一个基于BSIM3的LDMOS大信号模型
A Large Signal Model of LDMOS Based on BSIM3作者机构：中国科学院微电子研究所北京100029
出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)
年 卷 期：2013年第43卷第1期
页 面：130-133页
学科分类：08[工学] 081201[工学-计算机系统结构] 0812[工学-计算机科学与技术（可授工学、理学学位）]
摘 要：提出了一个基于BSIM3的LDMOS大信号模型。LDMOS晶体管分为本征MOS晶体管和漂移区电阻两部分,本征MOS晶体管采用BSIM3模型,漂移区电阻采用一个随栅漏电压变化的电阻模型。根据ISE仿真结果,可以得到漂移区电阻模型。模型考虑自加热效应后,经过参数提取,模拟数据可以很好地与实际器件的测试数据相吻合,说明模型可用于LDMOS功率器件的电路仿真。
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