考虑源漏串联电阻时6H-SiC PMOSFET解析模型
Analytical Model Aimed at Source/Drain Series Resistance for 6H-SiC PMOSFET作者机构：西安电子科技大学微电子研究所西安710071
出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)
年 卷 期：2004年第25卷第10期
页 面：1296-1300页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
基 金：国家自然科学基金资助项目 (批准号 :60 2 760 47)~~
主 题：6H—SiC PMOSFET 源漏串联电阻 解析模型
摘 要：在考虑源漏串联电阻的基础上 ,建立了一组适用于 Si C PMOSFET的解析模型 .
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