缺陷表面氮化镓二次外延的分子动力学研究

作     者：文于华 贺致远 田芃 金佳鸿 张梅 汤莉莉 WEN Yuhua;HE Zhiyuan;TIAN Peng;JIN Jiahong;ZHANG Mei;TANG Lili

作者机构：湖南理工学院先进光学研究所湖南岳阳414006 湖南理工学院物理与电子学院湖南岳阳414006 工业和信息化部电子第五研究所广东广州510610 湖北大学知行学院湖北武汉430011 

出 版 物：《湖北大学学报（自然科学版）》 (Journal of Hubei University：Natural Science)

年 卷 期：2018年第40卷第5期

页      面：534-538页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家自然科学基金(51407066) 湖南省自然科学基金(13JJ6066) 湖南省教育厅科学研究基金(14A062.16C0716)资助 

主　　题：氮化镓 分子动力学 二次外延 缺陷 

摘      要：采用分子动力学方法研究含有表面缺陷的氮化镓材料的二次外延生长过程,探讨生长温度,表面缺陷数量和缺陷结构等对二次生长材料质量的影响.发现当在生长表面随机引入3.125%占比的空位缺陷且生长温度在1 373 K以上时,对材料质量的影响不明显;当随机引入12.5%占比的空位缺陷时,可以改善二次生长材料的质量;当在生长表面上引入12.5%占比的2个六边形结构空位缺陷时,缺陷区域出现大量原子的岛状生长,同时原子排列变得无序,二次生长的材料生长质量明显劣化.