PZT铁电薄膜的低温原位生长

作     者：王震东 赖珍荃 范定寰 张景基 黄奇辉 WANG Zhen-Dong;LAI Zhen-Quan;FAN Ding-Huan;ZHANG Jing-Ji;HUANG Qi-Hui

作者机构：南昌大学物理系江西南昌330031 

出 版 物：《红外与毫米波学报》 (Journal of Infrared and Millimeter Waves)

年 卷 期：2008年第27卷第3期

页      面：224-226页

核心收录：

学科分类：08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：江西省自然科学基金(512026) 同济大学波与材料微结构重点实验室开放基金(Z03399) 南昌大学分析测试基金(2005030) 

主　　题：铁电薄膜 原位生长 射频溅射 钙钛矿相 

摘      要：在溅射法预制备的LaNiO3/Si基片上,用射频溅射法在较低的衬底温度（235-310℃）和纯Ar气氛中原位生长Pb（Zr0.52Ti0.48）O3（PZT）薄膜.通过优化溅射功率、基片温度等工艺,最后在260℃的较低基片温度上成功制备出具有良好铁电性的PZT薄膜.使用X射线衍射（XRD）测试样品的结构,原子力显微镜观察其表面形貌,TD-88A标准铁电测试系统测试样品（Ag/PZT/LNO结构）的铁电性能.结果表明：（1）溅射功率110W,基片温度260℃时,原位沉积的PZT呈（111）、（200）取向;（2）上述工艺制备的PZT薄膜展现良好的铁电性,在5V测试电压时,其剩余极化为23.1uc/cm^2,漏电流密度为1.34×10^-4A/cm^2.