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PZT铁电薄膜的低温原位生长

红外与毫米波学报 2008年第3期27卷 224-226页

作者：王震东赖珍荃范定寰张景基黄奇辉南昌大学物理系江西南昌330031

在溅射法预制备的LaNiO3/Si基片上,用射频溅射法在较低的衬底温度（235-310℃）和纯Ar气氛中原位生长Pb（Zr0.52Ti0.48）O3（PZT）薄膜.通过优化溅射功率、基片温度等工艺,最后在260℃的较低基片温度上成功制备出具有良好铁电性的PZT薄... 详细信息

在溅射法预制备的LaNiO3/Si基片上,用射频溅射法在较低的衬底温度（235-310℃）和纯Ar气氛中原位生长Pb（Zr0.52Ti0.48）O3（PZT）薄膜.通过优化溅射功率、基片温度等工艺,最后在260℃的较低基片温度上成功制备出具有良好铁电性的PZT薄膜.使用X射线衍射（XRD）测试样品的结构,原子力显微镜观察其表面形貌,TD-88A标准铁电测试系统测试样品（Ag/PZT/LNO结构）的铁电性能.结果表明：（1）溅射功率110W,基片温度260℃时,原位沉积的PZT呈（111）、（200）取向;（2）上述工艺制备的PZT薄膜展现良好的铁电性,在5V测试电压时,其剩余极化为23.1uc/cm^2,漏电流密度为1.34×10^-4A/cm^2.

关键词：铁电薄膜原位生长射频溅射钙钛矿相

溅射气压对DC磁控溅射制备AlN薄膜的影响

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南昌大学学报（理科版） 2011年第1期35卷 52-55页

作者：赖珍荃邹文祥李海翼刘文兴南昌大学物理学系江西南昌330031

采用DC反应磁控溅射法,在Si(111)和玻璃基底上成功的制备了AlN薄膜。研究溅射过程中溅射气压对薄膜性能的影响。结果表明:薄膜中原子比N/Al接近于1;当溅射气压低于0.6 Pa时,薄膜为非晶态;当溅射气压不低于0.6 Pa时,薄膜的XRD图中均出现... 详细信息

采用DC反应磁控溅射法,在Si(111)和玻璃基底上成功的制备了AlN薄膜。研究溅射过程中溅射气压对薄膜性能的影响。结果表明:薄膜中原子比N/Al接近于1;当溅射气压低于0.6 Pa时,薄膜为非晶态;当溅射气压不低于0.6 Pa时,薄膜的XRD图中均出现了6方相的AlN(100)、(110)和弱的(002)衍射峰,说明所制备的AlN薄膜为多晶态;气压为0.6 Pa时对应衍射峰的半高峰宽较小,薄膜的结晶性较好,随着溅射气压的继续增大,薄膜结晶性变差;在不同的溅射气压(0.6-1.0 Pa)下,AlN薄膜在250-1 000 nm波长范围内的透过率均在82%以上,且随溅射气压的增大略有升高。

关键词： AlN薄膜磁控溅射溅射气压透过率

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基底温度对磁控溅射制备氮化钛薄膜的影响

南昌大学学报（理科版） 2007年第6期31卷 545-548页

作者：蒋雅雅赖珍荃王震东黄奇辉南昌大学材料科学与工程学院江西南昌330031 南昌大学理学院江西南昌330031

在不同的基底温度下,采用直流磁控反应溅射法在硅基底上制备了氮化钛(TiNx)薄膜,研究了基底温度对薄膜结晶取向、表面形貌和导电性能的影响。实验结果表明:基底温度较低时,薄膜主要成分为四方相的Ti2N,具有(110)择优取向,当基底温度升高... 详细信息

