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中国实验方剂学杂志 2024年

作者：杨明王晋冀庄雪峰方晓蕾朱志杰鲍慧玮李丽静长春中医药大学药学院通化金马药业集团股份有限公司

骨质疏松症是一种常见的骨骼疾病，目前发病率仍呈上升趋势，对患者及社会造成了极大的挑战。在此篇综述中，我们主要从氧化应激，炎症反应，糖脂毒性损伤等方面研究了骨质疏松症的发病机制，通过整合体内外实验阐明部分中药有效成分抗... 详细信息

骨质疏松症是一种常见的骨骼疾病，目前发病率仍呈上升趋势，对患者及社会造成了极大的挑战。在此篇综述中，我们主要从氧化应激，炎症反应，糖脂毒性损伤等方面研究了骨质疏松症的发病机制，通过整合体内外实验阐明部分中药有效成分抗骨质疏松症的疗效与机制。这些实验结果表明，一些有效成分可以通过调节炎症，氧化应激等来改善骨吸收标志物，维护骨稳态。这些有效成分调控骨质疏松症的途径主要通过核因子κβ受体活化因子配体（RANKL）通路，骨保护素（OPG）通路，Wnt/β-连环蛋白（Wnt/β-catenin）通路，核转录因子-κB（NF-κB）通路，丝裂原活化蛋白激酶（MAPK）通路，磷酸腺苷活化蛋白激酶（AMPK)/雷帕霉素靶标(mTOR)通路以及氧化应激通路等。本综述对中药有效成分预防和治疗骨质疏松症的进展提供思路，旨在为开发治疗骨质疏松症的创新药物和临床治疗提供新的潜在先导化合物和参考。

关键词：骨质疏松症中药有效成分氧化应激炎症机制

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HPLC法同时测定苦杏仁中亚麻酸、亚油酸和油酸含量

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人参研究 2024年第2期36卷 40-41页

作者：黄浩宇孙彬徐阳岳勇铭凌贝贝马智杰鲍慧玮长春中医药大学药学院长春130117 白城医学高等专科学校药学院白城137000

目的建立HPLC法同时测定苦杏仁中亚麻酸、亚油酸和油酸含量。方法采用色谱柱Agilent TC-C_(18)(4.6mm×250mm,5μl),以乙腈-0.1%磷酸水溶液作为流动相进行梯度洗脱,流速为1.0mL/min,柱温为25℃,检测波长为203nm。结果亚麻酸、亚油酸和... 详细信息

目的建立HPLC法同时测定苦杏仁中亚麻酸、亚油酸和油酸含量。方法采用色谱柱Agilent TC-C_(18)(4.6mm×250mm,5μl),以乙腈-0.1%磷酸水溶液作为流动相进行梯度洗脱,流速为1.0mL/min,柱温为25℃,检测波长为203nm。结果亚麻酸、亚油酸和油酸各自浓度范围内线性关系良好,相关系数r≥0.9996;亚麻酸、亚油酸和油酸的平均加样回收率分别为98.77%,99.26%,98.96%,RSD值分别为1.75%,1.20%,1.74%。结论该方法准确、可靠、操作简便,为进一步完善苦杏仁的质量标准提供依据。

关键词：苦杏仁 HPLC 亚麻酸亚油酸油酸含量测定

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HPLC法测定薏苡仁中3种不饱和脂肪酸含量

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人参研究 2024年第3期36卷 42-45页

作者：黄乐冉孙彬刘博涵陈学珍贾士杰鲍慧玮徐阳周劭宣长春中医药大学药学院长春130117 白城医学高等专科学校药学院白城137000

目的本研究采用高效液相色谱法(HPLC)测定薏苡仁中3种不饱和脂肪酸含量。方法采用色谱柱为Agilent TC-C_(18)(4.6mm×250mm,5μl)。紫外检测器,检测波长为203nm。柱温为25℃,设定流速为1.0ml/min。进样量为10μl。流动相为乙腈(A)-0.1%... 详细信息

目的本研究采用高效液相色谱法(HPLC)测定薏苡仁中3种不饱和脂肪酸含量。方法采用色谱柱为Agilent TC-C_(18)(4.6mm×250mm,5μl)。紫外检测器,检测波长为203nm。柱温为25℃,设定流速为1.0ml/min。进样量为10μl。流动相为乙腈(A)-0.1%磷酸(B),梯度洗脱。结果亚麻酸、亚油酸和油酸在各自浓度范围内呈良好的线性关系,相关系数r≥0.9996;平均加样回收率分别为99.01%,99.70%,99.23%,RSD值分别为1.77%,1.85%,1.48%。结论该方法具有准确、可靠、简便等优点,可用于薏苡仁及其相关产品的质量控制研究。

关键词：薏苡仁不饱和脂肪酸 HPLC 含量

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SiC单晶的生长与表征

SiC单晶的生长与表征

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中国晶体学会第四届全国会员代表大会暨学术会议

作者：娄艳芳张玮彭同华鲍慧强陈小龙北京天科合达蓝光半导体有限公司

＜正＞SiC是继第一代元素半导体材料（Ge和Si）、第二代化合物半导体材料（GaAs、InP等）发展起来的第三代宽禁带半导体材料,具有大的禁带宽度、高饱和电子漂移速度、高击穿电场强度、高热导率、低介电常数和抗辐射能力强等优良的物理...

