物理气相传输法AlN单晶生长
会议名称：《第15届全国晶体生长与材料学术会议》
会议日期：2009年
学科分类：07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学]
摘 要：III族氮化物(AlN、GaN、InN)半导体材料因GaN基LED的成功应用而受到广泛关注。目前制约III族氮化物半导体器件制备的一个因素是缺乏同质单晶衬底。因为大尺寸、高质量的GaN单晶生长研究进展缓慢,所以人们将目光转向了AlN晶体。AlN具有和GaN完全相同的纤锌矿结构,对GaN的晶格失配率仅为2.4%,热膨胀系数和GaN几乎完全相同。因此,AlN是制作GaN基深紫外发光二极管、高电子迁移率晶体管等器件的理想衬底材料,同时,AlN也是制作AlN基紫外光电器件的最佳衬底,大尺寸、高质量的AlN单晶生长研究近来备受关注。