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适合SoC应用的片上集成输出电容快速响应LDO(英文)

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北京大学学报（自然科学版） 2009年第1期45卷 35-41页

作者：沈良国张兴赵元富北京大学信息科学技术学院微电子学系北京100871 北京微电子技术研究所北京100076

提出了适合SoC应用的片上集成输出电容快速响应低压差线性稳压器(LDO)。通过使用一种新颖的双向非对称缓冲器,消除了由LDO传输元件寄生电容产生的右半平面零点。该零点的消除不仅提高了LDO的稳定性,而且可以有效拓展其单位增益带宽,从... 详细信息

提出了适合SoC应用的片上集成输出电容快速响应低压差线性稳压器(LDO)。通过使用一种新颖的双向非对称缓冲器,消除了由LDO传输元件寄生电容产生的右半平面零点。该零点的消除不仅提高了LDO的稳定性,而且可以有效拓展其单位增益带宽,从而改善瞬态响应性能。基于该缓冲器的LDO,其相位裕度大于55°,单位增益带宽可达1.7 MHz,在负载电流以50 mA/μs的速度阶跃变化时输出电压变化量小于100 mV。

关键词：低压差线性稳压器右半平面零点片上集成输出电容系统芯片

面向设计加固的航天集成电路辐射效应评估方法研究与实践

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核技术 2023年第8期46卷 74-81页

作者：郑宏超王亮李哲郭刚赵元富北京微电子技术研究所北京100076 中国航天科技集团有限公司抗辐射集成电路技术实验室北京100076 中国原子能科学研究院核物理所北京102413

航天集成电路是空间电子系统的核心部件,抗辐射加固技术是保障航天集成电路在空间环境可靠工作的核心技术。随着电路特征尺寸缩小至纳米尺度,单粒子效应逐渐成为制约航天集成电路抗辐射能力的最主要因素。北京微电子技术研究所团队以设... 详细信息

航天集成电路是空间电子系统的核心部件,抗辐射加固技术是保障航天集成电路在空间环境可靠工作的核心技术。随着电路特征尺寸缩小至纳米尺度,单粒子效应逐渐成为制约航天集成电路抗辐射能力的最主要因素。北京微电子技术研究所团队以设计加固方式作为航天集成电路抗辐射研制技术路线,基于在重离子加速器上获取的大量单粒子试验数据,提出新工艺新器件的单粒子效应试验评估新方法,开展测试分析技术和辐射效应规律研究,为加固技术研究提供准确基础信息,检验设计加固技术有效性,揭示单粒子辐射损伤机制,为优化加固提供指导,最终形成高可靠、长寿命航天集成电路产品提供了关键支撑。

关键词：航天集成电路单粒子效应抗辐射设计加固辐射试验

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小针刀治疗屈指肌腱鞘炎46例

山西职工医学院学报 2006年第2期16卷 11-12页

作者：赵元福山西省阳泉市中医医院山西阳泉045000

目的:观察小针刀疗法治疗屈指肌腱狭窄性腱鞘炎的效果。方法:运用小针刀纵行切开狭窄的腱鞘,采用松解粘连的肌腱方法治疗。结果:治疗46例中治愈44例,有效1例,无效1例,治愈率95%。结论:小针刀疗法治疗屈指肌腱狭窄性腱鞘炎,操作简单,疗... 详细信息

目的:观察小针刀疗法治疗屈指肌腱狭窄性腱鞘炎的效果。方法:运用小针刀纵行切开狭窄的腱鞘,采用松解粘连的肌腱方法治疗。结果:治疗46例中治愈44例,有效1例,无效1例,治愈率95%。结论:小针刀疗法治疗屈指肌腱狭窄性腱鞘炎,操作简单,疗效确切。

关键词：小针刀屈指肌腱鞘炎治疗

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小针刀治疗跟下痛110例

山西中医学院学报 2001年第4期2卷 17-18页

作者：赵元福山西阳泉中医院山西阳泉045000

目的 :观察小针刀治疗跟下痛的疗效。方法 :应用小针刀加手法与中药熏洗治疗跖腱起点筋膜炎 87例 ,跟下滑囊炎 17例 ,跟下脂肪炎 6例。结果 :痊愈 89例 ,好转 12例 ,总有效率达 91.8%。结论 :小针刀治疗跟下痛疗效明显。

关键词：小针刀跟下痛治疗

具备兼容性和层次性的SOC测试控制结构设计

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微电子学 2008年第2期38卷 222-225,240页

作者：鲍芳赵元富杜俊北京微电子技术研究所北京100076

IP核的集成问题是SOC设计的关键,测试集成更是无法回避的难题。因此,灵活高效的测试控制结构成为SOC可测性设计的重要研究内容。文章分析了IEEE Std 1149.1对传统IC芯片内部和外部测试的整体控制能力;剖析了IEEE Std 1500TM对嵌入式IP... 详细信息