＜正＞SiC是继第一代元素半导体材料（Ge和Si）、第二代化合物半导体材料（GaAs、InP等）发展起来的第三代宽禁带半导体材料,具有大的禁带宽度、高饱和电子漂移速度、高击穿电场强度、高热导率、低介电常数和抗辐射能力强等优良的物理化学特性和电学特性,是高温、高频率、大功率、抗辐射电子器件理想的半导体材料之一,被广泛应用于通讯、照明、航空航天、海洋勘探、石油钻井、混合动力汽车等领域。本文采用PVT（Physical Vapor Transport Method）方法生长出高质量2英寸SiC单晶。利用线切割、研磨和机械化学抛光等技术,最终获得了高结晶质量、低表面粗糙度的SiC晶片。图1为SiC晶片上三个不同点的X射线衍射（XRD）摇摆曲线,其平均半峰宽为18弧秒,表明了其结晶质量很高。图2为SiC晶片表面10μm×10μm原子力显微镜（AFM）形貌图,平均粗糙度仅为0.0805纳米。

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AlN基稀磁半导体的制备与表征

AlN基稀磁半导体的制备与表征

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中国晶体学会第四届全国会员代表大会暨学术会议

作者：李辉鲍慧强宋波王文军陈小龙中国科学院物理研究所

＜正＞稀磁半导体（DMS）是指基体半导体中一部分阳离子被磁性（过渡元素或稀土元素）离子取代,取代后产生磁性的化合物半导体[1]。DMS可以同时利用电子的电荷和自旋属性,具有优异的电、磁性能和广泛的应用。稀磁半导体可广泛应用于未...

＜正＞稀磁半导体（DMS）是指基体半导体中一部分阳离子被磁性（过渡元素或稀土元素）离子取代,取代后产生磁性的化合物半导体[1]。DMS可以同时利用电子的电荷和自旋属性,具有优异的电、磁性能和广泛的应用。稀磁半导体可广泛应用于未来的自旋电子器件,与传统的半导体器件相比,自旋电子器件具有更多的优点。第一、速度快;第二、体积小;第三、耗能低;第四:磁性可以调节[2]。而要在器件上得到应用,稀磁半导体的铁磁转变温度需高于室温。理论预言了Mn掺杂的AlN具有铁磁性,而且转变温度高于室温。不仅如此,AlN本身也具有优异的性能如:宽带隙（Eg=6.2 eV）,高热导率（3.2W/cmK）等[3]。因此制备AlN基的稀磁半导体意义重大。

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物理气相传输法AlN单晶生长

物理气相传输法AlN单晶生长

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第15届全国晶体生长与材料学术会议

作者：王文军左思斌鲍慧强王刚王军陈小龙北京市海淀区中关村南三街8号中国科学院物理研究所

III族氮化物(AlN、GaN、InN)半导体材料因GaN基LED的成功应用而受到广泛关注。目前制约III族氮化物半导体器件制备的一个因素是缺乏同质单晶衬底。因为大尺寸、高质量的GaN单晶生长研究进展缓慢,所以人们将目光转向了AlN晶体。AlN具有和...

III族氮化物(AlN、GaN、InN)半导体材料因GaN基LED的成功应用而受到广泛关注。目前制约III族氮化物半导体器件制备的一个因素是缺乏同质单晶衬底。因为大尺寸、高质量的GaN单晶生长研究进展缓慢,所以人们将目光转向了AlN晶体。AlN具有和GaN完全相同的纤锌矿结构,对GaN的晶格失配率仅为2.4%,热膨胀系数和GaN几乎完全相同。因此,AlN是制作GaN基深紫外发光二极管、高电子迁移率晶体管等器件的理想衬底材料,同时,AlN也是制作AlN基紫外光电器件的最佳衬底,大尺寸、高质量的AlN单晶生长研究近来备受关注。

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温度调制法生长GaN单晶的探索

温度调制法生长GaN单晶的探索

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中国晶体学会第四届全国会员代表大会暨学术会议

作者：鲍慧强李辉宋波王文军王皖艳陈小龙中国科学院物理研究所

GaN是具有宽、直带隙的第三代半导体材料,是制备GaN基光电器件的理想衬底。目前生长GaN单晶的方法,如高温高压法、氢化物气相外延法等,均受到生长条件苛刻的制约。本课题组通过大量的研究表明,作为更为温和的方法,助溶剂法可能成为大规...

