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AlGaN基共振腔增强的p-i-n型紫外探测器

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Journal of Semiconductors 2007年第12期28卷 1957-1960页

作者：姬小利江若琏周建军刘斌谢自力韩平张荣郑有炓龚海梅南京大学物理系江苏省光电功能材料重点实验室南京210093 中国科学院上海技术物理研究所上海200080

设计了目标探测波长为320nm的AlGaN基共振腔增强的p-i-n型紫外光电探测器,共振腔由分别作为底镜和顶镜的AlN/Al0.3Ga0.7 N布拉格反射镜和空气/GaN界面组成,有源区p-GaN/i-GaN/n-Al0.38Ga0.62 N被置于腔内.该结构采用金属有机物化学气相... 详细信息

设计了目标探测波长为320nm的AlGaN基共振腔增强的p-i-n型紫外光电探测器,共振腔由分别作为底镜和顶镜的AlN/Al0.3Ga0.7 N布拉格反射镜和空气/GaN界面组成,有源区p-GaN/i-GaN/n-Al0.38Ga0.62 N被置于腔内.该结构采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底和GaN模板上外延生长得到.光谱响应测试显示了正入射时该器件在波长313nm处出现响应的选择增强,零偏压下响应度为14mA/W.

关键词：紫外探测器共振腔增强 AIGaN 分布布拉格反射镜传递矩阵方法

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InGaN太阳电池转换效率的理论计算

Journal of Semiconductors 2007年第9期28卷 1392-1395页

作者：文博周建军江若琏谢自力陈敦军姬小利韩平张荣郑有炓南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室南京210093

根据pn结太阳电池的电流-电压方程,计算了在理想情况下,InGaN材料应用于单结、双结和三结太阳电池时,其转换效率可分别高达27.3%,36.6%和41.3%,均高于通常半导体材料太阳电池.同时,计算还得出了3种InGaN太阳电池的最佳带隙宽度及相应的I... 详细信息

根据pn结太阳电池的电流-电压方程,计算了在理想情况下,InGaN材料应用于单结、双结和三结太阳电池时,其转换效率可分别高达27.3%,36.6%和41.3%,均高于通常半导体材料太阳电池.同时,计算还得出了3种InGaN太阳电池的最佳带隙宽度及相应的In组分,为设计InGaN太阳电池提供了理论依据.

关键词： InGaN 太阳电池转换效率理论计算

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复方克霉唑乳膏中尿素及其缩二脲的质量控制

中国药业 2023年第19期32卷 95-99页

作者：贾微微程杰吴小英卫星红谢子立安徽省食品药品检验研究院安徽合肥230051

目的建立测定复方克霉唑乳膏中尿素及其降解产物缩二脲含量的高效液相色谱(HPLC)法,以及鉴定缩二脲的超高效液相色谱-四极杆-静电场轨道阱高分辨质谱(UHPLC-Q-Orbitrap HRMS)法。方法色谱柱为Welch Ultimate HILIC Amide柱(250 mm×4.... 详细信息

目的建立测定复方克霉唑乳膏中尿素及其降解产物缩二脲含量的高效液相色谱(HPLC)法,以及鉴定缩二脲的超高效液相色谱-四极杆-静电场轨道阱高分辨质谱(UHPLC-Q-Orbitrap HRMS)法。方法色谱柱为Welch Ultimate HILIC Amide柱(250 mm×4.6 mm,5.0μm),流动相为乙腈-0.1%甲酸溶液(95∶5,V/V),流速为0.8 mL/min,柱温为35℃,检测波长为195 nm,进样量为10μL;离子源为高频火花诱导断裂电离(HESI)源,正离子模式检测,一级全扫描/数据依赖二级扫描模式扫描。结果确认了尿素的有关物质缩二脲。尿素与缩二脲能有效分离,辅料无干扰。尿素、缩二脲质量浓度分别在0.050 9~1.017 6 mg/mL(r=1.000 0,n=5)和0.114 5~4.581 7μg/mL(r=0.999 9,n=5)范围内与峰面积线性关系良好;平均加样回收率分别为101.44%和99.47%,RSD分别为0.48%和0.90%(n=9)。结论该方法专属性强、操作简便、准确度高,可用于复方克霉唑乳膏中尿素及其降解杂质缩二脲的测定。

