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降调节后添加不同黄体生成素制剂对卵巢正常反应患者体外受精的影响

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降调节后添加不同黄体生成素制剂对卵巢正常反应患者体外受精的影...

作者：马艺珂河北医科大学

学位级别：硕士

目的:分析在应用卵泡期长效长方案的卵巢正常反应患者中,Gn启动日血清LH水平、添加不同LH制剂以及添加时机对卵巢刺激和胚胎发育的影响。方法:回顾性分析2018年8月至2019年8月在河北医科大学第四医院生殖医学科应用卵泡期长效长方案的... 详细信息

目的:分析在应用卵泡期长效长方案的卵巢正常反应患者中,Gn启动日血清LH水平、添加不同LH制剂以及添加时机对卵巢刺激和胚胎发育的影响。方法:回顾性分析2018年8月至2019年8月在河北医科大学第四医院生殖医学科应用卵泡期长效长方案的卵巢正常反应患者。根据Gn启动日血清LH水平将患者分为两组,血清LH≥0.7IU/L为A组,血清LH＜0.7IU/L为B组。A组单独使用u FSH促排卵,B组根据促排卵药物类型进一步分为4个亚组:B1组（u FSH）、B2组（u FSH+HMG）、B3组（u FSH+r LH）、B4组（u FSH+HP-HMG）。选择病例数量最多的B3组分析LH制剂的添加时机,分为a组（早加组）和b组（晚加组）。比较A组和B1组、B组各亚组间、a组和b组的FSH用量、Gn用药天数、h CG注射日内膜厚度和血清E2、LH、P水平、获卵数、MⅡ卵率、受精率、卵裂率、优胚率。结果:1.在A组和B1组中,h CG注射日血清LH水平A组高于B1组（P＜0.05）,h CG注射日血清P水平A组低于B1组（P＜0.05）,A组与B1组的FSH用量、Gn用药天数、h CG注射日内膜厚度和血清E2水平差异无统计学意义（P＞0.05）。2.在A组和B1组中,MⅡ卵率A组高于B1组（P＜0.05）,A组与B1组获卵数、受精率、卵裂率、优胚率差异无统计学意义（P＞0.05）。3.在B组各亚组中,FSH用量B1组高于B2、B3和B4组（P＜0.05）,h CG注射日血清LH水平B3组高于B2和B4组（P＜0.05）,h CG注射日血清P水平B1组高于B3和B4组（P＜0.05）,B组各亚组间Gn用药天数、h CG注射日内膜厚度和血清E2水平差异无统计学意义（P＞0.05）。4.在B组各亚组中,获卵数B3组少于B4组（P＜0.05）,MⅡ卵率B3组高于B1和B2组（P＜0.05）,优胚率B3组高于B4组（P＜0.05）,B组各亚组间受精率、卵裂率差异无统计学意义（P＞0.05）。5.在a组和b组中,FSH用量a组多于b组（P＜0.05）,a组和b组Gn用药天数、h CG注射日内膜厚度和血清E2、LH、P水平差异无统计学意义（P＞0.05）。6.a组和b组获卵数、MⅡ卵率、受精率、卵裂率、优胚率差异无统计学意义（P＞0.05）。结论:在卵巢正常反应患者中,Gn RH-a降调节后Gn启动日血清LH＜0.7IU/L时:1.h CG注射日血清LH水平降低、血清P水平升高,MⅡ卵率降低。2.添加LH制剂可减少FSH用量;添加r LH可降低h CG注射日血清P水平,提高MⅡ卵率和优胚率;添加HP-HMG可降低h CG注射日血清P水平,提高获卵数。3.与卵泡早期相比,在卵泡中晚期添加r LH可减少FSH用量。

关键词：体外受精黄体生成素卵巢正常反应促性腺激素释放激素激动剂添加时机

集成电路ESD防护器件开启速度及温度特性的研究

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集成电路ESD防护器件开启速度及温度特性的研究

作者：马艺珂江南大学

学位级别：硕士

随着集成电路(IC)技术的快速发展,芯片集成度越来越高,对静电放电(ESD)的抵御能力逐渐下降。ESD对IC的危害引起了科研工作者的极大关注。虽然部分ESD防护研究成果已在一些高精度、高可靠性IC产品中获得应用,但是,在IC的高速运行与高温... 详细信息

