可集成的高压LDPMOSFET的设计及实验研究
Design and Development of Integrable High Voltage LDPMOSFETs作者机构：骊山微电子公司
出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)
年 卷 期：1989年第19卷第1期
页 面：9-13页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
摘 要：通过对可集成的高压LDPMOSFET的设计及研制,得出了p^-漂移区的最佳硼注入剂量;分析了p^-漂移区长度及场板对击穿电压的影响。采用电阻率为3～6Ω-cm的n(100)单晶,获得了接近材料体击穿电压值的310V LDPMOSFET。
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