关键词：复方克霉唑乳膏尿素缩二脲超高效液相色谱-四极杆-静电场轨道阱高分辨质谱法质量控制

基于蓝绿光Micro-LED的可见光通信芯片调制带宽研究

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半导体光电 2021年第4期42卷 469-473,487页

作者：王轩陶涛刘斌许非凡梁师豪苗涛刘晓燕智婷谢自力张荣郑有炓南京大学电子科学与工程学院南京210046 南京邮电大学电子与光学工程学院南京210023 南京邮电大学微电子学院南京210023 厦门大学福建厦门361005

基于氮化镓微米LED(Micro-LED)的可见光通信(Visible Light Communication,VLC)技术成为近年来的研究热点。通过深紫外光刻技术制备了小尺寸的氮化镓基蓝/绿光Micro-LED芯片,深入研究了40~10μm不同尺寸Micro-LED器件的性能,以及其作为... 详细信息

基于氮化镓微米LED(Micro-LED)的可见光通信(Visible Light Communication,VLC)技术成为近年来的研究热点。通过深紫外光刻技术制备了小尺寸的氮化镓基蓝/绿光Micro-LED芯片,深入研究了40~10μm不同尺寸Micro-LED器件的性能,以及其作为VLC光源的调制带宽能力。研究发现,随着LED器件尺寸的缩小,其调制带宽显著增加。通过在电极间加入电磁屏障以及对LED器件侧壁进行钝化修复,直径为10μm的绿光Micro-LED亮度可达1×10^(8) cd/m^(2),直径为20μm的蓝光Micro-LED的调制带宽可达372.6MHz。研究结果表明,基于氮化镓的Micro-LED芯片在调制带宽上仍有较大的提升空间,经过进一步的研究,有望推动高速可见光通信的系统应用。

关键词：可见光通信(VLC) Micro-LED 调制带宽氮化镓

红橙光InGaN/GaN量子阱的结构与光学性质研究

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半导体技术 2011年第10期36卷 747-750页

作者：苏辉张荣谢自力刘斌李毅傅德颐赵红华雪梅韩平施毅郑有炓南京大学电子科学与工程学院江苏省光电信息功能材料重点实验室南京210093

采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术生长了具有高In组分InGaN阱层的InGaN/GaN多量子阱(MQW)结构,高分辨X射线衍射(HRXRD)ω-2θ扫描拟合得到阱层In含量28%。比较大的表面粗糙度表明有很大的位错密度。室温下光致荧光(PL)研究发现该... 详细信息

采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术生长了具有高In组分InGaN阱层的InGaN/GaN多量子阱(MQW)结构,高分辨X射线衍射(HRXRD)ω-2θ扫描拟合得到阱层In含量28%。比较大的表面粗糙度表明有很大的位错密度。室温下光致荧光(PL)研究发现该量子阱发射可见的红橙光,峰位波长在610 nm附近。变温PL(15～300 K)进一步揭示量子阱在低温下有两个发光机制,对应的发射峰波长分别为538 nm和610 nm。由于In分凝和载流子的局域化导致的载流子动力改变,使得量子阱PL发光峰值随温度增加呈明显的"S"变化趋势。

关键词： InGaN/GaN多量子阱金属有机化学气相沉积光致荧光谱原子力显微镜红橙光

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薄膜材料研究中的XRD技术

微纳电子技术 2009年第2期46卷 108-114页

作者：周元俊谢自力张荣刘斌李弋张曾傅德颐修向前韩平顾书林郑有炓南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室南京210093

晶格参数、应力、应变和位错密度是薄膜材料的几个重要的物理量,X射线衍射(XRD)为此提供了便捷而无损的检测手段。分别从以上几个方面阐述了XRD技术在薄膜材料研究中的应用:介绍了采用XRD测量半导体薄膜的晶格参数;结合晶格参数的测量... 详细信息

晶格参数、应力、应变和位错密度是薄膜材料的几个重要的物理量,X射线衍射(XRD)为此提供了便捷而无损的检测手段。分别从以上几个方面阐述了XRD技术在薄膜材料研究中的应用:介绍了采用XRD测量半导体薄膜的晶格参数;结合晶格参数的测量讨论了半导体异质结构的应变与应力;重点介绍了利用Mosaic模型分析位错密度,其中比较了几种不同的通过XRD处理Mosaic模型,且讨论了它们计算位错密度时的优劣。综合XRD技术的理论及在以上几个方面的最新研究进展,对XRD将来的发展做出了展望。

