高压VDMOS器件的SP ICE模型研究

作     者：赵野 孙伟锋 易扬波 鲍嘉明 时龙兴 ZHAO Ye;SUN Weifeng;YI Yangbo;BAO Jiaming;SHI Longxing

作者机构：东南大学国家ASIC系统工程技术研究中心南京210096 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2005年第25卷第3期

页      面：410-415页

核心收录：

学科分类：0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 080902[工学-电路与系统] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家高技术研究发展计划("863"计划)资助项目(No.2003AA1Z1400) 

主　　题：SPICE模型 高压集成电路 非均匀沟道 纵向双扩散金属氧化物半导体 漂移区 

摘      要：基于高压VDMOS器件的物理机理和特殊结构,对非均匀掺杂沟道、漂移区非线性电阻及非线性寄生电容效应进行分析,用多维非线性方程组描述了器件特性与各参数之间的关系,建立了精确的高压六角型元胞VDMOS器件三维物理模型,并用数值方法求解.基于该物理模型提出的等效电路,在SPICE中准确地模拟了高压VDMOS的特性,包括准饱和特性和瞬态特性.在全电压范围内(0～100 V),直流特性与测试结果、瞬态特性(频率≤5 MHz)与MEDICI模拟结果相差均在5%以内,能够满足HVIC CAD设计的需要.