随着集成电路(IC)技术的快速发展,芯片集成度越来越高,对静电放电(ESD)的抵御能力逐渐下降。ESD对IC的危害引起了科研工作者的极大关注。虽然部分ESD防护研究成果已在一些高精度、高可靠性IC产品中获得应用,但是,在IC的高速运行与高温应用等特殊领域,已有成果往往不能满足ESD防护器件具有快速开启与稳定的温度特性的需求。鉴于此,本文基于IC制备工艺特点,对多种重要的ESD防护器件进行了系列改进,并基于理论分析、实验测试和计算机辅助工艺设计(TCAD)仿真研究了其开启性能及温度特性,有助于提高IC产品的可靠性。论文的主要研究内容归纳如下。首先,介绍了ESD防护测试模型、防护等级的分类、ESD防护设计规则及传输线脉冲(TLP)测试方法;针对ESD防护基本单元中的二极管、双极型晶体管(BJT)、金属氧化物半导体(MOS)、可控硅(SCR)、横向扩散金属氧化物半导体-可控硅(LDMOS-SCR)等重要器件,借助TCAD仿真分析,研究了上述器件的内部电流密度分布和工作机理。其次,研究了ESD防护器件在TLP脉冲下的开启特点及工作机理,并进行了相应的改进,具体包括:1、针对P+型SCR器件,分析了P+接地SCR器件在ESD应力下的开启时间及原理,通过结构优化与改进,P+浮空SCR器件的开启速度可提高17.70%;2、针对跨桥型SCR器件,分析了P+跨桥SCR器件在ESD应力下的开启时间及原理,通过器件结构改进,优化后的N+跨桥SCR器件具有较快的开启时间,利用NMOS结构取代N+跨桥后,开启速度可提高50.00%;3、针对N阱型SCR结构,分析了有浮空N阱SCR器件在ESD应力下的开启时间及原理,通过改进器件结构并优化栅长,无浮空N阱SCR器件的开启速度可提高21.43%。再次,研究了ESD防护器件的温度特性,具体包括:1、在改进型SCR器件中,P+浮空SCR器件内部电流分布均匀,温度特性较好;跨桥型SCR器件在温度升高时,触发电压变大;2、在具有栅结构的ESD防护器件中,栅控二极管的电流主要集中在栅下,导致局部温度过高易失效;改进型LDMOS器件随着温度的升高,阈值电压降低,漏电流则随温度的上升而增大。最后,设计了内嵌栅控二极管触发的双向SCR(DDSCR)器件和内嵌NMOS触发的LDMOS-SCR器件。通过在DDSCR或LDMOS器件内嵌两个跨桥栅控二极管或NMOS等方法,一方面可提高器件的开启速度,降低触发电压,另一方面可提高器件的维持电压,增强器件的ESD鲁棒性和温度特性。通过TCAD仿真,分别分析与研究了两种器件在ESD应力下的触发开启机制和温度特性。

关键词：静电放电防护器件开启速度温度特性可控硅横向扩散金属氧化物半导体

ESD应力下改进型SCR器件设计与漏电特性优化

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西安电子科技大学学报 2018年第6期45卷 118-122页

作者：刘湖云梁海莲顾晓峰马艺珂王鑫江南大学物联网技术应用教育部工程研究中心江苏无锡214122

为探讨片上集成电路静电放电防护的易闩锁与漏电软失效问题,设计了一种内嵌MOS结构的N跨桥可控硅器件.传输线脉冲测试结果表明:与传统N跨桥改进型可控硅相比,该器件的电压回滞幅度减小了约28.6%.然而,当作用于该器件的瞬态电流从2.0A增... 详细信息

为探讨片上集成电路静电放电防护的易闩锁与漏电软失效问题,设计了一种内嵌MOS结构的N跨桥可控硅器件.传输线脉冲测试结果表明:与传统N跨桥改进型可控硅相比,该器件的电压回滞幅度减小了约28.6%.然而,当作用于该器件的瞬态电流从2.0A增大到3.2A时,漏电流从2.8×10^(-7) A逐渐退化至1.7×10^(-5) A,器件较易发生软失效.借助TCAD技术,仿真结果表明:在10-4 A的静电脉冲应力作用下,该器件内部晶格温度高达1 160.5K.通过优化内嵌MOS结构的N跨桥可控硅器件的版图及其金属布线,削弱器件内部的功率密度聚集效应,可使器件在相同电应力下漏电流稳定在10^(-9) A量级.因此,该版图优化方法可有效地抑制器件的局部过热,提高片上集成电路的静电放电防护方案的热稳定性.

