C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度
Extraction of channel carrier concentration using C-V method for SiC buried-channel MOSFET作者机构：西安电子科技大学微电子学院
出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)
年 卷 期：2006年第55卷第6期
页 面：2992-2996页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 07[理学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0704[理学-天文学] 0702[理学-物理学]
基 金：国家重点基础研究发展计划(973)(批准号:A50103250091)资助的课题~~
主 题：C-V法 SiC 隐埋沟道MOSFET 沟道载流子浓度
摘 要：本文对用C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度的方法进行了理论和实验分析.pn结的存在所造成的埋沟MOS结构C-V曲线的畸变为沟道载流子浓度的提取带来一些问题.SiC/SiO2界面上界面态的存在也会使提取出的数值与实际数值产生偏差.本文首先从理论上分别分析了沟道深度和界面态对沟道载流子浓度提取结果的影响,然后对两种沟道深度的埋沟MOS结构C-V曲线进行了测试,提取出了沟道掺杂浓度.在测试中,采用不同的扫描速率,分析了界面态对提取结果的影响.理论分析结果和实验测试结果相一致.
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