在不同的基底温度下,采用直流磁控反应溅射法在硅基底上制备了氮化钛(TiNx)薄膜,研究了基底温度对薄膜结晶取向、表面形貌和导电性能的影响。实验结果表明:基底温度较低时,薄膜主要成分为四方相的Ti2N,具有(110)择优取向,当基底温度升高到360℃时薄膜中开始出现立方相的TiN。TiNx薄膜致密均匀,粗糙度小。随着基底温度的升高薄膜的电阻率显著减小。

关键词：磁控溅射 TiN薄膜基底温度

用于微机电系统的SiO_2/Si_3N_4驻极体的制备及电荷稳定性

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功能材料 2007年第8期38卷 1297-1299,1303页

作者：肖慧明温中泉张锦文陈钢进浙江科技学院功能材料研究所浙江杭州310012 重庆大学微系统研究中心重庆400044 北京大学微电子学研究院北京100871

驻极体微型发电机是近期提出的微电子机械系统开发中的一个新领域,驻极体电荷稳定性则是影响驻极体微型发电机性能的关键。用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备SiO2/Si3N4双层膜,采用电晕充电和热极化方法对材料进行注极形成驻极... 详细信息

驻极体微型发电机是近期提出的微电子机械系统开发中的一个新领域,驻极体电荷稳定性则是影响驻极体微型发电机性能的关键。用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备SiO2/Si3N4双层膜,采用电晕充电和热极化方法对材料进行注极形成驻极体,探讨了器件加工工艺及存储环境对双层膜驻极体电荷稳定性的影响。结果表明,电晕充电后SiO2/Si3N4双层膜的电荷存储稳定性明显优于SiO2单层膜;传统的电晕注极方法仅适用于大面积驻极体的制备,但对微米量级的材料表面不适用;微器件制备的工艺流程对驻极体电荷稳定性有显著影响,但存储环境对热极化驻极体电荷稳定性的影响很小。

关键词：驻极体微型发电机 SiO2/Si3N4双层膜电荷稳定性微器件加工

聚丙烯非织造布的驻极体电荷存储特性和稳定性

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纺织学报 2007年第9期28卷 125-128页

作者：陈钢进肖慧明王耀翔浙江科技学院功能材料研究所浙江杭州310012

在综述聚丙烯非织造布驻极体电荷存储特性和稳定性最新研究成果的基础上,结合聚合物驻极体材料中电荷存储的基本规律和聚丙烯非织造布的化学结构特点,分析聚丙烯非织造布驻极体电荷的存储特性和稳定性。指出当电流通过介质时空间电荷在... 详细信息

在综述聚丙烯非织造布驻极体电荷存储特性和稳定性最新研究成果的基础上,结合聚合物驻极体材料中电荷存储的基本规律和聚丙烯非织造布的化学结构特点,分析聚丙烯非织造布驻极体电荷的存储特性和稳定性。指出当电流通过介质时空间电荷在晶粒的2个端面上的积聚、结晶区及结晶区和非结晶区之间产生的界面极化是聚丙烯非织造布驻极体电荷的2个主要来源,并就如何提高聚丙烯非织造布驻极体空气过滤材料的电荷稳定性提出了看法。

关键词：聚丙烯非织造布驻极体电荷稳定性空气过滤材料

氮气流量对反应磁控溅射制备TiN_x薄膜的影响

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南昌大学学报（工科版） 2008年第2期30卷 138-141页

作者：朱秀榕赖珍荃蒋雅雅范定寰南昌大学物理学系江西南昌330031

采用直流磁控溅射法,在S i基底上制备TiNx薄膜。研究了溅射沉积过程中氮气流量对TiNx薄膜生长及性能的影响。研究发现:在其它工艺参数不变的情况下,改变N2流量,薄膜的主要成分是(110)择优取向的四方相Ti2N。随着N2流量的增加,薄膜的厚... 详细信息

