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一种改进的辐射传输计算方法

一种改进的辐射传输计算方法

作者：鲍嘉明合肥工业大学

学位级别：硕士

精确、快速计算辐射传输一直是大气辐射学中的一个重要研究课题。我们在knut stamnes的离散纵标法(1988)的基础之上，提出了一种辐射传输四流近似计算方法，并且该算法可以得到一个解析解。我们将单次散射辐射分离出来单独求解，对于多... 详细信息

精确、快速计算辐射传输一直是大气辐射学中的一个重要研究课题。我们在knut stamnes的离散纵标法(1988)的基础之上，提出了一种辐射传输四流近似计算方法，并且该算法可以得到一个解析解。我们将单次散射辐射分离出来单独求解，对于多次散射，单次散射作为其辐射源，用Kunt stamnes的离散纵标法作四流近似计算。单次散射是可以精确求解的，没有作任何近似，这就使得与其他近似算法相比，该算法包含有更多的角度信息。由于得到的解是一个解析的解，所以能够大大的提高计算速度。通过作数值计算，可以看到，我们的算法的计算精度是令人满意的，特别是，当吸收很强时，其相对误差是非常小的。

关键词：离散纵标法辐射传输四流近似

基于Saber的一种简化LDMOS静态物理模型

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微电子学 2014年第1期44卷 127-130页

作者：靳辉凯鲍嘉明北方工业大学信息工程学院微电子系北京100144

通过深入研究高压LDMOS器件内部的物理特性,给出了一个简化LDMOS物理模型。在漂移区,采用解析方法求解漂移区电场微分方程,经过合理假设,利用一种改进算法得到漂移区的电压降,在保证模型一定精度的前提下,简化了模型计算过程。特别是,根... 详细信息

通过深入研究高压LDMOS器件内部的物理特性,给出了一个简化LDMOS物理模型。在漂移区,采用解析方法求解漂移区电场微分方程,经过合理假设,利用一种改进算法得到漂移区的电压降,在保证模型一定精度的前提下,简化了模型计算过程。特别是,根据Saber软件建模要求,将其改造成为适用于Saber的一个LDMOS模型,该模型能够嵌入到Saber进行电路仿真。

关键词：横向双扩散MOS 物理模型解析方法

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采用同步整流技术的超薄高效电源设计

电源技术 2012年第12期36卷 1896-1898,1933页

作者：郝志燕鲍嘉明北方工业大学信息工程学院微电子系北京100144

设计了一款用于32寸液晶电视的150 W超薄高效电源,提供三路输出,分别给待机电源提供5 V电压,音响提供12 V电压和LCD液晶屏提供24 V电压。在半桥LLC串联谐振转换器中,传统的同步整流技术采用的是整流二极管,通过采用整流MOSFET来减小输... 详细信息

设计了一款用于32寸液晶电视的150 W超薄高效电源,提供三路输出,分别给待机电源提供5 V电压,音响提供12 V电压和LCD液晶屏提供24 V电压。在半桥LLC串联谐振转换器中,传统的同步整流技术采用的是整流二极管,通过采用整流MOSFET来减小输出的损耗,从而提高了电源效率。通过采用卧式骨架和细长型电解电容,使整个电源的厚度仅为13 mm,长和宽都为15 cm。

关键词： LLC谐振同步整流技术超薄

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一种改进的辐射传输计算方法

量子电子学报 2002年第4期19卷 367-372页

作者：鲍嘉明何晓雄赵凤生合肥工业大学应用物理系合肥230009 中国气象局卫星气象中心北京100081

精确、快速计算辐射传输一直是大气辐射学中的一个重要研究课题。我们在Knut Stamnes的离散纵标法（1988）[1]的基础之上,提出了一种辐射传输四流近似计算方法。该算法可以得到一个解析解,并且通过作数值计算,可以看到本算法的计算精度... 详细信息

精确、快速计算辐射传输一直是大气辐射学中的一个重要研究课题。我们在Knut Stamnes的离散纵标法（1988）[1]的基础之上,提出了一种辐射传输四流近似计算方法。该算法可以得到一个解析解,并且通过作数值计算,可以看到本算法的计算精度是令人满意的。

关键词：离散纵标法辐射传输四流近似大气辐射

探索微电子专业实践教学新方法——以“集成电路版图设计”课程为例

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实验技术与管理 2012年第3期 280-282页

作者：鞠家欣鲍嘉明杨兵北方工业大学信息工程学院

通过充分调研,确定"集成电路版图设计"这门课程对于培养学生集成电路设计概念建立、实际动手能力水平的提升具有十分重要的理论和现实意义,对它的研究也是探索微电子专业实践教学新方法的一次尝试。