GaN是具有宽、直带隙的第三代半导体材料,是制备GaN基光电器件的理想衬底。目前生长GaN单晶的方法,如高温高压法、氢化物气相外延法等,均受到生长条件苛刻的制约。本课题组通过大量的研究表明,作为更为温和的方法,助溶剂法可能成为大规模生长GaN晶体的理想方法,并先后报道了以LiN、CaN、BaN助溶剂以及复合助溶剂生长GaN体晶的结果。但是,对于LiN助溶剂法,生长过程GaN在Li-Ga-N三元熔区内的均匀形核问题导致了获得的晶体尺寸分散,阻碍了晶体尺寸的进一步增大。本文在使用LiN助溶剂的基础上,以800℃为基础温度,分别以820℃、810℃、794℃为调

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锰基反钙钛矿化合物Mn3GaN的磁性研究

锰基反钙钛矿化合物Mn3GaN的磁性研究

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中国晶体学会第四届全国会员代表大会暨学术会议

作者：宋波鲍慧强李辉许燕萍王皖燕陈小龙中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室

最近,Mn基反钙钛矿化合物MnXN(X=Ga,Cu,Zn,etc)的性质引起了人们的广泛关注。在这个体系当中,人们先后发先了许多非常有趣的物理现象,例如在MnCuN中发现了在150 K以上的零电阻温度系数,即在该温度以上电阻率不随温度的升高而发生变化。...

最近,Mn基反钙钛矿化合物MnXN(X=Ga,Cu,Zn,etc)的性质引起了人们的广泛关注。在这个体系当中,人们先后发先了许多非常有趣的物理现象,例如在MnCuN中发现了在150 K以上的零电阻温度系数,即在该温度以上电阻率不随温度的升高而发生变化。在MnZnN中观察到了一个罕见的立方到立方的结构相变。在这一系列的化合物中,MnGaN的性质尤其引人关注,因为作为一种性能优异的稀磁半导体材料GaMnN,在其制备的过程中,MnGaN时常作为掺杂Mn过量而产生的沉淀,与GaMnN一起出现在产物当中,对稀磁半导体GaMnN的性质有着重要的影响。这里我们采用改进的固相交换法(MSSM)合成了MnGaN,并采取多种磁性表征方法,包括:直流磁化强度-温度变化曲

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庆元让理论宣讲更具“烟火味”

庆元让理论宣讲更具“烟火味”

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丽水日报

作者：郭真吴丽萍鲍慧斐刘鲁苏

本报讯（记者郭真吴丽萍通讯员鲍慧斐刘鲁苏）机关青年脑子活，理论吸收能力强，但基层历练少，不能够精准把握老百姓的需求点；乡镇干部基层经验丰富，能跟老百姓打成一片，但面对庞杂的各类政策理论，有时候在理解上容易把不准... 详细信息

本报讯（记者郭真吴丽萍通讯员鲍慧斐刘鲁苏）机关青年脑子活，理论吸收能力强，但基层历练少，不能够精准把握老百姓的需求点；乡镇干部基层经验丰富，能跟老百姓打成一片，但面对庞杂的各类政策理论，有时候在理解上容易把不准……为了让机关青年和乡镇干部进一步加强......

关键词：理论宣讲宣讲工作五大堡乡

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富勒烯的X射线衍射Rietveld全谱拟合及结构分析

富勒烯的X射线衍射Rietveld全谱拟合及结构分析

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2004年中国材料研讨会

作者：鲍慧强韩培德王丽萍贾虎生刘旭光许并社太原理工大学材料科学与工程学院太原理工大学材料科学与工程学院太原理工大学材料科学与工程学院太原理工大学材料科学与工程学院太原理工大学材料科学与工程学院太原理工大学材料科学与工程学院

应用Rietveld粉体全谱拟合法对C60分子晶体进行了X射线衍射结构分析,Rietveld方法拟合的最佳结果为:Rwp=9.36%、Rp=6.7%。图1展示了C60实验、拟合的XRD曲线, 底部曲线difference表示两者之间的误差,从图中可以看出,拟合曲线和实验曲线...

应用Rietveld粉体全谱拟合法对C60分子晶体进行了X射线衍射结构分析,Rietveld方法拟合的最佳结果为:Rwp=9.36%、Rp=6.7%。图1展示了C60实验、拟合的XRD曲线, 底部曲线difference表示两者之间的误差,从图中可以看出,拟合曲线和实验曲线之间吻合的很好,说明实际的C60晶体结构与拟合前搭建的模型结构相符,即C60晶体结构为空间群Fm3m（225）的面心立方结构,晶格常数为:a=1.416nm。主要的精修数据见表1。

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