关键词： X射线衍射晶格参数应力应变位错密度 Mosaic模型

高温高压合成Co掺杂ZnO基DMS及其磁性特征

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Journal of Semiconductors 2008年第6期29卷 1156-1159页

作者：张国煜修向前张荣陶志阔崔旭高张佳辰谢自力徐小农郑有炓南京大学物理系光电信息功能材料重点实验室南京210093

采用高温高压方法将由溶胶-凝胶(Sol-gel)法制备的Co掺杂ZnO基稀磁半导体纳米颗粒置于6GPa压强和1000℃环境中处理,并研究其结构和磁学性质.XRD,XPS以及HRTEM等结构测量和分析表明,在掺杂浓度不高时,Co2+离子被较好地掺杂到了ZnO晶格中... 详细信息

采用高温高压方法将由溶胶-凝胶(Sol-gel)法制备的Co掺杂ZnO基稀磁半导体纳米颗粒置于6GPa压强和1000℃环境中处理,并研究其结构和磁学性质.XRD,XPS以及HRTEM等结构测量和分析表明,在掺杂浓度不高时,Co2+离子被较好地掺杂到了ZnO晶格中,没有第二相或者团簇存在;而在中高浓度掺杂时,有CoO相形成.SQUID磁性测量显示,样品具有室温铁磁性.

关键词：高温高压 ZnO稀磁半导体 Co掺杂

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In_2O_3纳米线制备及其特性

Journal of Semiconductors 2006年第3期27卷 536-540页

作者：谢自力张荣高超刘斌李亮修向前朱顺明顾书林韩平江若琏施毅郑有炓南京大学物理系江苏省光电功能材料重点实验室南京210093

使用管式加热炉成功地制备出In_2O_3纳米线.通过扫描电子显微镜可以看到样品为In_2O_3纳米线;X射线衍射分析证实该材料是立方结构的In_2O_3;X射线光电子谱分析发现该In_2O_3中存在大量氧缺陷;光致发光谱研究显示制得的In_2O_3纳米线有... 详细信息

使用管式加热炉成功地制备出In_2O_3纳米线.通过扫描电子显微镜可以看到样品为In_2O_3纳米线;X射线衍射分析证实该材料是立方结构的In_2O_3;X射线光电子谱分析发现该In_2O_3中存在大量氧缺陷;光致发光谱研究显示制得的In_2O_3纳米线有比较强的发光现象,主要集中在紫外光谱区.同时对反应的气相-固相(V-S)生长机理和In_2O_3的光致发光机理进行了详细分析.

关键词： In2O3 纳米线 X射线衍射扫描电子显微镜

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石墨烯上生长GaN纳米线的研究

半导体光电 2017年第6期38卷 813-817页

作者：陈丁丁陈琳修向前李悦文付润定华雪梅谢自力刘斌陈鹏张荣郑有炓南京大学电子科学与工程学院南京210046

在常压条件下采用化学气相淀积(CVD)技术在有石墨烯插入层的衬底上生长GaN纳米线,研究了生长温度、石墨烯插入层、催化剂等因素对GaN纳米线的形貌、光学特性以及结构的影响。通过扫描电子显微镜(SEM)、光致发光(PL)谱、拉曼(Raman)谱和... 详细信息

在常压条件下采用化学气相淀积(CVD)技术在有石墨烯插入层的衬底上生长GaN纳米线,研究了生长温度、石墨烯插入层、催化剂等因素对GaN纳米线的形貌、光学特性以及结构的影响。通过扫描电子显微镜(SEM)、光致发光(PL)谱、拉曼(Raman)谱和透射电子显微镜(TEM)等表征手段对GaN纳米线的形貌、光学特性以及结构进行表征。结果表明,在1 100℃条件下,同时有石墨烯插层和催化剂的衬底表面能够获得低应力单晶GaN纳米线。石墨烯、催化剂对于获得低应力单晶GaN纳米线有重要的作用。

关键词： CVD GaN纳米线石墨烯催化剂单晶