关键词：微电子集成电路版图设计实践教学

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高压VDMOS器件的SP ICE模型研究

固体电子学研究与进展 2005年第3期25卷 410-415页

作者：赵野孙伟锋易扬波鲍嘉明时龙兴东南大学国家ASIC系统工程技术研究中心南京210096

基于高压VDMOS器件的物理机理和特殊结构,对非均匀掺杂沟道、漂移区非线性电阻及非线性寄生电容效应进行分析,用多维非线性方程组描述了器件特性与各参数之间的关系,建立了精确的高压六角型元胞VDMOS器件三维物理模型,并用数值方法求解... 详细信息

基于高压VDMOS器件的物理机理和特殊结构,对非均匀掺杂沟道、漂移区非线性电阻及非线性寄生电容效应进行分析,用多维非线性方程组描述了器件特性与各参数之间的关系,建立了精确的高压六角型元胞VDMOS器件三维物理模型,并用数值方法求解.基于该物理模型提出的等效电路,在SPICE中准确地模拟了高压VDMOS的特性,包括准饱和特性和瞬态特性.在全电压范围内(0～100 V),直流特性与测试结果、瞬态特性(频率≤5 MHz)与MEDICI模拟结果相差均在5%以内,能够满足HVIC CAD设计的需要.

关键词： SPICE模型高压集成电路非均匀沟道纵向双扩散金属氧化物半导体漂移区

一种基于升压DC-DC变换器的白光LED驱动芯片

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微电子学 2011年第4期41卷 525-527,535页

作者：张彦科鲍嘉明北方工业大学信息工程学院微电子系北京100144

设计了一种升压型恒流LED驱动芯片,驱动电流可由外接电阻从15~300 mA任意调整,输入电压为2.8~5.5 V,输出电压最高可达38 V。设计固定开关频率为1 MHz,应用时只需很小的外接电感即可。相对于其他驱动器电路,该驱动器增加了过压保护电路,... 详细信息

设计了一种升压型恒流LED驱动芯片,驱动电流可由外接电阻从15~300 mA任意调整,输入电压为2.8~5.5 V,输出电压最高可达38 V。设计固定开关频率为1 MHz,应用时只需很小的外接电感即可。相对于其他驱动器电路,该驱动器增加了过压保护电路,无需外接稳压二极管,降低了应用成本。采用上华0.5μm BCD工艺完成芯片的设计,传输效率高达94%。

关键词：升压型DC-DC变换器过压保护 PWM 白光LED

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一种新型阻变存储器1T2R存储单元

固体电子学研究与进展 2022年第5期42卷 393-399页

作者：许永康鲍嘉明陈瑞隆戴澜北方工业大学北京100000 厦门工研院福建厦门361000

提出了一种新型阻变存储器(RRAM)1T2R结构,该结构利用一个大尺寸晶体管驱动两个忆阻器,弥补了工艺节点缩小带来的晶体管驱动能力不足的缺点。针对RRAM 1T2R结构中固有的串扰路径问题,专门设计的读方法可以截断串扰路径,抑制串扰电流,使... 详细信息

提出了一种新型阻变存储器(RRAM)1T2R结构,该结构利用一个大尺寸晶体管驱动两个忆阻器,弥补了工艺节点缩小带来的晶体管驱动能力不足的缺点。针对RRAM 1T2R结构中固有的串扰路径问题,专门设计的读方法可以截断串扰路径,抑制串扰电流,使得一个1T2R存储单元可以有效存储2 bit信息,提高RRAM的存储密度。同时,还可以通过直接读取BL上的电流对同一个存储单元内的2 bit信息做OR/NOR以及AND/NAND逻辑运算。本结构已利用UMC 28 nm工艺流片验证,流片结果为每个RRAM器件占有的平均面积为0.0355μm^(2),测试结果表明,本结构可以在读过程中有效抑制串扰电流,得到大的开关比,避免对高阻态RRAM的误读。

关键词：阻变存储器 1T2R 串扰电流逻辑运算

基于变化电子流向的一种高压VDMOS静态物理模型

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固体电子学研究与进展 2007年第4期27卷 452-456页

作者：鲍嘉明时龙兴孙伟锋赵野陆生礼东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心南京210096

研究了高压VDMOS内部电子流向的变化,提出了其近似解析表达式,在此基础之上,求得了电子密度分布变化的解析表达式,从而建立了高压VDMOS的一种改进静态物理模型。计算结果表明,由于这一模型是基于更为合理的电子流向变化和电子密度分布... 详细信息

研究了高压VDMOS内部电子流向的变化,提出了其近似解析表达式,在此基础之上,求得了电子密度分布变化的解析表达式,从而建立了高压VDMOS的一种改进静态物理模型。计算结果表明,由于这一模型是基于更为合理的电子流向变化和电子密度分布变化的解析表达式而建立的,所以与Yeong-seuk Kim等人模型和参考文献[2]的模型相比,在较大的工作电压范围内,其计算精度的提高都是非常显著的。

关键词：垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管电子流向电子密度分布静态物理模型