采用直流磁控溅射法,在S i基底上制备TiNx薄膜。研究了溅射沉积过程中氮气流量对TiNx薄膜生长及性能的影响。研究发现:在其它工艺参数不变的情况下,改变N2流量,薄膜的主要成分是(110)择优取向的四方相Ti2N。随着N2流量的增加,薄膜的厚度逐渐增加,薄膜粗糙度、颗粒尺寸和电阻率先减小后变大。

关键词：氮化钛薄膜磁控溅射氮气流量

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对基于激光单缝衍射测量实验的优化

物理实验 2019年第3期39卷 20-23页

作者：李俊莫绪涛黄仙山安徽工业大学数理科学与工程学院安徽马鞍山243032 同济大学物理科学与工程学院上海200092

根据惠更斯-菲涅耳原理,从理论上分析计算了基模激光光束因其在衍射平面上光强和相位的不均匀性对衍射光强分布的影响.在实验中设计了双透镜结构降低以上因素带来的影响,使得以基模激光作为光源时的衍射光强分布与均匀光近似相同,进而... 详细信息

根据惠更斯-菲涅耳原理,从理论上分析计算了基模激光光束因其在衍射平面上光强和相位的不均匀性对衍射光强分布的影响.在实验中设计了双透镜结构降低以上因素带来的影响,使得以基模激光作为光源时的衍射光强分布与均匀光近似相同,进而实现对亚毫米尺寸的非接触式测量.

关键词：基膜激光单缝衍射双透镜

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直流反应磁控溅射氮化钛薄膜及其性能的研究

直流反应磁控溅射氮化钛薄膜及其性能的研究

PVDF/PTFE双层复合驻极体膜的制备及压电性

第十七届十三省（市）光学学术年会暨“五省一市光学联合年会”

作者：朱秀榕赖珍荃刘倩范定寰李海翼南昌大学物理学系

采用直流反应磁控溅射法,在Si(111)基底上制备氮化钛(TiNx)薄膜。研究了溅射沉积过程中基底温度对TiNx薄膜结构及性能的影响。研究发现:在其它工艺参数不变的情况下,改变基底温度,薄膜的主要成分是立方相TiN,240℃附近是TiN薄膜择优取向... 详细信息

采用直流反应磁控溅射法,在Si(111)基底上制备氮化钛(TiNx)薄膜。研究了溅射沉积过程中基底温度对TiNx薄膜结构及性能的影响。研究发现:在其它工艺参数不变的情况下,改变基底温度,薄膜的主要成分是立方相TiN,240℃附近是TiN薄膜择优取向由(111)向(200)转变的临界点。随着基底温度升高,薄膜表面粗糙度先变小后变大,温度达到330℃时薄膜粗糙度存在最小值。薄膜具有较好的光学反射率,平均反射率最高可达77.6%。

关键词：氮化钛薄膜磁控溅射基底温度反射率

来源： cnki会议评论

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cnki会议

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功能材料 2007年第A2期38卷 751-753页

作者：肖慧明徐弼军陈钢进浙江科技学院功能材料研究所浙江杭州310023

基于利用PTFE优异的电荷储存性能，诱导和稳定PVDFβ相的形成以提高复合材料的压电性的思想，采用旋涂工艺和电晕放电方法制备了PVDF/PTFE复合驻极体压电膜，借助压电系数和表面电位测量相结合的方法，研究了制备工艺对复合膜驻极体性... 详细信息

基于利用PTFE优异的电荷储存性能，诱导和稳定PVDFβ相的形成以提高复合材料的压电性的思想，采用旋涂工艺和电晕放电方法制备了PVDF/PTFE复合驻极体压电膜，借助压电系数和表面电位测量相结合的方法，研究了制备工艺对复合膜驻极体性能的影响，并结合XRD衍射分析，研究了结晶形态与压电性的关系．结果表明复合膜d33压电系数最高达75pC/N，明显优于PVDF单层膜，其原因与复合膜电荷存储能力的提高及复合膜PVDF微晶中β相含量的增加有关．

关键词： PVDF/PTFE复合膜驻极体压电性旋涂法