In_2O_3纳米线制备及其特性

作     者：谢自力 张荣 高超 刘斌 李亮 修向前 朱顺明 顾书林 韩平 江若琏 施毅 郑有炓 Xie Zili;Zhang Rong;Gao Chao;Liu Bin;Li Liang;Xiu Xiangqian;Zhu Shunming;Gu Shulin;Han Ping;Jiang Ruolian;Shi Yi;Zheng Youdou

作者机构：南京大学物理系江苏省光电功能材料重点实验室南京210093 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2006年第27卷第3期

页      面：536-540页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000068305) 国家高技术研究发展规划(批准号:2001AA311110 2003AA311060 2004AA311080) 国家自然科学基金(批准号:6039070 6039072 60476030) 国家杰出青年基金(批准号:60025411) 江苏省自然科学基金重点(批准号:BK2003203)资助项目~~ 

主　　题：In2O3 纳米线 X射线衍射 扫描电子显微镜 

摘      要：使用管式加热炉成功地制备出In_2O_3纳米线.通过扫描电子显微镜可以看到样品为In_2O_3纳米线;X射线衍射分析证实该材料是立方结构的In_2O_3;X射线光电子谱分析发现该In_2O_3中存在大量氧缺陷;光致发光谱研究显示制得的In_2O_3纳米线有比较强的发光现象,主要集中在紫外光谱区.同时对反应的气相-固相(V-S)生长机理和In_2O_3的光致发光机理进行了详细分析.