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28 nm超薄体FD-SOI高温特性研究

微电子学 2021年第4期51卷 577-581页

作者：张颢译曾传滨李晓静高林春罗家俊韩郑生中国科学院微电子研究所北京100029 中国科学院硅器件技术重点实验室北京100029 中国科学院大学北京100049

研究了低阈值电压(LVT)结构的28 nm超薄体全耗尽绝缘体上硅(FD-SOI)MOSFET的高温下特性。在300℃下对器件进行测试,将FD-SOI与部分耗尽(PD)SOI进行参数对比。结合理论分析,证明了高温下超薄体FD-SOI具有比PD-SOI更低的阈值电压漂移率和... 详细信息

研究了低阈值电压(LVT)结构的28 nm超薄体全耗尽绝缘体上硅(FD-SOI)MOSFET的高温下特性。在300℃下对器件进行测试,将FD-SOI与部分耗尽(PD)SOI进行参数对比。结合理论分析,证明了高温下超薄体FD-SOI具有比PD-SOI更低的阈值电压漂移率和亚阈值摆幅。在300℃高温下工作时,SOI MOSFET的参数发生退化,阈值电压减小,泄漏电流增加,栅极对沟道电流的控制能力大大减小。超薄体FD-SOI的设计可使器件的高温性能更加稳定,将电路的工作温度提高到300℃。

关键词：高温器件阈值电压亚阈值摆幅超薄体FD-SOI

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一个基于BSIM3的LDMOS大信号模型

微电子学 2013年第1期43卷 130-133页

作者：龚鸿雁卜建辉姜一波王帅杜寰韩郑生中国科学院微电子研究所北京100029

提出了一个基于BSIM3的LDMOS大信号模型。LDMOS晶体管分为本征MOS晶体管和漂移区电阻两部分,本征MOS晶体管采用BSIM3模型,漂移区电阻采用一个随栅漏电压变化的电阻模型。根据ISE仿真结果,可以得到漂移区电阻模型。模型考虑自加热效应后... 详细信息

提出了一个基于BSIM3的LDMOS大信号模型。LDMOS晶体管分为本征MOS晶体管和漂移区电阻两部分,本征MOS晶体管采用BSIM3模型,漂移区电阻采用一个随栅漏电压变化的电阻模型。根据ISE仿真结果,可以得到漂移区电阻模型。模型考虑自加热效应后,经过参数提取,模拟数据可以很好地与实际器件的测试数据相吻合,说明模型可用于LDMOS功率器件的电路仿真。

关键词： LDMOS 漂移区电阻大信号模型自加热效应

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部分耗尽SOI器件背栅界面陷阱密度的提取

微电子学 2015年第6期45卷 817-819,828页

作者：赵洪利高林春曾传滨刘魁勇罗家俊韩郑生中国科学院微电子研究所北京100029 辽宁大学沈阳110036

利用基于复合理论的直流电流电压法,提取SOI器件背栅界面陷阱密度。给出了具体的测试原理,以0.13μm SOI工艺制造的部分耗尽NMOS和PMOS器件为测试对象,分别对两种器件的背界面复合电流进行测试。将实验得到的界面复合电流值与理论公式... 详细信息

利用基于复合理论的直流电流电压法,提取SOI器件背栅界面陷阱密度。给出了具体的测试原理,以0.13μm SOI工艺制造的部分耗尽NMOS和PMOS器件为测试对象,分别对两种器件的背界面复合电流进行测试。将实验得到的界面复合电流值与理论公式作最小二乘拟合,不仅可以获得背界面陷阱密度,还可以得到界面陷阱密度所在的等效能级。结果表明,采用智能剥离技术制备的SOI器件的背界面陷阱密度量级均为1010cm-2,但NMOS器件的背界面陷阱密度略大于PMOS器件,并给出了界面陷阱密度所在的等效能级。

关键词：直流电流电压方法复合理论背界面陷阱密度等效能级

新形势下《农业机械化生产学》课程教学体系思考与探索

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中国农机化学报 2018年第2期39卷 115-118页

作者：戴飞黄晓鹏万芳新孙伟韩正晟甘肃农业大学机电工程学院兰州市730070

结合新形势下我国农机化发展面临的新方向与问题,通过对近5年《农业机械化生产学》讲述过程中课程教学体系存在的三方面主要问题进行论述,提出"十三五"农业现代化背景下该课程教学体系探索理念。针对课程内容的编排与修订、课程设置的... 详细信息

结合新形势下我国农机化发展面临的新方向与问题,通过对近5年《农业机械化生产学》讲述过程中课程教学体系存在的三方面主要问题进行论述,提出"十三五"农业现代化背景下该课程教学体系探索理念。针对课程内容的编排与修订、课程设置的讨论与确定、授课方式的改进与创新进行了进一步的思考与规划,探索出新形势下农机专业《农业机械化生产学》新型教学体系框架。研究结果将为农机类专业《农业机械化生产学》课程教学的有效实施提供参考与借鉴。

关键词：农业机械化生产学教学体系课程教学思考探索

A Total Dose Radiation Hardened PDSOI CMOS 3-Line to 8-Line Decoder

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Journal of Semiconductors 2008年第6期29卷 1036-1039页

作者：刘梦新韩郑生李多力刘刚赵超荣赵发展中国科学院微电子研究所北京100029

The first domestic total dose hardened 2μm partially depleted silicon-on-insulator （PDSOI） CMOS 3-line to 8- line decoder fabricated in SIMOX is demonstrated. The radiation performance is characterized by transistor threshold voltage shifts,circuit static leakage currents,and I-V curves as a function of total dose up to 3× 10^5rad（Si）. The worst case threshold voltage shifts of the front channels are less than 20mV for nMOS transistors at 3 × 10^5rad（Si） and follow-up irradiation and less than 70mV for the pMOS transistors. Furthermore, no significant radiation induced leakage currents and functional degeneration are observed.

