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基于平均迁移率模型的SiC埋沟MOSFET Ⅰ-Ⅴ特性

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固体电子学研究与进展 2007年第2期27卷 170-175页

作者：郜锦侠张义门张玉明夏杰西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

提出了一种SiC隐埋沟道MOSFET平均迁移率模型,并在此基础上对器件I-V特性进行了研究。采用一个随栅压变化的平均电容公式,并用一个简单的解析表达式来描述沟道平均迁移率随栅压的变化关系。计算漏电流时考虑了埋沟器件的三种工作模式,... 详细信息

提出了一种SiC隐埋沟道MOSFET平均迁移率模型,并在此基础上对器件I-V特性进行了研究。采用一个随栅压变化的平均电容公式,并用一个简单的解析表达式来描述沟道平均迁移率随栅压的变化关系。计算漏电流时考虑了埋沟器件的三种工作模式,推出了各种工作模式下的漏电流表达式,并用实验值对模型进行了验证。

关键词：碳化硅隐埋沟道金属氧化物半导体场效应晶体管平均迁移率模型伏安特性

界面态电荷对n沟6H-SiC MOSFET场效应迁移率的影响

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物理学报 2003年第4期52卷 830-833页

作者：汤晓燕张义门张玉明郜锦侠西安电子科技大学微电子研究所西安710071

针对界面态密度在禁带中的不均匀分布 ,分析了界面态电荷对n沟 6H碳化硅MOSFET场效应迁移率的影响 .分析结果显示 ,界面态电荷使n沟碳化硅器件的场效应迁移率明显降低 .

关键词：界面态电荷碳化硅反型层迁移率场效应迁移率界面态密度载流子 n沟碳化硅器件 MOSFET

C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度

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物理学报 2006年第6期55卷 2992-2996页

作者：郜锦侠张义门汤晓燕张玉明西安电子科技大学微电子学院

本文对用C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度的方法进行了理论和实验分析.pn结的存在所造成的埋沟MOS结构C-V曲线的畸变为沟道载流子浓度的提取带来一些问题.SiC/SiO2界面上界面态的存在也会使提取出的数值与实际数值产生偏差.... 详细信息

本文对用C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度的方法进行了理论和实验分析.pn结的存在所造成的埋沟MOS结构C-V曲线的畸变为沟道载流子浓度的提取带来一些问题.SiC/SiO2界面上界面态的存在也会使提取出的数值与实际数值产生偏差.本文首先从理论上分别分析了沟道深度和界面态对沟道载流子浓度提取结果的影响,然后对两种沟道深度的埋沟MOS结构C-V曲线进行了测试,提取出了沟道掺杂浓度.在测试中,采用不同的扫描速率,分析了界面态对提取结果的影响.理论分析结果和实验测试结果相一致.

关键词： C-V法 SiC 隐埋沟道MOSFET 沟道载流子浓度

考虑源漏串联电阻时6H-SiC PMOSFET解析模型

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Journal of Semiconductors 2004年第10期25卷 1296-1300页

作者：郜锦侠张义门张玉明西安电子科技大学微电子研究所西安710071

在考虑源漏串联电阻的基础上 ,建立了一组适用于 Si C PMOSFET的解析模型 .

关键词： 6H—SiC PMOSFET 源漏串联电阻解析模型

Fabrication of 4H-SiC Buried-Channel nMOSFETs

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Journal of Semiconductors 2004年第12期25卷 1561-1566页

作者：郜锦侠张义门张玉明西安电子科技大学微电子研究所西安710071

The buried channel (BC) nMOSFETs with gate oxide grown thermally on 4H-SiC are *** BC region and source/drain region are formed by nitrogen implantation at room temperature followed by annealing at 1600℃.The channel depth is about 0.2μ*** peak field-effect mobility of 18.1cm2/(V·s) for 5μm device is *** dotted pits found in the surface through microscope may be one of the important factors of the cause low field-effect *** threshold voltages are 1.73V and 1.72V for the gate lengths of 3μm and 5μm *** transconductance at V G=20V and V D=10V is 102μS for the gate length of 3μm.

