：周凤林

半导体中深能级杂质对半导体材料的物理性质和半导体器件的性能有重要影响。本文概述了近年来应用势垒电容研究半导体中深能级杂质的一些主要方法,特别是利用含有深能级杂质的p—n结(或Schottky 结)电容与时间有关的瞬态电容法,并且讨... 详细信息

半导体中深能级杂质对半导体材料的物理性质和半导体器件的性能有重要影响。本文概述了近年来应用势垒电容研究半导体中深能级杂质的一些主要方法,特别是利用含有深能级杂质的p—n结(或Schottky 结)电容与时间有关的瞬态电容法,并且讨论了解释这些测量结果的理论模型。研究深能级杂质的 DLTS 法能比较迅速、精确地测定深能级杂质的多种参数,在此基础上进一步改进,从而提高测量精度。

关键词：深能级杂质费米能级 DLTS 结电容势垒电容电离能空穴载流子(半导体) 杂质浓度半导体器件电子设备发射率

晶体管发射极势垒电容C_(Te)的测试及数据处理

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辽宁大学学报（自然科学版） 1998年第1期25卷 37-41页

作者：丛众王荣刘怡都春燕辽宁大学电子科学与工程系

本文阐述了用ｆＴ测试仪，测试ＣＴｅ的原理，测试了３ＤＧ６０，３ＣＫ３和３ＣＧ２１ｃ的ＣＴｅ，并对大量测试结果用微机进行了处理，测试计算结果与经验公式给出的值吻合；

关键词：势垒电容外推法晶体管发射极

中子和电子辐照诱发硅NPN晶体管负电容现象的机理分析

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强激光与粒子束 2011年第10期23卷 2763-2766页

作者：王靳君田野石瑞英龚敏温景超巫晓燕四川大学物理科学与技术学院微电子学系成都610064 四川大学物理科学与技术学院微电子技术四川省重点实验室成都610064

研究了硅NPN双极型晶体管(C2060)的中子和电子辐照效应。实验结果显示:经中子和电子辐照后,晶体管扩散电容出现退化,甚至出现负电容(NC)现象;电子辐照后晶体管势垒电容出现明显退化,而中子辐照后并无此现象。对中子和电子辐照后晶体管... 详细信息

研究了硅NPN双极型晶体管(C2060)的中子和电子辐照效应。实验结果显示:经中子和电子辐照后,晶体管扩散电容出现退化,甚至出现负电容(NC)现象;电子辐照后晶体管势垒电容出现明显退化,而中子辐照后并无此现象。对中子和电子辐照后晶体管的退化机理进行了分析,认为:晶体管经中子和电子辐照后产生的缺陷团是产生NC现象的根本原因;中子和电子辐照后产生的缺陷团在晶体管内表现为复合中心,这些复合中心大大降低了少数载流子的数密度和寿命,从而使晶体管扩散电容出现严重退化,甚至出现NC现象;电子辐照产生的点缺陷使晶体管多子数密度降低,从而使势垒电容增大。

关键词： NPN晶体管负电容中子辐照电子辐照扩散电容势垒电容

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晶体管发射结正向电容的测量及分析

固体电子学研究与进展 2003年第1期23卷 96-102页

作者：周正刚杨恒青复旦大学材料科学系上海200433

晶体管发射结电容对晶体管的频率特性有很重要的影响 ,正确测量发射结正向偏压电容仍是很重要的课题。文中提出用交流测量和直流测量结合来测量晶体管发射结的正向偏压电容 ,分析了晶体管发射结正向电容随偏压的变化。文中还对大圆片测... 详细信息

晶体管发射结电容对晶体管的频率特性有很重要的影响 ,正确测量发射结正向偏压电容仍是很重要的课题。文中提出用交流测量和直流测量结合来测量晶体管发射结的正向偏压电容 ,分析了晶体管发射结正向电容随偏压的变化。文中还对大圆片测试图形中的晶体管进行了测试 ,估算了晶体管的正向渡越时间的范围 ,并得到晶体管发射结中等正向偏压以下的势垒电容。

关键词：电容测量结型晶体管发射结势垒电容正向渡越时间

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均匀掺杂硅外延层电阻率的电容测量法

浙江大学学报(工学版) 1984年第4期 100-106页

作者：黄树新

本文介绍一种基于固定偏压下,均匀掺杂材料的电阻率与其形成结时的势垒电容相对应的电容测量法。在不同掺杂浓度下,对肖特基势垒的内建电位作了修正,计算了不同的掺杂浓度和外加偏压下势垒电容的数值,画出了变化曲线。对一些样片进行测... 详细信息

本文介绍一种基于固定偏压下,均匀掺杂材料的电阻率与其形成结时的势垒电容相对应的电容测量法。在不同掺杂浓度下,对肖特基势垒的内建电位作了修正,计算了不同的掺杂浓度和外加偏压下势垒电容的数值,画出了变化曲线。对一些样片进行测量,与其它方法的测量结果相比较颇为一致。此方法能迅速、简便、准确地测得材料电阻率,尤其适宜于工业生产中进行大批量外延片电阻率及其均匀性的测量。同时此方法克服了容压法和三探针法对于外延层厚度薄、掺杂浓度低材料测量的局限性,并且具有较高的测量精度。

关键词：外延层均匀掺杂掺杂浓度势垒电容肖特基势垒金属-半导体接触电阻率电阻系数电容测量集中参数测量