关键词： PDSOI decoder total dose radiation

用于ESD防护的PDSOI NMOS器件高温特性

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半导体技术 2021年第3期46卷 210-215页

作者：王加鑫李晓静赵发展曾传滨李博韩郑生罗家俊中国科学院微电子研究所北京100029 中国科学院硅器件技术重点实验室北京100029 中国科学院大学北京100049

研究了基于0.18μm部分耗尽型绝缘体上硅(PDSOI)工艺的静电放电(ESD)防护NMOS器件的高温特性。借助传输线脉冲(TLP)测试系统对该ESD防护器件在30~195℃内的ESD防护特性进行了测试。讨论了温度对ESD特征参数的影响,发现随着温度升高,该ES... 详细信息

研究了基于0.18μm部分耗尽型绝缘体上硅(PDSOI)工艺的静电放电(ESD)防护NMOS器件的高温特性。借助传输线脉冲(TLP)测试系统对该ESD防护器件在30~195℃内的ESD防护特性进行了测试。讨论了温度对ESD特征参数的影响,发现随着温度升高,该ESD防护器件的一次击穿电压和维持电压均降低约11%,失效电流也降低近9.1%,并通过对器件体电阻、源-体结开启电压、沟道电流、寄生双极结型晶体管(BJT)的增益以及电流热效应的分析,解释了ESD特征参数发生上述变化的原因。研究结果为应用于高温电路的ESD防护器件的设计与开发提供了有效参考。

关键词：静电放电(ESD) 绝缘体上硅(SOI) NMOSFET 高温传输线脉冲(TLP)

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FinFET器件总剂量效应研究进展

微电子学 2020年第6期50卷 875-884页

作者：张峰源李博刘凡宇杨灿黄杨张旭罗家俊韩郑生中国科学院微电子研究所北京100029 中国科学院大学北京100049 中国科学院硅器件技术重点实验室北京100029

全面综述鳍式场效应晶体管(FinFET)的总剂量效应,包括辐照期间外加偏置、器件的工艺参数、提高器件驱动能力的特殊工艺、源/漏掺杂类型以及不同栅介质材料和新沟道材料与FinFET总剂量效应的关系。对于小尺寸器件,绝缘体上硅(SOI)FinFET... 详细信息

全面综述鳍式场效应晶体管(FinFET)的总剂量效应,包括辐照期间外加偏置、器件的工艺参数、提高器件驱动能力的特殊工艺、源/漏掺杂类型以及不同栅介质材料和新沟道材料与FinFET总剂量效应的关系。对于小尺寸器件,绝缘体上硅(SOI)FinFET比体硅FinFET具有更强的抗总剂量能力,更适合于高性能抗辐照的集成电路设计。此外,一些新的栅介质材料和一些新的沟道材料的引入,如HfO2和Ge,可以进一步提高FinFET器件的抗总剂量能力。

关键词：总剂量效应体硅FinFET器件 SOI FinFET器件新材料

纵轴流式小区小麦育种联合收获机原理方案设计

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农机化研究 2015年第6期37卷 120-123,140页

作者：王松林敬志臣韩正晟王波戴飞高爱民甘肃农业大学工学院兰州730070 陇东学院机械工程学院甘肃庆阳745000

为获得一种适宜我国现代农业推广与发展的小区小麦育种机械设计方案,运用现代设计理论对拟研发的小区小麦育种联合收获机进行原理方案设计。从系统的功能出发,通过形态学矩阵法确定收获机的4个优设计方案,并依据定性与定量分析结果选定... 详细信息

为获得一种适宜我国现代农业推广与发展的小区小麦育种机械设计方案,运用现代设计理论对拟研发的小区小麦育种联合收获机进行原理方案设计。从系统的功能出发,通过形态学矩阵法确定收获机的4个优设计方案,并依据定性与定量分析结果选定了最佳设计方案。

关键词：小区小麦育种联合收获机原理方案形态学矩阵法

改进的RF-LDMOS小信号模型参数提取方法

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半导体技术 2012年第2期37卷 159-163页

作者：王帅李科陈蕾姜一波龚鸿雁杜寰韩郑生中国科学院微电子研究所北京100029

准确地提取RF-LDMOS小信号模型参数对LDMOS大信号模型建模十分重要,而且好的小信号模型能很好地反映微波器件的性能。针对LDMOS提出了一种改进的小信号模型参数提取方法,此方法增加了测试结构的建模和参数提取,极大地方便了S参数曲线的... 详细信息

准确地提取RF-LDMOS小信号模型参数对LDMOS大信号模型建模十分重要,而且好的小信号模型能很好地反映微波器件的性能。针对LDMOS提出了一种改进的小信号模型参数提取方法,此方法增加了测试结构的建模和参数提取,极大地方便了S参数曲线的拟合,而且对于测试版图的研究有一定的指导意义。由此方法提取的小信号模型与实验测试数据在0.1～8 GHz拟合的很好,并且准确地预测了器件的特征频率。该模型和方法能够很好的适用于LDMOS的L,S波段小信号建模和参数提取。

关键词： LDMOS 小信号模型去嵌入参数提取曲线拟合