中子和电子辐照诱发硅NPN晶体管负电容现象的机理分析

作     者：王靳君 田野 石瑞英 龚敏 温景超 巫晓燕 Wang Jinjun;Tian Ye;Shi Ruiying;Gong Min;Wen Jingchao;Wu Xiaoyan

作者机构：四川大学物理科学与技术学院微电子学系成都610064 四川大学物理科学与技术学院微电子技术四川省重点实验室成都610064 

出 版 物：《强激光与粒子束》 (High Power Laser and Particle Beams)

年 卷 期：2011年第23卷第10期

页      面：2763-2766页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0827[工学-核科学与技术] 082701[工学-核能科学与工程] 

主　　题：NPN晶体管 负电容 中子辐照 电子辐照 扩散电容 势垒电容 

摘      要：研究了硅NPN双极型晶体管(C2060)的中子和电子辐照效应。实验结果显示:经中子和电子辐照后,晶体管扩散电容出现退化,甚至出现负电容(NC)现象;电子辐照后晶体管势垒电容出现明显退化,而中子辐照后并无此现象。对中子和电子辐照后晶体管的退化机理进行了分析,认为:晶体管经中子和电子辐照后产生的缺陷团是产生NC现象的根本原因;中子和电子辐照后产生的缺陷团在晶体管内表现为复合中心,这些复合中心大大降低了少数载流子的数密度和寿命,从而使晶体管扩散电容出现严重退化,甚至出现NC现象;电子辐照产生的点缺陷使晶体管多子数密度降低,从而使势垒电容增大。