SiGe HBT势垒电容模型

作     者：吕懿 张鹤鸣 戴显英 胡辉勇 舒斌 Lü Yi Zhang He Ming Dai Xian Ying Hu Hui Yong Shu Bin (Institute of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071,China)

作者机构：西安电子科技大学微电子所西安710071 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2004年第53卷第9期

页      面：3239-3244页

核心收录：

学科分类：0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

基　　金：国家部委预研基金 (批准号 :5 14 0 80 10 3 0 1DZ0 13 1) 模拟集成电路重点实验室基金 (批准号 :JS0 9 2 1 DZ0 1)资助的课题 

主　　题：SiGe HBT 势垒电容 微分电容 载流子分布 电流密度 异质结双极晶体管 

摘      要：在考虑SiGeHBT的势垒电容时 ,通常的耗尽层近似不再适用 ,应考虑可动载流子的影响 .在分析研究SiGeHBT载流子输运的基础上 ,建立了考虑发射结势垒区内载流子分布的发射结势垒电容模型和不同电流密度下包括基区扩展效应的集电结势垒电容模型 .将以上势垒电容模型应用于SiGeHBT频率特性模拟 。