关键词：静电放电可控硅漏电特性版图优化热效应

增强型AlGaN/GaN HEMT器件中子位移损伤效应研究

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固体电子学研究与进展 2023年第4期43卷 359-365,374页

作者：邱一武马艺珂张平威殷亚楠周昕杰中国电子科技集团公司第五十八研究所江苏无锡214035

采用能量为14 MeV的中子对增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件进行了最高注量为3×10^(14)n/cm^(2)的位移损伤辐照实验。实验结果表明:当中子注量不大于3×10^(14)n/cm^(2)时,器件转移特性曲线向左发生不同程度漂移,曲线斜率增大,... 详细信息

采用能量为14 MeV的中子对增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件进行了最高注量为3×10^(14)n/cm^(2)的位移损伤辐照实验。实验结果表明:当中子注量不大于3×10^(14)n/cm^(2)时,器件转移特性曲线向左发生不同程度漂移,曲线斜率增大,阈值电压轻微变化,栅特性不受辐照注量影响,而跨导峰值和关态泄露电流有所改善。此外,不同注量的中子辐照后,器件的饱和漏极电流呈现出下降趋势,且中子注量越大,漏极电流退化越明显。结果分析可知,中子辐照产生的新型位移缺陷影响了沟道二维电子气的迁移率和极化电荷密度,从而导致器件电学特性改变。与此同时,室温退火过程中发现器件特性有部分恢复,归因于辐照产生的缺陷在常温下不太稳定,与其他间隙原子发生复合,缺陷得以消除。

关键词：增强型AlGaN/GaN HEMT 中子辐照位移损伤退火

ESD防护器件中SCR结构开启速度的优化与分析

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固体电子学研究与进展 2018年第2期38卷 136-140页

作者：马艺珂梁海莲顾晓峰王鑫刘湖云物联网技术应用教育部工程中心江南大学电子工程系江苏无锡214122

针对静电放电(ESD)防护过程中ESD防护器件开启速度慢、易引起栅氧击穿或电路烧毁的问题,提出了一种可控硅(SCR)结构的ESD防护器件开启速度的优化方法。首先,基于0.35μm Bipolar-CMOS-DMOS(BCD)工艺制备了P^+浮空和P^+接地SCR结构器件,... 详细信息

针对静电放电(ESD)防护过程中ESD防护器件开启速度慢、易引起栅氧击穿或电路烧毁的问题,提出了一种可控硅(SCR)结构的ESD防护器件开启速度的优化方法。首先,基于0.35μm Bipolar-CMOS-DMOS(BCD)工艺制备了P^+浮空和P^+接地SCR结构器件,通过分析阱间距对P^+接地SCR影响,获知当阱间距增至8.68μm时,器件开启速度快且过击穿电压低。其次,对比分析关键尺寸参数相同条件下P^+接地与P^+浮空SCR器件ESD防护性能,传输线脉冲测试结果表明,P^+浮空比P^+接地SCR开启速度更快。最后,通过进一步优化P^+浮空SCR器件特征参数,器件开启速度可提高约17.70%。TCAD仿真结果证明:与P^+接地SCR相比,P^+浮空SCR的电流密度分布较均匀,且导通时间短,有利于提高开启速度,因此P^+浮空SCR器件更适用于高速集成电路的ESD防护。

关键词：静电放电可控硅传输线脉冲测试电流密度开启速度

社会培训评价组织加强质量管控的探索与实践——以潍坊市技师学院为例

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中国培训 2023年第6期 53-55页

作者：赵树华马艺珂王蕾陈新潍坊市技师学院山东财经大学

潍坊市技师学院(以下简称“学院”)作为山东省首批面向社会开展职业技能等级认定的社会培训评价组织单位之一，自2021年5月以来，按照“谁评价、谁负责、谁发证”的原则，在省、市人力资源社会保障部门的指导下，不断探索和加强质量管...

