抗单粒子辐射LVDS驱动器设计

作     者：赵金翔 周昕杰 郭业才 马艺珂 颜元凯 ZHAO Jin-xiang;ZHOU Xin-jie;GUO Ye-cai;MA Yi-ke;YAN Yuan-kai

作者机构：南京信息工程大学电子与信息工程学院 中国电子科技集团第五十八研究所 

出 版 物：《中国集成电路》 (China lntegrated Circuit)

年 卷 期：2023年第32卷第10期

页      面：46-51页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

基　　金：江苏省自然科学基金项目(No.BK20211040)。 

主　　题：低电压差分信号 单粒子瞬态扰动 辐射加固 辐射效应 

摘      要：为了减小单粒子效应对低电压差分信号(Low Voltage Differential Signal,LVDS)驱动器电路的影响,对LVDS内部模块电路进行单粒子脉冲仿真,找出电路中单粒子敏感节点,并进行单粒子加固设计。该电路基于0.18μm 1P5M CMOS工艺实现,传输速率为200Mbps,版图面积为464×351μm^(2),在3.3V电源电压下功耗为11.5mW。辐射试验采用Ge粒子试验,在入射能量为210MeV,线性能量转移LET为37.3MeV·cm^(2)/mg辐射情况下,该LVDS驱动器电路传输数据未发生错误。