AlN基稀磁半导体的制备与表征
作者单位：中国科学院物理研究所
会议名称：《中国晶体学会第四届全国会员代表大会暨学术会议》
会议日期：2008年
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
摘 要：正稀磁半导体（DMS）是指基体半导体中一部分阳离子被磁性（过渡元素或稀土元素）离子取代,取代后产生磁性的化合物半导体[1]。DMS可以同时利用电子的电荷和自旋属性,具有优异的电、磁性能和广泛的应用。稀磁半导体可广泛应用于未来的自旋电子器件,与传统的半导体器件相比,自旋电子器件具有更多的优点。第一、速度快;第二、体积小;第三、耗能低;第四:磁性可以调节[2]。而要在器件上得到应用,稀磁半导体的铁磁转变温度需高于室温。理论预言了Mn掺杂的AlN具有铁磁性,而且转变温度高于室温。不仅如此,AlN本身也具有优异的性能如:宽带隙（Eg=6.2 eV）,高热导率（3.2W/cmK）等[3]。因此制备AlN基的稀磁半导体意义重大。