潍坊市技师学院(以下简称“学院”)作为山东省首批面向社会开展职业技能等级认定的社会培训评价组织单位之一，自2021年5月以来，按照“谁评价、谁负责、谁发证”的原则，在省、市人力资源社会保障部门的指导下，不断探索和加强质量管控措施，积极开展职业技能等级认定工作，取得了比较好的成效。在评价工作中，学院不断规范评价准备流程，严格评价考核程序，保障评价结果跟进，加强了评价工作的组织和评价现场的管理。

关键词：

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基于3D仿真的LDMOS-SCR器件优化

微电子学 2018年第5期48卷 695-698,704页

作者：王鑫梁海莲顾晓峰马艺珂刘湖云江南大学电子工程系物联网技术应用教育部工程研究中心江苏无锡214122

为了提高内嵌可控硅(SCR)的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS-SCR)器件应用于高压时的ESD防护性能,基于0.35μm BCD工艺,在典型LDMOS-SCR(Dut1)基础上,制备了两种实验器件,即阳极环N+区的LDMOS-SCR(Dut2)和在阳极端引入漂移层的LDMOS-SCR... 详细信息

为了提高内嵌可控硅(SCR)的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS-SCR)器件应用于高压时的ESD防护性能,基于0.35μm BCD工艺,在典型LDMOS-SCR(Dut1)基础上,制备了两种实验器件,即阳极环N+区的LDMOS-SCR(Dut2)和在阳极端引入漂移层的LDMOS-SCR(Dut3)。在ESD应力作用下,器件开启后的3DTCAD仿真结果表明,相比于Dut1,Dut2和Dut3的电流密度更小,Dut2和Dut3的导通电阻更大。传输线脉冲的测试结果表明,器件的维持电压分别从2.74V增至8.41V和16.20V,Dut2、Dut3的品质因数较Dut1分别增大了1.96倍、3.52倍。该3DTCAD仿真及版图改进方法可为高压IC的ESD防护设计提供有益参考。

关键词：静电放电可控硅 LDMOS 维持电压 3DTCAD

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上海期货铜套利机会分析及其数学模型

广东工业大学学报 2013年第3期30卷 80-84页

作者：周轩马艺珂钱艳英广东工业大学应用数学学院广东广州510520 斯蒂文斯理工学院金融工程系美国新泽西州霍博肯市07030 广东外语外贸大学思科信息学院广东广州510006

立足于预测性的建模方法,首先对上海期货交易所与伦敦金属交易所的期货铜价格的相关性进行分析,并提出能使投资者实现套利的多空操作方法.其次,证明了在统计区间内上海期货交易所的期货铜价格分别与伦敦金属交易所、纽约商品交易所的期... 详细信息

立足于预测性的建模方法,首先对上海期货交易所与伦敦金属交易所的期货铜价格的相关性进行分析,并提出能使投资者实现套利的多空操作方法.其次,证明了在统计区间内上海期货交易所的期货铜价格分别与伦敦金属交易所、纽约商品交易所的期货铜价格和长江有色金属市场的现货铜价格之间存在协整关系,并将这4个交易市场各自的铜价作为变量,建立最终的误差修正模型,用以预测上海期货交易所期货铜价格的走势.最后,验证了最终的误差修正模型具备实际操作意义,对投资者具有指导价值.

关键词：期货铜协整检验误差修正模型套利

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抗单粒子辐射LVDS驱动器设计

中国集成电路 2023年第10期32卷 46-51页

作者：赵金翔周昕杰郭业才马艺珂颜元凯南京信息工程大学电子与信息工程学院中国电子科技集团第五十八研究所

为了减小单粒子效应对低电压差分信号(Low Voltage Differential Signal,LVDS)驱动器电路的影响,对LVDS内部模块电路进行单粒子脉冲仿真,找出电路中单粒子敏感节点,并进行单粒子加固设计。该电路基于0.18μm 1P5M CMOS工艺实现,传输速率... 详细信息

为了减小单粒子效应对低电压差分信号(Low Voltage Differential Signal,LVDS)驱动器电路的影响,对LVDS内部模块电路进行单粒子脉冲仿真,找出电路中单粒子敏感节点,并进行单粒子加固设计。该电路基于0.18μm 1P5M CMOS工艺实现,传输速率为200Mbps,版图面积为464×351μm^(2),在3.3V电源电压下功耗为11.5mW。辐射试验采用Ge粒子试验,在入射能量为210MeV,线性能量转移LET为37.3MeV·cm^(2)/mg辐射情况下,该LVDS驱动器电路传输数据未发生错误。

关键词：低电压差分信号单粒子瞬态扰动辐射加固辐射效应