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SIT制造中的低温二次外延工艺

半导体杂志 1994年第3期19卷 6-11页

作者：陈显萼姚海伦杭州电子工业学院

ＳＩＴ之类的隐埋栅结型场效应管，在制作工艺中，为了达到把“栅”隐埋起来的目的，必须采用二次外延工艺．本文讨论了二次外延工艺的特点及采用硅烷外延实现二次外延的质量控制。

关键词： SIT 二次外延隐埋栅结型场效应器件

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缺陷表面氮化镓二次外延的分子动力学研究

湖北大学学报（自然科学版） 2018年第5期40卷 534-538页

作者：文于华贺致远田芃金佳鸿张梅汤莉莉湖南理工学院先进光学研究所湖南岳阳414006 湖南理工学院物理与电子学院湖南岳阳414006 工业和信息化部电子第五研究所广东广州510610 湖北大学知行学院湖北武汉430011

采用分子动力学方法研究含有表面缺陷的氮化镓材料的二次外延生长过程,探讨生长温度,表面缺陷数量和缺陷结构等对二次生长材料质量的影响.发现当在生长表面随机引入3.125%占比的空位缺陷且生长温度在1 373 K以上时,对材料质量的影响不明... 详细信息

采用分子动力学方法研究含有表面缺陷的氮化镓材料的二次外延生长过程,探讨生长温度,表面缺陷数量和缺陷结构等对二次生长材料质量的影响.发现当在生长表面随机引入3.125%占比的空位缺陷且生长温度在1 373 K以上时,对材料质量的影响不明显;当随机引入12.5%占比的空位缺陷时,可以改善二次生长材料的质量;当在生长表面上引入12.5%占比的2个六边形结构空位缺陷时,缺陷区域出现大量原子的岛状生长,同时原子排列变得无序,二次生长的材料生长质量明显劣化.

关键词：氮化镓分子动力学二次外延缺陷

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大功率808 nm分布反馈激光器阵列研制

固体电子学研究与进展 2024年第1期44卷 72-76页

作者：孙春明朱振任夫洋陈康苏建夏伟徐现刚山东大学新一代半导体材料研究院济南250100 济南大学物理科学与技术学院济南250022 山东华光光电子股份有限公司济南250000

为了提高808 nm大功率半导体激光器阵列的波长稳定性,提出了带有二阶布拉格光栅的大功率宽条型808 nm分布反馈激光器阵列。相比于传统的一阶布拉格光栅,其可以显著抑制简并纵模的产生,提高器件的波长锁定范围。借助于金属有机化学气相... 详细信息

为了提高808 nm大功率半导体激光器阵列的波长稳定性,提出了带有二阶布拉格光栅的大功率宽条型808 nm分布反馈激光器阵列。相比于传统的一阶布拉格光栅,其可以显著抑制简并纵模的产生,提高器件的波长锁定范围。借助于金属有机化学气相沉积、全息光刻、干法刻蚀以及湿法腐蚀等工艺,完成了器件的制备,并且在准连续条件(200 A、200μs、20 Hz)下,对所制备的激光器阵列进行了不同温度下的性能测试。测试结果表明:器件峰值输出功率可达到190 W,光电转换效率超过55%,光谱半高宽为0.6 nm,温漂系数为0.06 nm/K,波长锁定范围达到125℃(-35~90℃)。另外,对其进行了老化考评,结果显示,老化2 000 h后峰值功率衰减小于4%。

关键词：温漂系数二次外延全息光刻二阶光栅激光器阵列

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大功率分布反馈半导体激光器研究进展

微纳电子技术 2018年第6期55卷 388-396,407页

作者：李杨冯源李洋张昕岳光礼王志伟谢检来王霞郝永芹长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室

介绍了分布反馈半导体激光器（DFB-LD）的工作原理，分析了不同的光栅阶数及耦合机制对DFB-LD激光输出特性的影响。重点评述了大功率DFB-LD研究发展状况，从结构特性及技术手段等方面详细分析了不同技术方案的优势与不足：大功率二次外... 详细信息

介绍了分布反馈半导体激光器（DFB-LD）的工作原理，分析了不同的光栅阶数及耦合机制对DFB-LD激光输出特性的影响。重点评述了大功率DFB-LD研究发展状况，从结构特性及技术手段等方面详细分析了不同技术方案的优势与不足：大功率二次外延DFB-LD对光栅和有效光场耦合较好，但二次外延对技术控制精度要求极高且会引入缺陷；表面金属光栅边发射DFl3-LD避免了二次外延，但制作金属光栅时会出现欧姆接触电阻大和阈值特性劣化等问题；大功率表面光栅面发射DFB-LD虽然在获得高功率高质量光束方面有很大优势，且避免了二次外延，但存在光栅的表面耦合系数较低等技术难题。最后总结分析大功率DFB-LD技术发展趋势，对其广阔的应用前景进行展望。

关键词：半导体激光器高功率波长稳定性分布反馈光栅二次外延

大功率量子级联激光器的光学与热学协同优化设计

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激光与红外 2023年第9期53卷 1350-1359页

作者：杨若珂张东亮郑显通田旺柳渊鹿利单祝连庆王伟平北京信息科技大学光电信息与仪器北京市工程研究中心北京100016 北京信息科技大学仪器科学与光电工程学院北京100016 中国电子科技集团公司智能科技研究院北京100015

针对大功率量子级联激光器存在热积累严重的问题,本文基于MBE与MOCVD结合的二次外延生长InP基量子级联激光器结构的工艺方法,设计优化中波单管4W连续光输出的大功率量子级联激光器光学与散热性能。通过COMSOL软件对器件结构进行建模,设... 详细信息

针对大功率量子级联激光器存在热积累严重的问题,本文基于MBE与MOCVD结合的二次外延生长InP基量子级联激光器结构的工艺方法,设计优化中波单管4W连续光输出的大功率量子级联激光器光学与散热性能。通过COMSOL软件对器件结构进行建模,设计器件光学和热学结构模型,分析不同结构参数对器件性能的影响,得到最优结构参数:在In053Ga047As层厚度为50nm,波导下包层InP为1μm,上包层InP为2μm,封装金层厚度为3μm时,器件光学和热学综合性能最优,其中波导光限制因子为074,核心区温度为378 K。本文研究相关结论可为后续大功率中波量子级联激光器结构与工艺设计提供指导。

关键词：量子级联激光器二次外延波导结构热学结构协同优化