大功率808 nm分布反馈激光器阵列研制

作     者：孙春明 朱振 任夫洋 陈康 苏建 夏伟 徐现刚 SUN Chunming;ZHU Zhen;REN Fuyang;CHEN Kang;SU Jian;XIA Wei;XU Xiangang

作者机构：山东大学新一代半导体材料研究院济南250100 济南大学物理科学与技术学院济南250022 山东华光光电子股份有限公司济南250000 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2024年第44卷第1期

页      面：72-76页

学科分类：080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 0803[工学-光学工程] 

主　　题：温漂系数 二次外延 全息光刻 二阶光栅 激光器阵列 

摘      要：为了提高808 nm大功率半导体激光器阵列的波长稳定性,提出了带有二阶布拉格光栅的大功率宽条型808 nm分布反馈激光器阵列。相比于传统的一阶布拉格光栅,其可以显著抑制简并纵模的产生,提高器件的波长锁定范围。借助于金属有机化学气相沉积、全息光刻、干法刻蚀以及湿法腐蚀等工艺,完成了器件的制备,并且在准连续条件(200 A、200μs、20 Hz)下,对所制备的激光器阵列进行了不同温度下的性能测试。测试结果表明:器件峰值输出功率可达到190 W,光电转换效率超过55%,光谱半高宽为0.6 nm,温漂系数为0.06 nm/K,波长锁定范围达到125℃(-35~90℃)。另外,对其进行了老化考评,结果显示,老化2 000 h后峰值功率衰减小于4%。