DC磁控溅射制备的TiN_x薄膜组分及性能分析

作     者：李海翼 赖珍荃 朱秀榕 胡敏 LI Hai-Yi;LAI Zhen-Quan;ZHU Xiu-Rong;HU Min

作者机构：南昌大学物理系江西南昌330031 

出 版 物：《红外与毫米波学报》 (Journal of Infrared and Millimeter Waves)

年 卷 期：2010年第29卷第4期

页      面：245-247页

核心收录：

学科分类：07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金资助(No.50730007) 同济大学波与材料微结构重点实验室开放基金资助(No.200602) 

主　　题：氮化钛薄膜 磁控溅射 反射率 电阻率 

摘      要：利用DC磁控溅射法在p-Si(111)衬底上制备了TiNx薄膜.利用X射线能谱仪(EDX)、X射线衍射(XRD)、紫外/可见分光光度计、四探针电阻率测试仪等分析了薄膜的组分、结构和光电特性.结果表明,薄膜中N/Ti原子比接近于1;衬底温度对薄膜的择优取向影响显著,240℃附近是TiNx薄膜结晶择优取向由(111)向(200)转变的临界点;薄膜在近红外波段平均反射率随衬底温度的升高,先增大后减小;薄膜的电阻率随着衬底温度的升高而显著降低.