IP核的集成问题是SOC设计的关键,测试集成更是无法回避的难题。因此,灵活高效的测试控制结构成为SOC可测性设计的重要研究内容。文章分析了IEEE Std 1149.1对传统IC芯片内部和外部测试的整体控制能力;剖析了IEEE Std 1500TM对嵌入式IP核测试所做规定的标准性和可配置性。在此基础上,提出了一种复用芯片级测试控制器的测试控制结构,该结构能兼容不同类型的IP核,并且有助于实现复杂SOC的层次性测试控制。

关键词： SOC 测试控制结构 IEEE Std 1500 边界扫描

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无人机自主着陆地标实时检测方法

系统工程与电子技术 2019年第10期41卷 2157-2162页

作者：梅立春王彩云赵元富魏文怡李阳雨南京航空航天大学电子信息工程学院江苏南京210016 南京航空航天大学航天学院江苏南京210016 北京微电子技术研究所北京100076

在基于计算机视觉的无人机自主着陆过程中,地标的设计与检测是关键问题。提出了一种快速轮廓角点检测算法,并设计了一种新型嵌套三角形图案作为无人机自主着陆地标。首先,利用Suzuki-Abe算法提取的背景及目标的整体轮廓信息,进行目标嵌... 详细信息

在基于计算机视觉的无人机自主着陆过程中,地标的设计与检测是关键问题。提出了一种快速轮廓角点检测算法,并设计了一种新型嵌套三角形图案作为无人机自主着陆地标。首先,利用Suzuki-Abe算法提取的背景及目标的整体轮廓信息,进行目标嵌套轮廓提取;其次,通过改进Douglas-Peucker拟合算法来检测轮廓角点。由于优化了角点个数及最远距离两点的寻找方法,在很大程度上减少了计算时间且降低了复杂度。实验结果表明,在距离地标较远、地标部分信息缺失的情况下,该算法准确快速,适合于无人机自主着陆过程位置实时检测。

关键词：无人机自动着陆轮廓提取角点检测地标

Analysis and Design of a High-Stability,High-Accuracy,Low-Dropout Voltage Regulator

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Journal of Semiconductors 2007年第12期28卷 1872-1877页

作者：沈良国严祖树王钊张兴赵元富北京大学微电子学系北京100871 北京微电子技术研究所北京100076 中星微电子有限公司北京100083

A high-accuracy,low-dropout （LDO） voltage regulator is presented. Using the slow-rolloff frequency compensation scheme, the LDO effectively overcomes the stability problem, facilitates the use of a ceramic capacitor, and improves the output voltage accuracy, which is critical for powering high-performance analog circuitry. The slow-rolloff compensation scheme is realized by introducing three pole-zero pairs, including the proposed polezero pair and sense zero. The post-layout simulation results demonstrate that this LDO has robust system stability, a high open-loop gain, and a high unit-gain frequency,which lead to excellent regulation and transient response performance. The line and load regulation are 27μV/V and 3.78μV/mA, and the overshoots of the output voltage are less than 30mV,while the dropout voltage is 120mV for a 150mA load current.

关键词： voltage regulator LDO slow-rolloff frequency compensation line regulation load regulation

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一种新型二分电容DAC的设计

微电子学 2016年第1期46卷 9-12页

作者：郑迎新王宗民赵元富北京微电子技术研究所北京100076

为了进一步减小电容阵列DAC占用的面积,提出了一种可用于SAR ADCs的二分电容阵列(三段电容阵列,T-SC)结构。与传统二段电容阵列相比,提出的二分电容阵列在不增加对电容匹配性要求的前提下,减少了芯片面积。在理论上分析了该结构的电容... 详细信息

为了进一步减小电容阵列DAC占用的面积,提出了一种可用于SAR ADCs的二分电容阵列(三段电容阵列,T-SC)结构。与传统二段电容阵列相比,提出的二分电容阵列在不增加对电容匹配性要求的前提下,减少了芯片面积。在理论上分析了该结构的电容失配和寄生效应,归纳提出了一种计算电容阵列DAC DNL的简易公式。Matlab仿真结果与理论分析有较好的一致性,三段电容阵列结构能够实现较好的二进制权重特性;根据提出的计算DNL的简易公式进行参数设计,仿真DNL标准偏差为0.51LSB,与理论计算0.5LSB相差0.01LSB。

关键词：电容DAC 电容失配非线性 SAR ADC 小面积

可集成的高压LDPMOSFET的设计及实验研究

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微电子学 1989年第1期19卷 9-13页

作者：赵元富骊山微电子公司

通过对可集成的高压LDPMOSFET的设计及研制,得出了p^-漂移区的最佳硼注入剂量;分析了p^-漂移区长度及场板对击穿电压的影响。采用电阻率为3～6Ω-cm的n(100)单晶,获得了接近材料体击穿电压值的310V LDPMOSFET。

关键词： LDPMOSFET 集成击穿电压漂移区