关键词： H-SiC buried-channel MOSFET field-effect mobility

Study of Electron Mobility in 4H-SiC Buried-Channel MOSFETs

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Journal of Semiconductors 2006年第2期27卷 283-289页

作者：郜锦侠张义门张玉明西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

The effects of several factors on mobility in 4H-SiC buried-channel （BC） MOSFETs are studied,A simple model that gives a quantitative analysis of series resistance effects on the effective mobility and field-effect mobility is proposed.A series resistance not only decreases field-effect mobility but also reduces the gate voltage corresponding to the peak field-effect mobility. The dependence of the peak field-effect mobility on series resistance follows a simple quadratic polynomial. The effects of uniform and exponential interface state distributions in the forbidden band on field-effect mobility are analyzed with an analytical model. The effects of non-uniform interface states can be ignored at lower gate voltages but become more obvious as the gate bias increases.

关键词： 4H-SiC buried-channel MOSFET mobility series resistance interface states

表面态密度分布和源漏电阻对6H-SiC PMOS器件特性的影响

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Journal of Semiconductors 2002年第4期23卷 408-413页

作者：郜锦侠张义门张玉明汤晓燕西安电子科技大学微电子研究所西安710071

建立了一个价带附近的界面态密度分布模型 ,并用该模型较好地模拟了 6 H- Si C PMOS器件的阈值电压随温度变化的趋势、C- V特性以及转移特性 .理论 C- V特性曲线是用数值解泊松方程的方法得到的 ,在解泊松方程的过程中考虑了场致离化效... 详细信息

建立了一个价带附近的界面态密度分布模型 ,并用该模型较好地模拟了 6 H- Si C PMOS器件的阈值电压随温度变化的趋势、C- V特性以及转移特性 .理论 C- V特性曲线是用数值解泊松方程的方法得到的 ,在解泊松方程的过程中考虑了场致离化效应 .由于 Si C PMOS器件的源漏电阻比较大 ,因此 ,在计算强反型情况下的漏电流时 ,同时考虑了源漏电阻的影响 .结果表明。

关键词：表面态密度分布源漏电阻 6H-SiCPMOS 器件特性

SiC隐埋沟道MOS结构夹断模式下的C-V特性畸变

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Journal of Semiconductors 2006年第7期27卷 1259-1263页

作者：郜锦侠张义门张玉明西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

用数值和解析的方法研究了SiC隐埋沟道MOS结构夹断模式下C-V特性的畸变.隐埋沟道MOSFET中存在一个pn结,在沟道夹断以后,半导体表面耗尽区和pn结耗尽区连在一起,这时总的表面电容是半导体表面耗尽区电容和pn结电容的串联,使埋沟MOS结构的... 详细信息

用数值和解析的方法研究了SiC隐埋沟道MOS结构夹断模式下C-V特性的畸变.隐埋沟道MOSFET中存在一个pn结,在沟道夹断以后,半导体表面耗尽区和pn结耗尽区连在一起,这时总的表面电容是半导体表面耗尽区电容和pn结电容的串联,使埋沟MOS结构的C-V特性发生畸变.文中通过求解泊松方程,用解析的方法分析了这种畸变发生的物理机理,并对栅电容进行了计算,计算结果与实验结果符合得很好.

关键词：埋沟MOS结构夹断模式 C-V特性 SiC 畸变

6H-SiC肖特基源漏n沟MOSFET的数值-解析模型

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Journal of Semiconductors 2004年第9期25卷 1159-1163页

作者：汤晓燕张义门张玉明郜锦侠陈锐标西安电子科技大学微电子研究所西安710071

分析了 6 H- Si C肖特基源漏 MOSFET的电流输运机制 ,并建立了数值 -解析模型 .模型正确地计入了隧道电流和势垒降低的影响 ,能准确反映器件的特性 .模拟结果显示 ,源极肖特基的势垒高度是影响器件特性的主要因素 ,随着温度升高 ,器件... 详细信息

分析了 6 H- Si C肖特基源漏 MOSFET的电流输运机制 ,并建立了数值 -解析模型 .模型正确地计入了隧道电流和势垒降低的影响 ,能准确反映器件的特性 .模拟结果显示 ,源极肖特基的势垒高度是影响器件特性的主要因素 ,随着温度升高 ,器件的特性将变得更好 .

关键词：碳化硅肖特基势垒 MOSFET