基于Saber的一种简化LDMOS静态物理模型
A Simplified Steady-State Physical Model for LDMOS Based on Saber作者机构：北方工业大学信息工程学院微电子系北京100144
出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)
年 卷 期：2014年第44卷第1期
页 面：127-130页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
摘 要：通过深入研究高压LDMOS器件内部的物理特性,给出了一个简化LDMOS物理模型。在漂移区,采用解析方法求解漂移区电场微分方程,经过合理假设,利用一种改进算法得到漂移区的电压降,在保证模型一定精度的前提下,简化了模型计算过程。特别是,根据Saber软件建模要求,将其改造成为适用于Saber的一个LDMOS模型,该模型能够嵌入到Saber进行电路仿真。
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