咨询与建议
  • 全部检索
  • 电子图书
  • 电子期刊
  • 纸本馆藏
  • 南通市公共图书馆
高级检索

限定检索结果

文献类型

  • 4 篇 期刊文献

馆藏范围

  • 4 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

  • 4 篇 工学
    • 4 篇 材料科学与工程（可...
    • 3 篇 电子科学与技术（可...
    • 1 篇 机械工程

主题

  • 2 篇 射频磁控溅射
  • 1 篇 zno/ga2o3 films
  • 1 篇 semiconductor ma...
  • 1 篇 gan nanorods
  • 1 篇 zno/ga2o3薄膜
  • 1 篇 自组装
  • 1 篇 中间层
  • 1 篇 氨化
  • 1 篇 radio frequency ...
  • 1 篇 sic
  • 1 篇 ammonia ambience
  • 1 篇 annealing
  • 1 篇 zno films
  • 1 篇 gan纳米线
  • 1 篇 buffer layers
  • 1 篇 r.f. magnetron s...

机构

  • 2 篇 山东师范大学
  • 1 篇 collegeofphysics...
  • 1 篇 institute of sem...

作者

  • 2 篇 董志华
  • 2 篇 高海永
  • 2 篇 吴玉新
  • 2 篇 庄惠照
  • 2 篇 田德恒
  • 2 篇 薛成山
  • 2 篇 王书运
  • 1 篇 zhuanghuizhao ga...
  • 1 篇 何建廷
  • 1 篇 gao haiyong zhua...

语言

  • 2 篇 英文
  • 2 篇 中文
检索条件"作者=GAO Haiyong ZHUANG Huizhao XUE Chengshan WANG Shuyun DONG zhihua he Jianting"
共 4 条 记 录，以下是1-10 订阅
全选 清除本页 清除全部 题录导出 标记到"检索档案"
详细 简洁
排序：
Fabrication of ZnO films by radio frequency magnetron sputtering and annealing
收藏
分享
引用
Rare Metals 2005年 第3期24卷 267-271页
作者： gao haiyong zhuang huizhao xue chengshan wang shuyun dong zhihua he jianting Institute of Semiconductor Shandong Normal University Jinan 250014 China
ZnO thin films were deposited on Si（111） substrates through a radio frequency （rf） magnetron sputtering system. Then the samples were annealed at different temperatures in air ambience and ammonia ambience respect... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
Synthesis of GaN nanorods on Si substrates with assistance of the vola-tilization of ZnO middle layers
收藏
分享
引用
Rare Metals 2005年 第2期24卷 110-114页
作者： zhuanghuizhao gaohaiyong xuechengshan wangshuyun dongzhihua hejianting CollegeofPhysicsandElectronics ShandongNormalUniversityJinan250014China
GaN nanorods have successfully been synthesized on Si(111) substrates via ammoniating ZnO/Ga2O3 films at 950 degrees C. Ga2O3 thin films and ZnO middle layers were deposited in turn on Si(111) substrates by r.f. magne... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
以磁控溅射+自组装反应方式制备GaN薄膜
收藏
分享
引用
稀有金属材料与工程 2006年 第3期35卷 463-466页
作者： 薛成山 董志华 庄惠照 王书运 高海永 田德恒 吴玉新 山东师范大学 山东济南250014
为了用简单的方法得到GaN薄膜,以射频磁控溅射方法将Ga2O3薄膜沉积到Si(111)衬底上的SiC中间层上,通过其同NH3的自组装反应形成了GaN薄膜。同样,利用磁控溅射方法把SiC层沉积到Si衬底。其目的是为了缓冲由GaN外延层和Si衬底的晶格失配... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
Si基氨化ZnO/Ga_2O_3薄膜制备GaN纳米线
收藏
分享
引用
Journal of Semiconductors 2005年 第5期26卷 931-935页
作者： 高海永 庄惠照 薛成山 王书运 何建廷 董志华 吴玉新 田德恒 山东师范大学半导体研究所 济南250014
利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上溅射ZnO中间层和Ga2O3 薄膜,然后在管式炉中常压下通氨气对ZnO/Ga2O3 薄膜进行氨化,高温下ZnO层在氨气气氛中挥发,而Ga2O3 薄膜和氨气反应合成出GaN纳米线.X射线衍射测量结果表明利用该方法制备的GaN... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
全选 清除本页 清除全部 题录导出 标记到“检索档案”
共1页 <<  < 1 >  >>
回到顶部
执行限定条件